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高熱膨脹玻璃及玻璃陶瓷的激光焊接的制作方法

文檔序號:12284089閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種用于對第一襯底及第二襯底進(jìn)行焊接的方法,包括:

(a)使所述第一襯底與第二襯底接觸,以形成襯底界面;

(b)將在預(yù)定波長下操作的激光束穿過所述第二襯底引導(dǎo)至所述襯底界面上;

其中,所述第一襯底以足夠在所述第一襯底與所述第二襯底之間形成焊接的量從所述激光束吸收光;

其中,所述第一襯底具有大于大約10cm-1的所述預(yù)定波長處的吸收,且所述第二襯底具有小于大約1cm-1的所述預(yù)定波長處的吸收;且

其中,所述第一襯底與第二襯底中的至少一個(gè)具有大于大約5ppm/℃的熱膨脹系數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從玻璃、陶瓷、以及玻璃陶瓷中選擇所述第一襯底和/或第二襯底。

3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,從堿石灰硅酸鹽、鋁硅酸鹽、堿性鋁硅酸鹽、硼硅酸鹽、堿性硼硅酸鹽、鋁硼硅酸鹽、以及堿性鋁硼硅酸鹽玻璃以及玻璃陶瓷中選擇所述第一襯底和/或第二襯底。

4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從預(yù)應(yīng)力層壓制件及化學(xué)強(qiáng)化和/或熱鋼化的玻璃及玻璃陶瓷中選擇所述第一襯底和/或第二襯底。

5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一襯底和/或第二襯底具有大于大約100MPa的壓縮應(yīng)力,以及大于大約10微米的壓縮應(yīng)力的層深度。

6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一襯底包括大約0.05-10mol%的從包含鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻的氧化物的組中選擇的至少一種氧化物。

7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一襯底包括大約30-75mol%SiO2、大約0-40mol%Al2O3、大約1-15mol%B2O3、大約0-20mol%Na2O、大約0-10mol%K2O、大約0-20mol%Li2O、大約0-10mol%MgO、大約0-10mol%CaO、大約0-1mol%SnO2、大約0-5mol%ZrO2、大約0-10mol%TiO2、以及大約0.05-10mol%的至少一種過渡金屬氧化物和/或稀土氧化物。

8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一襯底包括大約5-35mol%(Li2O+Na2O+K2O)以及大約5-35mol%(MgO+CaO)。

9.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一襯底和/或第二襯底的所述熱膨脹系數(shù)在大約6ppm/℃到大約10ppm/℃的范圍。

10.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一襯底具有大于大約50cm-1的所述預(yù)定波長處的吸收。

11.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束在UV、可見、以及近紅外波長下操作。

12.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束具有從大約300nm到大約1600nm范圍的預(yù)定波長。

13.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束以從大約10mm/s到大約1000mm/s范圍的平移速度操作。

14.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束以大于大約3W的功率級以及大于大約1MHz的重復(fù)率操作。

15.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束以從大約6W到大約13W范圍的功率級與從大約1MHz到大約3MHz范圍的重復(fù)率操作。

16.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束在襯底界面處的直徑在從大約100微米到大約200微米的范圍內(nèi)。

17.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束以小于或等于所述激光束在所述襯底界面處的直徑與所述激光束的重復(fù)率之積的平移速度操作。

18.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束具有小于所述第一襯底和/或第二襯底的損傷閾值的能量密度。

19.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊接具有從大約70微米到大約200微米范圍的寬度。

20.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,用施加的圧縮力使所述第一襯底與第二襯底接觸。

21.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一襯底與第二襯底之間形成氣密的密封。

22.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括將至少一個(gè)第三襯底放置在所述第一襯底與第二襯底之間。

23.如權(quán)利要求22所述的方法,其特征在于,所述至少一個(gè)第三襯底是有機(jī)層、陰極、陽極、或它們的組合。

24.如權(quán)利要求22所述的方法,其特征在于,所述至少一個(gè)第三襯底包括有機(jī)發(fā)光二極管。

25.一種由權(quán)利要求1所述的方法制造的玻璃封裝和/或玻璃陶瓷封裝。

26.一種由權(quán)利要求24所述的方法制造的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

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