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一種三維枝狀納米CuO的制備方法與流程

文檔序號:11888477閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種三維枝狀納米CuO的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

(1)在清洗干凈的FTO玻璃表面通過電化學(xué)沉積法制備Cu薄膜;

(2)將步驟(1)制得的樣品浸入5-10℃、0.2-1mol/L的 NaOH和0.01-0.05mol/L 的K2S2O8混合溶液中刻蝕,待FTO表面不再有Cu(OH)2生成后取出,用蒸餾水沖洗、吹干;

(3)對步驟(2)制得的樣品在氮氣中于500-600℃下退火2-4h,升溫速率2-4℃/min,得到CuO納米線;

(4)將步驟(3) 制得的樣品通過磁控濺射的方法在其表面濺射一層Cu薄膜;

(5)將步驟(4) 制得的樣品于常溫下,浸入0.2-1mol/L 的NaOH和0.01-0.05mol/L 的K2S2O8混合溶液中刻蝕1-2h,取出,用蒸餾水沖洗,吹干,得到三維枝狀納米CuO。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法,其特征在于:步驟(1)中所述沉積銅的溶液為0.05 mol/L的 CuSO4和1 mol/L的 Na2SO4的混合溶液,并用H2SO4調(diào)節(jié)溶液PH值為1;沉積方法為三電極體系的I-t技術(shù),沉積時間20-30min,偏壓-0.5V,以FTO玻璃為工作電極,Pt為對電極,SCE為參比電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法,其特征在于:步驟(2)中所述刻蝕過程的時間為50-90min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法,其特征在于:步驟(4)中所述濺射過程以銅單質(zhì)作為陰極靶,所制備的CuO納米線為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氮氣,陰極靶電壓為2KV,電離出的氮離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在CuO納米線上,形成薄膜,濺射時間10-20min。

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