本發(fā)明涉及tft-lcd技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種tft-lcd基板玻璃原料組成。
背景技術(shù)：
進(jìn)入21世紀(jì)以來，平板顯示技術(shù)得到迅猛發(fā)展，并逐步取代了傳統(tǒng)的crt(cathoderaytube，陰極射線管)型顯示產(chǎn)品，在眾多的新型平板顯示技術(shù)中，
tft-lcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示器，又稱為am-lcd(activematrixliquidcrystaldisplay，有源矩陣型液晶顯示器)成為主流的彩色平板顯示技術(shù)，tft-lcd因其有效顯示尺寸大、清晰度高、重量輕、環(huán)保性能好等優(yōu)勢逐步受到消費(fèi)者的認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于數(shù)顯手表、手機(jī)、數(shù)字播放器(如mp4、mp5等)、數(shù)碼照相機(jī)、車載導(dǎo)航儀等小型終端顯示設(shè)備以及電視、筆記本電腦、臺式機(jī)顯示器等。
tft-lcd基板玻璃是tft-lcd顯示器面板的前后兩片關(guān)鍵玻璃材料，分別用作薄膜晶體管陣列的底板(tftarraybackplane)和彩色濾光片(cf，colorfilter)，而基板玻璃是tft-lcd顯示器面板的重要組成部分，不僅在tft-lcd面板成本中所占比例大(約為18％-20％)，而且對顯示器產(chǎn)品性能的影響也十分巨大，顯示器的分辨率、透光率、重量及視角等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)都與基板玻璃密切相關(guān)，tft-lcd面板的性能和質(zhì)量在很大程度上取決于基板玻璃，目前基板玻璃成為tft-lcd發(fā)展的主要制約因素。
tft-lcd生產(chǎn)方法主要有溢流下拉法、鉑金下拉法、浮法。熔窯規(guī)模都很小，熔化量在5～30t/d。熔化方式除采用天然氣外，還必須增加電助熔系統(tǒng)。為了減少玻璃中疙瘩、氣泡等缺陷，提高玻璃的質(zhì)量，熔窯配有鉑金系統(tǒng)(澄清器、攪拌器、冷卻器及供料管等)，經(jīng)過高溫熔制的玻璃液，流入鉑金系統(tǒng)經(jīng)澄清、均化后在成形裝置形成玻璃板。
tft-lcd基板玻璃是在硼鋁硅酸鹽玻璃的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，加入b2o3調(diào)節(jié)玻璃的性能，是玻璃組成中不可缺少的組分，但是在玻璃熔制過程中硼、氟，以氟硅酸(h2sif6)、氫氟酸(hf)和氟硼酸鹽的形式揮發(fā)，硼揮發(fā)量在12-15％，不但影響玻璃成分的均一性和玻璃的使用性能，而且會污染環(huán)境，可見，降低tft-lcd液晶玻璃基板生產(chǎn)過程中硼揮發(fā)，成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供了一種tft-lcd基板玻璃原料組成。
本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種tft-lcd基板玻璃原料組成，所述基板玻璃中各組分按以下質(zhì)量百分比組成：二氧化硅52～58％、氧化硼7～11％、氧化鋁9～12％、氧化鋇3～6％、氧化鈣5～8％、氧化鍶7～10％、氧化錫6～8％、氧化鋅10～14％、氧化鎂3～7％、二氧化鋯4～12％、稀土金屬氧化物3～6％。
所述基板玻璃的光透過率為91％，在100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)為31～39x10-7℃；應(yīng)變點(diǎn)在640℃以上，密度小于2.6g/cm3，液相溫度低于1150℃。
所述稀土金屬氧化物為氧化鑭、氧化釔、氧化鈰、氧化釤、氧化鉺或上述五種物質(zhì)中兩種或兩種以上的組合物。
所述tft-lcd基板玻璃組分中還增加總質(zhì)量不大于1％的氧化鈹。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過加入稀土金屬氧化物，硼揮發(fā)的問題得到有效控制，硼揮發(fā)量從12-15％降低到6-9％，玻璃得率>96％。再者玻璃的性能得到很大改善，100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)為31～39x10-7℃；應(yīng)變點(diǎn)在640℃以上，熔化溫度低于1150℃。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例1一種tft-lcd基板玻璃原料組成，所述基板玻璃中各組分按以下質(zhì)量百分比組成：二氧化硅52％、氧化硼7％、氧化鋁9％、氧化鋇3％、氧化鈣5％、氧化鍶7％、氧化錫6％、氧化鋅10％、氧化鎂3％、二氧化鋯4％、稀土金屬氧化物3％。
所述基板玻璃的光透過率為91％，在100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)為31～39x10-7℃；應(yīng)變點(diǎn)在640℃以上，密度小于2.6g/cm3，液相溫度低于1150℃。
所述稀土金屬氧化物為氧化鑭、氧化釔、氧化鈰、氧化釤、氧化鉺或上述五種物質(zhì)中兩種或兩種以上的組合物。
所述tft-lcd基板玻璃組分中還增加總質(zhì)量不大于1％的氧化鈹。
實(shí)施例2一種tft-lcd基板玻璃原料組成，所述基板玻璃中各組分按以下質(zhì)量百分比組成：二氧化硅58％、氧化硼11％、氧化鋁12％、氧化鋇6％、氧化鈣8％、氧化鍶10％、氧化錫8％、氧化鋅14％、氧化鎂7％、二氧化鋯12％、稀土金屬氧化物6％。
所述基板玻璃的光透過率為91％，在100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)為31～39x10-7℃；應(yīng)變點(diǎn)在640℃以上，密度小于2.6g/cm3，液相溫度低于1150℃。
所述稀土金屬氧化物為氧化鑭、氧化釔、氧化鈰、氧化釤、氧化鉺或上述五種物質(zhì)中兩種或兩種以上的組合物。
所述tft-lcd基板玻璃組分中還增加總質(zhì)量不大于1％的氧化鈹。
實(shí)施例3一種tft-lcd基板玻璃原料組成，所述基板玻璃中各組分按以下質(zhì)量百分比組成：二氧化硅55％、氧化硼9％、氧化鋁11％、氧化鋇5％、氧化鈣7％、氧化鍶9％、氧化錫7％、氧化鋅12％、氧化鎂5％、二氧化鋯8％、稀土金屬氧化物5％。
所述基板玻璃的光透過率為91％，在100℃～300℃的熱膨脹系數(shù)為31～39x10-7℃；應(yīng)變點(diǎn)在640℃以上，密度小于2.6g/cm3，液相溫度低于1150℃。
所述稀土金屬氧化物為氧化鑭、氧化釔、氧化鈰、氧化釤、氧化鉺或上述五種物質(zhì)中兩種或兩種以上的組合物。
所述tft-lcd基板玻璃組分中還增加總質(zhì)量不大于1％的氧化鈹。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于所述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是所述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。