技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種可防止硅蒸汽溢出的液相法生長碳化硅晶體的裝置。其包括石墨坩堝、與上下運(yùn)動機(jī)構(gòu)連接的籽晶軸，所述石墨坩堝外設(shè)有保溫層，所述石墨坩堝包括坩堝體、蓋在坩堝體上端的坩堝蓋，所述籽晶軸包括頭部貼有籽晶的石墨軸，其特征在于：在所述坩堝體上端的內(nèi)側(cè)壁上對應(yīng)于坩堝體與坩堝蓋之間的縫隙處設(shè)有一沿坩堝體內(nèi)側(cè)壁周向設(shè)置的環(huán)槽，所述環(huán)槽開口向上，所述環(huán)槽的內(nèi)側(cè)邊與坩堝體的內(nèi)側(cè)壁封閉連接，坩堝體與坩堝蓋之間的縫隙位于所述環(huán)槽內(nèi)；在籽晶上部的石墨軸上同軸設(shè)置有一石墨遮罩，所述石墨遮罩為圓形平板或?yàn)殚_口向下的傘形結(jié)構(gòu)或?yàn)橐欢朔忾]另一端敞口向下的筒形結(jié)構(gòu)，所述石墨遮罩將貼有籽晶的一端的石墨軸罩設(shè)在其下部。

技術(shù)研發(fā)人員：朱燦;李加林;李長進(jìn);高超;竇文濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司
文檔號碼：201620641931
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.24
技術(shù)公布日：2017.01.25