技術(shù)特征：

1.一種三維枝狀納米CuO的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在清洗干凈的FTO玻璃表面通過電化學(xué)沉積法制備Cu薄膜；

（2）將步驟（1）制得的樣品浸入5-10℃、0.2-1mol/L的 NaOH和0.01-0.05mol/L 的K₂S₂O₈混合溶液中刻蝕，待FTO表面不再有Cu(OH)₂生成后取出，用蒸餾水沖洗、吹干；

（3）對步驟（2）制得的樣品在氮氣中于500-600℃下退火2-4h，升溫速率2-4℃/min，得到CuO納米線；

（4）將步驟(3) 制得的樣品通過磁控濺射的方法在其表面濺射一層Cu薄膜；

（5）將步驟(4) 制得的樣品于常溫下，浸入0.2-1mol/L 的NaOH和0.01-0.05mol/L 的K₂S₂O₈混合溶液中刻蝕1-2h，取出，用蒸餾水沖洗，吹干，得到三維枝狀納米CuO。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述沉積銅的溶液為0.05 mol/L的 CuSO₄和1 mol/L的 Na₂SO₄的混合溶液，并用H₂SO₄調(diào)節(jié)溶液PH值為1；沉積方法為三電極體系的I-t技術(shù)，沉積時間20-30min，偏壓-0.5V，以FTO玻璃為工作電極，Pt為對電極，SCE為參比電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述刻蝕過程的時間為50-90min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維枝狀納米CuO的制備方法，其特征在于：步驟（4）中所述濺射過程以銅單質(zhì)作為陰極靶，所制備的CuO納米線為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氮氣，陰極靶電壓為2KV，電離出的氮離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在CuO納米線上，形成薄膜，濺射時間10-20min。