專利名稱：金屬硅提純用可拆裝坩堝的制作方法
技術領域：
本實用新型是一種可拆裝的坩堝，主要用于金屬硅的提純。是金屬硅提純爐內的核心部件，是冶金法提純多晶硅的主要設備。
背景技術：
在采用冶金法提純多晶硅的生產過程中，經常使用高溫材料制作坩堝，由于材料很昂貴，制造坩堝的成本相對比較高。在生產過程中金屬硅在結晶時會發(fā)生體積膨脹，其結果就會使坩堝破裂損壞，從而大大的增加了高純度金屬硅的生產成本，將會給生產帶來諸多不便。本技術所述坩堝里使用耐火材料拼裝組合的可拆裝坩堝，允許在使用過程中金屬硅膨脹導致坩堝破裂，可將破裂的坩堝組件拆下來重新組合成新的坩堝，從而節(jié)省了大量 的坩堝原料，使得多晶硅的生產成本大大的降低。
發(fā)明內容本實用新型要解決的技術問題是針對成本高的問題，提出了一種設計合理、節(jié)約成本的金屬硅提純爐的坩堝，它主要由外層瓦磚、減壓層、內層瓦磚、內襯等組成，其主要特征是由最外層的瓦磚，緊接著是減壓層，然后是內層瓦磚，再里面是內襯的4層組合而成。本實用新型所述坩堝共有襯內外四層組成，其內層為耐熱層，由高強度、耐高溫材料制成，帶有止口的瓦磚構成，在耐高溫瓦磚內側有用氮化硅材料涂抹的襯層，用以保護材料的純度，在高溫瓦磚的外側是由石英砂和空心球混合物組成的減壓層，用以消解由于硅材料膨脹產生的壓力，最外層里用空心球材料制成的輕質瓦磚形成的保護層，其作用是阻擋住石英砂和空心球流出和對坩堝進行保溫。

圖I為本實用新型的結構簡圖。圖2為本實用新型瓦磚的結構示意圖。圖中I.外層瓦磚2.減壓層3.內層瓦磚4.內襯5.瓦磚的結構具體實施方式
如圖所示本實用新型所述坩堝共有襯內外四層組成，其內層為耐熱層，由高強度、耐高溫材料制成，帶有止口的瓦磚構成，在耐高溫瓦磚內側有用氮化硅材料涂抹的襯層，在高溫瓦磚的外側是由石英砂和空心球混合物組成的減壓層，最外層里用空心球材料制成的輕質瓦磚形成的保護層。
權利要求1.一種金屬硅提純用可拆裝坩堝，由外層瓦磚、減壓層、內層瓦磚、內襯等組成；其特征是主要是由最外層的瓦磚，緊接著是減壓層，然后是內層瓦磚，再里面是內襯的4層組合而成。
2.根據權利要求I所述的金屬硅提純可拆裝坩堝，其特征在于外層瓦磚帶有止口瓦磚。
3.根據權利要求I所述的金屬硅提純可拆裝坩堝，其特征在于石英砂和空心球混合作為減壓層。
專利摘要本實用新型屬于多晶硅提純備技術領域，特別是以中金屬硅提純用可拆裝坩堝，所述坩堝共有襯內外四層組成，其內層為耐熱層，由高強度、耐高溫材料制成，帶有止口的瓦磚構成，在耐高溫瓦磚內側有用氮化硅材料涂抹的襯層，用以保護材料的純度，在高溫瓦磚的外側是由石英砂和空心球混合物組成的減壓層，用以消解由于硅材料膨脹產生的壓力，最外層里用空心球材料制成的輕質瓦磚形成的保護層，其作用是阻擋住石英砂和空心球流出和對坩堝進行保溫。
文檔編號C01B33/037GK202558644SQ20122007960
公開日2012年11月28日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權日2012年3月6日
發(fā)明者朱春玲, 張忠義 申請人:朱春玲, 青海大盛硅業(yè)有限公司