本發(fā)明涉及一種在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法，屬于分子自組裝化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
由于電子和計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展，目前人們已經(jīng)設(shè)計(jì)和制造了多種不用類型的自組裝裝置，組裝結(jié)構(gòu)和性質(zhì)各異的單分子膜。單分子膜在固體物理化學(xué)、表面化學(xué)、光化學(xué)、材料化學(xué)、生物學(xué)、分子電子器件、化學(xué)生物傳感器等領(lǐng)域中重大的科學(xué)價(jià)值和廣泛的應(yīng)用前景已經(jīng)引起各國(guó)科學(xué)家和技術(shù)界的極大關(guān)注。自組裝單層（self-assembledmonolayer，SAM）是借助成膜分子與固體襯底材料表面之間的化學(xué)反應(yīng)而自發(fā)形成的醫(yī)用熱力學(xué)穩(wěn)定、分子排列有序的單層膜。自組裝單分子膜可通過含有自由運(yùn)動(dòng)的端基，例如硫醇，氨基等的有機(jī)分子對(duì)電極表面改性，賦予了電極表面新的功能。由于分子設(shè)計(jì)的靈活多樣性，使自組裝技術(shù)可以與其他分子組裝技術(shù)巧妙地結(jié)合起來(lái)，從而可以通過化學(xué)控制得到多種多樣的具有特殊性能的表面，設(shè)計(jì)制造新型功能材料。釕易于形成六配位的配合物且本身價(jià)態(tài)變化豐富，使其擁有了豐富的理化性質(zhì)。釕配合物熱力學(xué)穩(wěn)定性好、光化學(xué)光物理信息豐富、激發(fā)態(tài)反應(yīng)活性高和壽命長(zhǎng)及發(fā)光性能良好。因此其目前被廣泛應(yīng)用于化學(xué)發(fā)光，電子轉(zhuǎn)移，非線性光學(xué)材料，分子光開關(guān)，分子識(shí)別，傳感器等領(lǐng)域的研究。釕配合物本身在化工敏化催化方面也有著重要的意義。因此研究釕配合物對(duì)工業(yè)農(nóng)業(yè)國(guó)防醫(yī)藥都有重要意義。釕配合物自組裝法是根據(jù)分子的自組裝作用，在電極表面形成高度有序的分子層建立的。共價(jià)健合利用鍵與鍵之間的共價(jià)結(jié)合進(jìn)行有序組裝，主要采用含有羥基或羧基的分子在電極表面形成自組裝單分子層。目前國(guó)內(nèi)對(duì)在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法的研究還未見報(bào)道。公開的分子膜的自組裝方法主要有：公開號(hào)為CN1403494A的中國(guó)專利公開的“自組裝超薄聚合物膜的制備方法”，通過自由基共聚合合成膜材料，利用自組裝技術(shù)制備了具有各種表面性質(zhì)的超薄聚合物膜，具有減摩、抗磨效果。該方法反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)。公開號(hào)為CN101335190A的中國(guó)專利公開的“將自組裝納米結(jié)構(gòu)圖案畫及形成多孔電解質(zhì)的方法”中，用光刻膠在下層提供的硬掩板上預(yù)限定待在圖案畫過程中進(jìn)行保護(hù)的區(qū)域，在改硬模板及該光刻膠上形成共聚物層，由該共聚物形成自組裝納米結(jié)構(gòu)。公開號(hào)為CN103848404A的中國(guó)專利公開的“一種納米棒單層自組裝的制備方法”中，將CdSe@CdS納米棒溶液通過滴涂的方法涂到透射電子顯微鏡觀測(cè)用的包敷碳膜的銅網(wǎng)上，然后通過熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)CdSe@CdS納米棒在碳膜基底上的自組裝。該方法中CdSe@CdS納米棒需在甲苯溶劑中充分分散，避免團(tuán)聚。目前，配合物的單分子膜自組裝法是一種有利于控制組裝結(jié)構(gòu)和形態(tài)的有效方法，可在電極的表面通過共價(jià)鍵或非共價(jià)鍵而自發(fā)形成高度有序的單分子層。自組裝膜分子排列有序緊密，但組裝過程復(fù)雜，對(duì)設(shè)備要求高，需在在干凈、密閉性較好的實(shí)驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行。而且，為使反應(yīng)物與基片活性部分快速、有效地反應(yīng)，配合物需在溶劑中有較好的溶解度。因而設(shè)計(jì)發(fā)明一種可定向、自組裝過程簡(jiǎn)單且能形成穩(wěn)定性高、可重復(fù)性好的分子膜方法十分必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題及不足，本發(fā)明提供一種在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法。本發(fā)明中對(duì)稱性釕配合物分子中的羥基與ITO表面通過共價(jià)鍵的作用，將釕配合物分子固定在ITO表面，從而實(shí)現(xiàn)在ITO基片上自組裝釕配合物單分子膜。本發(fā)明的方法操作簡(jiǎn)單，釕配合物分子在基底上修飾均勻充分，制備的薄膜具有良好的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性，薄膜的厚度可控等諸多優(yōu)點(diǎn)。在室溫下使用簡(jiǎn)單容器即可操作，無(wú)需特殊條件和設(shè)備，經(jīng)修飾后的ITO基片具有優(yōu)良的光、電化學(xué)性能，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。該對(duì)稱性釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2的化學(xué)通式如下：。一種在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法，其具體步驟如下：（1）釕配合物溶液的配制：在干凈的燒杯中加入超純水，用氨水調(diào)制PH至10，稱取釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2溶解于溶液中，用HCl調(diào)節(jié)PH至5后，制得釕配合物溶液；（2）ITO導(dǎo)電玻璃的清洗：將ITO導(dǎo)電玻璃置于加有洗滌劑的水溶液中，超聲清洗后用超純水清洗，用惰性氣體吹干；（3）ITO導(dǎo)電玻璃表面的親水處理：在燒杯中配制RCA溶液，將經(jīng)步驟（2）處理的ITO導(dǎo)電玻璃基片浸沒于RCA溶液中，輕微震蕩除去氣泡后移至水浴鍋內(nèi)，水浴加熱后取出ITO導(dǎo)電玻璃基片用超純水洗凈，用惰性氣體吹干；（4）ITO基片上釕配合物制備單分子膜的組裝：將經(jīng)步驟（3）表面親水處理后的ITO導(dǎo)電玻璃基片浸沒于步驟（1）配置得到的釕配合物溶液中，輕微震蕩除去氣泡，在室溫下浸漬3~6h后取出ITO基片用超純水洗凈后用惰性氣體吹干即在ITO基片上自組裝釕配合物制備單分子膜，該單分子膜能作為陽(yáng)極使用。所述步驟（1）配置得到的釕配合物溶液的濃度為50μM。μM代表μmol/L。所述步驟（2）中超聲清洗時(shí)間為20min~60min。所述步驟（3）中的RCA溶液為NH3、H2O2和超純水按1:1:5的比例混合的溶液。所述步驟（3）中水浴加熱溫度為90℃，加熱時(shí)間為0.5~2h。上述步驟（2）中洗滌劑現(xiàn)實(shí)生活中日?？梢姷南礈靹１景l(fā)明的有益效果是：1、該對(duì)稱性釕配合物分子中的羥基與ITO表面通過共價(jià)鍵的作用，將釕配合物分子的親水基固定在ITO表面，從而實(shí)現(xiàn)在ITO表面自組裝對(duì)稱性釕配合物單分子膜，分子膜與ITO基底結(jié)合牢固。2、本發(fā)明中使用的對(duì)稱釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2在多種溶劑中有較好的溶解度，有利于配合物與基片活性部分快速、有效地反應(yīng)，從而提高自組裝的效率和自組裝膜的質(zhì)量。3、本發(fā)明的制備方法獲得了配合物在電極上穩(wěn)固的組裝層，將具有光、電性質(zhì)的釕配合物分子自組裝ITO導(dǎo)電玻璃上，形成具有光、電功能的自組裝分子薄膜，自組裝層在基底上分布均勻，并且具有良好的電化學(xué)活性及光物理性質(zhì)。經(jīng)修飾后的ITO電極為陽(yáng)極，具有優(yōu)良的光、電化學(xué)性能，可用于染料敏化太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。4、本發(fā)明在室溫下使用簡(jiǎn)單容器即可操作，無(wú)需復(fù)雜的儀器設(shè)備和特殊條件，整個(gè)自組裝成膜過程工藝易于控制，操作簡(jiǎn)單，制備成本低，原料易得，成膜物不受基底大小和形狀的限制，制備的薄膜具有良好的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性，薄膜的厚度和結(jié)構(gòu)可控，且成膜重復(fù)性好。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的伏安圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例1制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的掃描速度與電流關(guān)系圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例2制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的伏安圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例2制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的掃描速度與電流關(guān)系圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例3制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的伏安圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例3制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜組裝后的ITO基片的掃描速度與電流關(guān)系圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1該在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法，其具體步驟如下：（1）釕配合物溶液的配制：在干凈的燒杯中加入10ml超純水，用氨水調(diào)制PH至10，稱取2.29mg釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2溶解于溶液中，用HCl調(diào)節(jié)PH至5后，加入超純水至20ml，即得50uM的釕配合物溶液。（2）ITO導(dǎo)電玻璃的清洗：將ITO導(dǎo)電玻璃置于加有洗滌劑的水溶液中，超聲清洗20min后，用超純水清洗ITO，用氮?dú)獯蹈伞＃?）ITO導(dǎo)電玻璃表面的親水處理：將NH3、H2O2和超純水按1:1:5的比例混合配制RCA溶液，將經(jīng)步驟（2）處理的ITO基片浸沒于RCA溶液中正面朝外，輕微震蕩出去氣泡后移至已盛有熱水的水浴鍋內(nèi)，在90℃加熱0.5h后取出ITO基片用超純水洗凈，用氮?dú)獯蹈?。?）ITO基片上釕配合物制備單分子膜的組裝：將經(jīng)步驟（3）表面親水處理后的ITO基片浸沒于步驟（1）配置得到的釕配合物溶液中正面朝外，輕微震蕩除去氣泡，在室溫下浸漬3h后取出ITO基片用超純水清洗干凈后氮?dú)獯蹈杉丛贗TO基片上自組裝釕配合物制備單分子膜，該單分子膜能作為陽(yáng)極使用。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的表面接觸角測(cè)試：清洗后的ITO基片表面的接觸角為86.1°，說(shuō)明潔凈ITO表面為疏水性；表面親水處理后的ITO基片表面的接觸角為66.5°，證明了本發(fā)明的親水處理方法提高了ITO表面的親水性；組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片的表面接觸角為55.4°，表面親水性升高，這是因?yàn)獒懪浜衔锓肿又袃啥藢?duì)稱的親水基，一端固定到ITO界面，將另一端親水基暴露在表面，使組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片表面呈現(xiàn)出親水性，同時(shí)，接觸角的改變也證明了ITO上已成功組裝上對(duì)稱性釕配合物單分子膜。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的電化學(xué)性能測(cè)試：經(jīng)修飾后的ITO基片為陽(yáng)極，采用循環(huán)伏安法判定對(duì)修飾后的ITO基片進(jìn)行循環(huán)伏安的測(cè)試。實(shí)驗(yàn)所用儀器為美國(guó)BAS公司生產(chǎn)的AL660-C電化學(xué)分析儀，參數(shù)設(shè)置如下：初始電位為0V；高電位為1.2V；低電位為0V；初期掃描為Poaitive；掃描次數(shù)為6次；等待時(shí)間為3～5s；靈敏度選擇為10μA；濾波參數(shù)為50Hz；放大倍數(shù)1；掃描速度(單位為V/s)根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要分別設(shè)定為:0.1,0.2,0.3,0.4,0.5。測(cè)定過程中以0.1MTBAPF6溶液（溶劑為無(wú)水MeCN）作為電解質(zhì)，使用前在真空下干燥3h，修飾后的ITO基片作為工作電極，Ag/AgNO3作為參照電極，Pt線作為對(duì)比電極。實(shí)驗(yàn)前先通入20分鐘氮?dú)馊コ芤褐械难?，測(cè)定的數(shù)據(jù)進(jìn)行電位補(bǔ)正。得到修飾后的ITO基片的伏安圖如圖1所示。從圖2中可看出電流值隨掃描速度的增加而增加，陽(yáng)極電流ipa與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipa=6.575×10-6V，陰極電流ipb與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipb=-7.056×10-6V，無(wú)論是陽(yáng)極電流還是陰極電流均滿足ip∝V關(guān)系，證明釕配合物分子已成功組裝到ITO基片上。ITO基片上的電荷量和被覆量分別按式（1）和（2）進(jìn)行計(jì)算。（1）其中，Q：電荷量，C；A：峰面積，dots；B：被選定區(qū)域B的面積，dots；IB：B的電流，A；PB：B的電壓，V；V：掃描速度，V/s。（2）其中，Г：被覆量，mol/cm2；Q：電荷量，C；F：Faraday常數(shù)，96485C/mol；n：電子數(shù)；A：接觸面積，0.26cm2。根據(jù)式（1）和（2）計(jì)算得到經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基板上的電荷量是1.478×106C，被覆量是2.946×10-11mol/cm2。實(shí)施例2該在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法，其具體步驟如下：（1）釕配合物溶液的配制：在干凈的燒杯中加入10ml超純水，用氨水調(diào)制PH至10，稱取2.29mg釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2溶解于溶液中，用HCl調(diào)節(jié)PH至5后，加入超純水至20ml，即得50uM的釕配合物溶液。（2）ITO導(dǎo)電玻璃的清洗：將ITO導(dǎo)電玻璃置于加有洗滌劑的水溶液中，超聲清洗40min后，用超純水清洗ITO，用氮?dú)獯蹈伞＃?）ITO導(dǎo)電玻璃表面的親水處理：將NH3、H2O2和超純水按1:1:5的比例混合配制RCA溶液，將經(jīng)步驟（2）處理的ITO基片浸沒于RCA溶液中正面朝外，輕微震蕩出去氣泡后移至已盛有熱水的水浴鍋內(nèi)，在90℃加熱1h后取出ITO基片用超純水洗凈，用氮?dú)獯蹈?。?）ITO基片上釕配合物制備單分子膜的組裝：將已經(jīng)表面親水處理后的ITO基片浸沒于釕配合物溶液中正面朝外，輕微震蕩除去氣泡，在室溫下浸漬4.5h后取出ITO基片用超純水清洗干凈后氮?dú)獯蹈?，即在ITO基片上自組裝釕配合物制備單分子膜，該單分子膜能作為陽(yáng)極使用。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的表面接觸角測(cè)試：清洗后的ITO基片表面的接觸角為86.0°，說(shuō)明潔凈ITO表面為疏水性；表面親水處理后的ITO基片表面的接觸角為66.1°，證明了本發(fā)明的親水處理方法提高了ITO表面的親水性；組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片的表面接觸角為55.0°，表面親水性升高，這是因?yàn)獒懪浜衔锓肿又袃啥藢?duì)稱的親水基，一端固定到ITO界面，將另一端親水基暴露在表面，使組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片表面呈現(xiàn)出親水性，同時(shí)，接觸角的改變也證明了ITO上已成功組裝上對(duì)稱性釕配合物單分子膜。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的電化學(xué)性能測(cè)試：經(jīng)修飾后的ITO基片為陽(yáng)極，采用循環(huán)伏安法判定對(duì)修飾后的ITO基片進(jìn)行循環(huán)伏安的測(cè)試。實(shí)驗(yàn)所用儀器為美國(guó)BAS公司生產(chǎn)的AL660-C電化學(xué)分析儀，參數(shù)設(shè)置如下：初始電位為0V；高電位為1.2V；低電位為0V；初期掃描為Poaitive；掃描次數(shù)為6次；等待時(shí)間為3～5s；靈敏度選擇為10μA；濾波參數(shù)為50Hz；放大倍數(shù)1；掃描速度(單位為V/s)根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要分別設(shè)定為:0.1,0.2,0.3,0.4,0.5。測(cè)定過程中以0.1MTBAPF6溶液（溶劑為無(wú)水MeCN）作為電解質(zhì)，使用前在真空下干燥3h，修飾后的ITO基片作為工作電極，Ag/AgNO3作為參照電極，Pt線作為對(duì)比電極。實(shí)驗(yàn)前先通入20分鐘氮?dú)馊コ芤褐械难?，測(cè)定的數(shù)據(jù)進(jìn)行電位補(bǔ)正。得到修飾后的ITO基片的伏安圖如圖3所示。從圖4中可看出電流值隨掃描速度的增加而增加，陽(yáng)極電流ipa與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipa=6.543×10-6V，陰極電流ipb與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipb=-7.605×10-6V，無(wú)論是陽(yáng)極電流還是陰極電流均滿足ip∝V關(guān)系，證明釕配合物分子已成功組裝到ITO基片上。根據(jù)式（1）和（2）計(jì)算得到經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基板上的電荷量是1.476×106C，被覆量是2.942×10-11mol/cm2。實(shí)施例3該在ITO導(dǎo)電玻璃上自組裝對(duì)稱性釕配合物制備單分子膜的方法，其具體步驟如下：（1）釕配合物溶液的配制：在干凈的燒杯中加入10ml超純水，用氨水調(diào)制PH至10，稱取2.29mg釕配合物[Ru(XPOH)2](PF6)2溶解于溶液中，用HCl調(diào)節(jié)PH至5后，加入超純水至20ml，即得50uM的釕配合物溶液。（2）ITO導(dǎo)電玻璃的清洗：將ITO導(dǎo)電玻璃置于加有洗滌劑的水溶液中，超聲清洗60min后，用超純水清洗ITO，氮?dú)獯蹈?。?）ITO導(dǎo)電玻璃表面的親水處理：將NH3、H2O2和超純水按1:1:5的比例混合配制RCA溶液，將經(jīng)步驟（2）處理的ITO基片浸沒于RCA溶液中正面朝外，輕微震蕩出去氣泡后移至已盛有熱水的水浴鍋內(nèi)，在90℃加熱2h后取出ITO基片用超純水洗凈，氮?dú)獯蹈伞＃?）ITO基片上釕配合物制備單分子膜的組裝：將經(jīng)步驟（3）表面親水處理后的ITO基片浸沒于步驟（1）配置得到的釕配合物溶液中正面朝外，輕微震蕩除去氣泡，在室溫下浸漬6h后取出ITO基片用超純水清洗干凈后氮?dú)獯蹈杉丛贗TO基片上自組裝釕配合物制備單分子膜，該單分子膜能作為陽(yáng)極使用。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)對(duì)稱性釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的表面接觸角測(cè)試：清洗后的ITO基片表面的接觸角為86.3°，說(shuō)明潔凈ITO表面為疏水性；表面親水處理后的ITO基片表面的接觸角為66.7°，證明了本發(fā)明的親水處理方法提高了ITO表面的親水性；組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片的表面接觸角為55.5°，表面親水性升高，這是因?yàn)獒懪浜衔锓肿又袃啥藢?duì)稱的親水基，一端固定到ITO界面，將另一端親水基暴露在表面，使組裝釕配合物單分子膜后的ITO基片表面呈現(xiàn)出親水性，同時(shí)，接觸角的改變也證明了ITO上已成功組裝上對(duì)稱性釕配合物單分子膜。本實(shí)施例制備得到的經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基片的電化學(xué)性能測(cè)試：經(jīng)修飾后的ITO基片為陽(yáng)極，采用循環(huán)伏安法判定對(duì)修飾后的ITO基片進(jìn)行循環(huán)伏安的測(cè)試。實(shí)驗(yàn)所用儀器為美國(guó)BAS公司生產(chǎn)的AL660-C電化學(xué)分析儀，參數(shù)設(shè)置如下：初始電位為0V；高電位為1.2V；低電位為0V；初期掃描為Poaitive；掃描次數(shù)為6次；等待時(shí)間為3～5s；靈敏度選擇為10μA；濾波參數(shù)為50Hz；放大倍數(shù)1；掃描速度(單位為V/s)根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要分別設(shè)定為:0.1,0.2,0.3,0.4,0.5。測(cè)定過程中以0.1MTBAPF6溶液（溶劑為無(wú)水MeCN）作為電解質(zhì)，使用前在真空下干燥3h，修飾后的ITO基片作為工作電極，Ag/AgNO3作為參照電極，Pt線作為對(duì)比電極。實(shí)驗(yàn)前先通入20分鐘氮?dú)馊コ芤褐械难?，測(cè)定的數(shù)據(jù)進(jìn)行電位補(bǔ)正。得到修飾后的ITO基片的伏安圖如圖5所示。從圖6中可看出電流值隨掃描速度的增加而增加，陽(yáng)極電流ipa與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipa=6.592×10-6V，陰極電流ipb與掃描速度V的函數(shù)關(guān)系為ipb=-7.412×10-6V，無(wú)論是陽(yáng)極電流還是陰極電流均滿足ip∝V關(guān)系，證明釕配合物分子已成功組裝到ITO基片上。根據(jù)式（1）和（2）計(jì)算得到經(jīng)釕配合物單分子膜修飾后的ITO基板上的電荷量是1.481×106C，被覆量是2.951×10-11mol/cm2。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。