本發(fā)明涉及一種cr3+,nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷及其制備方法,特別涉及一步共沉淀法制備cr3+,nd3+:gsgg納米粉體,屬于激光陶瓷制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
激光技術(shù)的一個重要發(fā)展方向是高平均功率、高峰值功率的固體激光器。固體激光器的固體激光介質(zhì)材料已從最初幾種晶體發(fā)展到涵蓋晶體、玻璃、陶瓷等三大領(lǐng)域的上百種材料。激光陶瓷的出現(xiàn),為固體激光材料向高功率、大尺寸、多功能發(fā)展提供了全新的途徑。晶體與激光陶瓷相比,生長周期長,制備成本較高,制備過程較為復(fù)雜,且摻雜濃度受限,不利于大規(guī)模生產(chǎn),因多晶陶瓷不失為單晶的強(qiáng)有力的替代者。相對于玻璃來說,陶瓷的熱導(dǎo)率更大,硬度大,振蕩閾值低,有利于激光性能的提升。因此激光陶瓷有著晶體和玻璃無法比擬的特性。
石榴石晶體是在探索新晶體中至今所獲得的綜合性能最優(yōu)良的激光基質(zhì)晶體,屬于立方晶系,是十二面體結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的yag相比,對于含sc的石榴石,sc取代al離子會增大十二面體晶格位置間距離,使得激活離子更易進(jìn)入十二面體。在光學(xué)陶瓷中,稀土元素能夠產(chǎn)生激光,因此稀土離子常被用作激光工作物質(zhì)的激活離子。nd3+摻雜的激光陶瓷材料具有理想的四能級系統(tǒng),具有閾值低、量子效率高、受激輻射面大,易實(shí)現(xiàn)激光振蕩。但是單摻nd3+也有不足之處,容易產(chǎn)生畸變。早期粉體制備是通過固相反應(yīng)法,即通過各粉體間球磨混合均勻,再通過高溫長時間固相反應(yīng)形成。該方法所得到的粉體顆粒尺寸大且粒徑分布寬,燒結(jié)活性較差。
為克服以上缺點(diǎn),本發(fā)明擬考慮再摻雜一種離子來減小畸變。不單是稀土離子,過渡金屬離子也可作為激活離子。cr3+的熒光發(fā)射帶與nd3+的吸收帶有重疊,可作nd3+的熒光敏化劑。同時過渡金屬離子可作為激活離子cr3+具有很高的八面體擇位能,因此cr3+將盡可能處于八面體配位場,并且nd3+的有效泵浦帶可被cr3+的額外吸收帶所拓寬,能夠增強(qiáng)發(fā)光。本發(fā)明擬采用一步共沉淀法制備出有利于后期激光陶瓷的燒結(jié)的納米粉體,其優(yōu)點(diǎn)在于成本低廉,易于大規(guī)模生產(chǎn)。與傳統(tǒng)的yag相比,gsgg可高濃度摻雜,熱性能和機(jī)械性能優(yōu)良,物理化學(xué)特性性能穩(wěn)定,有利于提高泵浦效率和輸出光束質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種高性能cr3+,nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷的制備方法,使用本發(fā)明提供的制備方法可以合成顆粒尺寸細(xì)小,燒結(jié)活性高的粉體,且制備的激光陶瓷光學(xué)性能優(yōu)異。
一種高性能cr3+,nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷的制備方法,其特征在于包括下列步驟:
1)采用高純cr2o3、nd2o3、gd2o3、sc2o3及ga2o3粉為原料,按照材料的化學(xué)計量比進(jìn)行配料,并加入硝酸,配成硝酸鹽溶液,以氨水為沉淀劑,一步注入硝酸鹽溶液中,同時進(jìn)行充分?jǐn)嚢?,然后陳化形成沉淀液?/p>
2)沉淀液經(jīng)過濾、洗滌、烘干得前驅(qū)粉體,在空氣氣氛中800-1100℃煅燒,得cr3+,nd3+:gsgg納米粉體;
3)對粉體干壓成型后冷等靜壓,再通過真空燒結(jié),待爐溫冷卻至室溫,取出樣品進(jìn)行打磨、拋光,得cr3+,nd3+:gsgg激光陶瓷。
其中:步驟(1)中所述cr2o3、nd2o3、gd2o3、sc2o3及ga2o3為重量比含量99.99%高純粉體,以gd2o3、sc2o3及ga2o3為基體材料,摩爾比為3:2:3,以cr2o3、nd2o3為摻雜材料,摻雜材料摻雜量以原子比為計為:cr2o30-2,nd2o30-2;配成的硝酸鹽溶液濃度為5mol/l,一步注入氨水后,調(diào)節(jié)溶液的ph為8-10。
步驟(2)中所述沉淀在100℃烘干24h。
步驟(3)中所述干壓成型壓力為100-200mpa,冷等靜壓成型壓力為200mpa;真空燒結(jié)溫度為1500-1700℃,保溫時間20-25h,最終獲得cr3+,nd3+:gsgg激光陶瓷。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明原料為高純cr2o3、nd2o3、gd2o3、sc2o3及ga2o3粉,采用一步共沉淀法制備cr3+與nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷,摻雜濃度高且摻雜均勻性好,相比于該體系單晶,制備工藝簡單,所制備的陶瓷材料組織致密。該陶瓷具有較寬的熒光譜線,較強(qiáng)的發(fā)光性能,有利于實(shí)現(xiàn)短脈沖激光輸出。
附圖說明
圖1中(a)、(b)和(c)分別為實(shí)施例1、2和4制備的cr3+與nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷粉體的sem照片
圖2(a)、(b)和(c)分別為實(shí)施例3、4和5制備的cr3+與nd3+復(fù)合摻雜gsgg激光陶瓷粉體的發(fā)射光譜圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
1)將重量比含量99.99%的高純gd2o3、sc2o3及ga2o3粉按照摩爾比3:2:3溶于稀硝酸中,cr2o3、nd2o3粉分別按照0at.%、0at.%溶于稀硝酸,然后混合成均勻的5mol/l硝酸鹽溶液。
2)以氨水為沉淀劑,一步注入上述混合溶液中,同時進(jìn)行充分?jǐn)嚢?,調(diào)節(jié)溶液的ph為8-10,然后在室溫陳化8h。
3)陳化后,采用去離子水和無水乙醇對沉淀物進(jìn)行過濾、洗滌,洗滌好的沉淀物在干燥箱中100℃干燥24h,干燥后的粉體經(jīng)過研磨在空氣氣氛中1000℃煅燒4h。
4)煅燒后的粉體先干壓成型,壓力為200mpa,再冷等靜壓成型,壓力為200mpa。
5)素坯在1650℃真空燒結(jié),保溫時間25h,然后冷卻至室溫。
實(shí)施例2
采用實(shí)施例1相同工藝,只是將cr2o3、nd2o3粉分別按照0at.%、1at.%溶于稀硝酸,其余條件均同實(shí)施例1,同樣能得到激光陶瓷。
實(shí)施例3
采用實(shí)施例1相同工藝,只是將cr2o3、nd2o3粉分別按照0.5at.%、1at.%溶于稀硝酸,其余條件均同實(shí)施例1,同樣能得到激光陶瓷。
實(shí)施例4
采用實(shí)施例1相同工藝,只是將cr2o3、nd2o3粉分別按照1at.%、1at.%溶于稀硝酸,其余條件均同實(shí)施例1,同樣能得到激光陶瓷。
實(shí)施例5
采用實(shí)施例1相同工藝,只是將cr2o3、nd2o3粉分別按照2at.%、1at.%溶于稀硝酸,其余條件均同實(shí)施例1,同樣能得到激光陶瓷。