本實(shí)用新型涉及碳化硅籽晶生長技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種碳化硅的生長裝置。

背景技術(shù)：

碳化硅(SiC)是繼硅、鍺、砷化鎵等之后的第三代半寬禁帶半導(dǎo)體材料，其在禁帶寬度、熱導(dǎo)率、臨界擊穿場強(qiáng)、飽和電子漂移速率等方面具有明顯的優(yōu)勢。4H-SiC和6H-SiC的禁帶寬度分別為3.26eV和3.08eV，3C-SiC的禁帶最窄，其禁帶寬度也在2.39eV左右。SiC的禁帶寬度是Si的2-3倍，熱導(dǎo)率是Si的2.6-3.3倍，臨界擊穿場強(qiáng)是Si的7-13倍，飽和電子漂移速率是Si的2-2.7倍。使用寬禁帶材料可以大幅提高器件的工作溫度，采用SiC襯底的功率器件，最高工作溫度有可能超過600℃。更高的臨界擊穿場強(qiáng)可以使減少器件的體積，因此可以使器件小型化的同時省去大量的散熱裝置，減少能源的消耗。更高的飽和電子漂移速率可提高器件的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。所以與Si相比，SiC更適合用于制造高溫、高頻、大功率的功率器件。但是目前市場上的碳化硅生長裝置，需要花費(fèi)較大力氣才能將坩堝的中心與籽晶的中軸線準(zhǔn)確對準(zhǔn)，比較費(fèi)時費(fèi)力，而且目前裝置中采用的是實(shí)心籽晶軸，當(dāng)所受溫度較高時，變形較大，使用壽命縮短。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種碳化硅的生長裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單，使用方便優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種碳化硅的生長裝置，包括殼體，所述殼體的內(nèi)部設(shè)置有保溫層，所述保溫層的內(nèi)側(cè)下方設(shè)有滑槽，滑槽內(nèi)通過支架滑動安裝有坩堝，所述保溫層內(nèi)部左右兩側(cè)均開設(shè)有槽孔，所述槽孔的底部固定安裝有第一液壓伸縮桿，所述第一液壓伸縮桿之間設(shè)有連接板，所述連接板上固定安裝固定塊；固定塊下方連接有空心管狀籽晶軸，籽晶軸下端連接有籽晶托架；所述坩堝兩側(cè)對稱設(shè)有第二液壓伸縮桿且第二液壓伸縮桿之間的中心軸線與籽晶托架中心軸線重合。

工作原理：當(dāng)人們需要培養(yǎng)籽晶時，通過第一液壓伸縮桿帶動連接板上升，然后同時同步調(diào)節(jié)第二液壓伸縮桿，使其壓緊坩堝，然后通過籽晶托架固定籽晶，從而使籽晶處于坩堝的正上方，使得坩堝的中心與籽晶的中心對齊。由于籽晶軸為空心管狀，管壁較薄，在高溫情況下，熱膨脹尺寸小，因而減少了籽晶軸的變形尺寸，延長了使用壽命。

進(jìn)一步的，所述的籽晶托架包括石墨板和石墨手臂，石墨手臂固定連接在石墨板下方，所述的石墨板通過機(jī)械連接或者通過粘合劑與籽晶軸固定連接，石墨手臂下方有開口，用于容納籽晶。生長過程中，不使用任何的粘合劑固定籽晶，只通過籽晶托架來承載籽晶。籽晶在晶體生長過程中，由于籽晶與籽晶托架之間存在空隙，在溶液流動的作用下，籽晶不受籽晶托架的束縛，這樣可有效避免在晶體中產(chǎn)生應(yīng)力，避免使用粘合劑時固化不均勻時造成晶體內(nèi)局部應(yīng)力大造成開裂、缺陷多等情況。通過使用籽晶托架，可以生長出高質(zhì)量的SiC晶體。

所述開口的高度大于籽晶的厚度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該裝置結(jié)構(gòu)簡單，通過加入第一伸縮桿的方式，能夠自主調(diào)控籽晶與坩堝之間的距離，同時由于坩堝兩側(cè)對稱設(shè)有第二液壓伸縮桿且第二液壓伸縮桿之間的中心軸線與籽晶托架中心軸線重合，保證了籽晶的中心與坩堝中心的快速對齊，節(jié)省操作時間，大大提高了工作效率；同時，籽晶軸采用空心管狀結(jié)構(gòu)，減少了形變，延長了使用壽命；通過使用籽晶托架，避免了晶體內(nèi)局部應(yīng)力大造成開裂、缺陷多等情況，可以生長出高質(zhì)量的SiC晶體。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型所述的籽晶托架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1殼體、2保溫層、3滑槽、4支架、5坩堝、6槽孔、7第一液壓伸縮桿、8連接板、9固定塊、10籽晶軸、11籽晶托架、12第二液壓伸縮桿、13籽晶、14、石墨板、15石墨手臂、16開口。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

一種碳化硅的生長裝置，包括殼體1，所述殼體1的內(nèi)部設(shè)置有保溫層2，所述保溫層2的內(nèi)側(cè)下方設(shè)有滑槽3，滑槽3內(nèi)通過支架4滑動安裝有坩堝5，所述保溫層2內(nèi)部左右兩側(cè)均開設(shè)有槽孔6，所述槽孔6的底部固定安裝有第一液壓伸縮桿7，所述第一液壓伸縮桿7之間設(shè)有連接板8，所述連接板8上固定安裝固定塊9；固定塊9下方連接有空心管狀籽晶軸10，籽晶軸10下端連接有籽晶托架11；所述坩堝5兩側(cè)對稱設(shè)有第二液壓伸縮桿12且第二液壓伸縮桿12之間的中心軸線與籽晶托架11中心軸線重合。

所述的籽晶托架11包括石墨板14和石墨手臂15，石墨手臂15固定連接在石墨板14下方，所述的石墨板14通過機(jī)械連接或者通過粘合劑與籽晶軸10固定連接，石墨手臂15下方有開口16。

所述開口16的高度大于籽晶13的厚度。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。