技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種多晶硅鑄錠坩堝，包括坩堝主體和設(shè)置在所述坩堝主體的底部內(nèi)側(cè)和內(nèi)側(cè)壁的第一高純層。所述多晶硅鑄錠坩堝，通過在坩堝主體的底部內(nèi)側(cè)和內(nèi)側(cè)壁設(shè)置第一高純層，提高坩堝主體底部的致密性，阻絕來自坩堝本體的氧及雜質(zhì)的向上擴(kuò)散，提高硅錠少子壽命，減少硅錠紅區(qū)寬度，降低硅錠的氧含量，從而降低底部紅區(qū)的高度，提高其光電轉(zhuǎn)化效率，減低組件的衰減，從而使得石英陶瓷坩堝可以更好地滿足實際生產(chǎn)的需要。

技術(shù)研發(fā)人員：陳養(yǎng)俊;肖貴云;陳偉;金浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
文檔號碼：201621295677
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.29
技術(shù)公布日：2017.11.14