專(zhuān)利名稱(chēng)：一種二氯二氫硅除雜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種二氯二氫硅除雜方法。
背景技術(shù)：
多晶硅是集成電路和光伏發(fā)電用關(guān)鍵原材料，是《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》制造業(yè)領(lǐng)域基礎(chǔ)原材料優(yōu)先主題的重要內(nèi)容。世界多晶硅生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)主要有兩種工藝，即改良西門(mén)子工藝和硅烷法工藝。 改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生部分的二氯二氫硅。這種物質(zhì)存在易燃、易爆、沸點(diǎn)低的特點(diǎn)，如果不得到有效的回收利用，則會(huì)進(jìn)入多晶硅尾氣系統(tǒng)，造成尾氣負(fù)荷大，安全事故頻發(fā)的問(wèn)題。針對(duì)二氯二氫硅的性質(zhì)，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)外已經(jīng)有部分廠家采用歧化技術(shù)將二氯二氫硅轉(zhuǎn)化為三氯氫硅，重新返回多晶硅系統(tǒng)利用。這在一定程度上緩解了二氯二氫硅帶來(lái)的負(fù)面影響。隨著對(duì)改良西門(mén)子工藝的進(jìn)一步研究，發(fā)現(xiàn)質(zhì)量高純的二氯二氫硅能夠與三氯氫硅混合后，直接送入還原爐生長(zhǎng)多晶硅，且能夠極大提高多晶硅的生長(zhǎng)速率，降低多晶硅還原電耗。針對(duì)這一發(fā)現(xiàn)，有部分廠家在積極開(kāi)展二氯二氫硅還原的技術(shù)研究，但在研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，二氯二氫硅屬于低沸物，含有大量的B、P等雜質(zhì)，導(dǎo)致二氯二氫硅產(chǎn)品質(zhì)量難以保證，導(dǎo)致多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量出現(xiàn)很大滑坡。為了解決二氯二氫硅產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題，國(guó)內(nèi)已經(jīng)開(kāi)展了一些研究工作，主要都是通過(guò)改變二氯二氫硅提純形式，想達(dá)到提升產(chǎn)品質(zhì)量的目的。而實(shí)際取得的效果如下I、采用篩板塔提純二氯二氫硅。這種屬于傳統(tǒng)的精餾技術(shù)，其效率低下，耗能高，
廣品質(zhì)量差。2、采用提純塔提純二氯二氫硅。提純塔近年來(lái)在三氯氫硅提純領(lǐng)域已經(jīng)取得很大成效，于是就有研究人員將這種技術(shù)應(yīng)用于二氯二氫硅提純，從提純效果來(lái)看，能耗較篩板塔有很大優(yōu)化，但提純產(chǎn)品的B、P、金屬雜質(zhì)含量仍然很高，無(wú)法達(dá)到生產(chǎn)高純多晶硅所需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問(wèn)題之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種除雜效果好、效率高、能耗低且產(chǎn)品質(zhì)量好
的二氯二氫硅除雜方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法，包括以下步驟a)對(duì)待除雜的液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)金屬絲網(wǎng)填料進(jìn)行粗提純，得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物；和b)通過(guò)吸附劑吸附除去所述氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯
二氫硅。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法，首先通過(guò)粗提純的方法將沸點(diǎn)較低的二氯二氫硅汽化分離出來(lái)，再通過(guò)吸附劑除去氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅，該方法操作簡(jiǎn)單，所用設(shè)備投資少，能耗低，且得到產(chǎn)物二氯二氫硅純度較高，產(chǎn)品質(zhì)量好，可以帶來(lái)一定經(jīng)濟(jì)效益。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟a)具體包括將所述液態(tài)二氯二氫硅送入提純塔內(nèi)的填料提純區(qū)進(jìn)行粗提純，其中，所述填料提純區(qū)內(nèi)設(shè)置有金屬絲網(wǎng)填料。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟b)包括b_l)使所述氣態(tài)的二氯二氫硅通過(guò)提純塔內(nèi)的吸附區(qū)進(jìn)行精提純以除去所述二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅；和b-2)使所述高純二氯二氫硅冷凝，得到液態(tài)高純二氯二氫硅。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟b)還包括b_3)將所述液態(tài)高純二氯二氫硅的一部分作為產(chǎn)品采出，另一部分作為回流液回流至所述提純塔的填料提純區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述高沸物為富含雜質(zhì)的液相氯硅烷。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括以下步驟c)將所述液相氯硅烷加熱成氣相氯硅烷并與塔頂回流液進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還包括以下步驟d)對(duì)所述液態(tài)的氯硅烷的一部分進(jìn)行冷卻后作為高沸物采出。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述金屬絲網(wǎng)填料為波紋板金屬絲網(wǎng)填料。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述吸附劑為活性炭吸附劑。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法流程示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法中所用除雜設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過(guò)它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。首先，參考圖I描述根據(jù)本發(fā)明的二氯二氫硅除雜方法的流程。具體地，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法包括以下步驟a)對(duì)待除雜的液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)金屬絲網(wǎng)填料進(jìn)行粗提純，得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物；和b)通過(guò)吸附劑吸附除去所述氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純
二氯二氫硅。由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法，首先通過(guò)粗提純的方法將沸點(diǎn)較低的二氯二氫硅汽化分離出來(lái)，再通過(guò)吸附劑除去氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅，該方法操作簡(jiǎn)單，所用設(shè)備投資少，能耗低，且得到產(chǎn)物二氯二氫硅純度較高，產(chǎn)品質(zhì)量好，可以帶來(lái)一定經(jīng)濟(jì)效益。其中，所述步驟a)具體可以包括將所述液態(tài)二氯二氫硅送入提純塔內(nèi)的填料提純區(qū)進(jìn)行粗提純，其中，所述填料提純區(qū)內(nèi)設(shè)置有金屬絲網(wǎng)填料。將液態(tài)的二氯二氫硅送入提純塔內(nèi)的填料提純區(qū)進(jìn)行粗提純，可得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物。關(guān)于粗提純，可以采用在所述填料提純區(qū)內(nèi)設(shè)置金屬絲網(wǎng)填料的方法，將液態(tài)的二氯二氫硅通入填料提純區(qū)，在金屬絲網(wǎng)填料的提純下得到并分離出氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物。為了進(jìn)一步提高粗提純的效果，所述金屬絲網(wǎng)填料可以為波紋板金屬絲網(wǎng)填料，該填料可以有效去除二氯二氫硅中的部分雜質(zhì)。關(guān)于步驟b)，需要理解的是，通過(guò)吸附劑吸附除去所述氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)的方法沒(méi)有特殊限制，例如可以將氣態(tài)的二氯二氫硅通過(guò)提純塔內(nèi)的吸附區(qū)進(jìn)行精提純以除去所述二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅。關(guān)于吸附區(qū)內(nèi)吸附劑的選擇，可以采用能夠有效吸附硼、磷、以及金屬雜質(zhì)的吸附劑，優(yōu)選地，本發(fā)明采用特殊活性炭作為吸附區(qū)的吸附劑。 為了得到液態(tài)高純二氯二氫硅，可以將所述高純氣相二氯二氫硅進(jìn)行冷凝。關(guān)于冷凝的方法及裝置沒(méi)有特殊限制，例如可以采用冷凝器將其冷凝。關(guān)于冷凝得到的液態(tài)高純二氯二氫硅，可以將其一部分作為產(chǎn)品采出，另一部分作為回流液回流至所述提純塔，回流至提純塔的回流液流量可以適當(dāng)調(diào)整，從而增大氣液交換效率，提高整體運(yùn)行效率。關(guān)于所述液態(tài)高沸物，需要理解的是，所述液態(tài)高沸物為富含雜質(zhì)的液相氯硅烷，所述液相氯硅烷主要為液態(tài)三氯氫硅，并含有少量的液態(tài)二氯二氫硅。將所述液相氯硅烷的至少一部分加熱成氣相氯硅烷并與塔頂回流液進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱。所述氣相氯硅烷主要包括氣相二氯二氫硅和三氯氫硅，將氣相二氯二氫硅和三氯氫硅送至所述提純塔內(nèi)以與所述填料提純區(qū)的液態(tài)二氯二氫硅進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱，可以增加氣液交換效率，提高整體運(yùn)行效率。為了充分利用除雜過(guò)程產(chǎn)生的富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物，降低對(duì)環(huán)境的污染，可以將所述液態(tài)高沸物進(jìn)行進(jìn)一步處理。其處理方法具體可以包括 優(yōu)選地，可以將所述液態(tài)氯硅烷的一部分進(jìn)行冷卻后作為高沸物采出。高沸物中主要為富含雜質(zhì)的液相三氯氫硅和二氯二氫硅的混合物。冷卻方法和設(shè)備也沒(méi)有特殊限制，例如可以將液態(tài)氯硅烷通入高沸物冷卻器得到低溫的富含雜質(zhì)的液相三氯氫硅和二氯二氫硅的混合物。低溫的液相三氯氫硅和二氯二氫硅的混合物可以進(jìn)入三氯氫硅提純塔中進(jìn)行二次提純，以得到高品質(zhì)的三氯氫硅，用于生產(chǎn)多晶硅。由此，可以對(duì)提純產(chǎn)生的富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物進(jìn)行充分利用，不僅減少了環(huán)境污染，還提高了整體運(yùn)行效率。下面結(jié)合圖2描述根據(jù)本發(fā)明的二氯二氫硅除雜方法中使用到的二氯二氫硅除雜設(shè)備。所述二氯二氫硅除雜設(shè)備包括提純塔10，提純塔10包括填料提純區(qū)20和吸附區(qū)30。填料提純區(qū)20設(shè)有將待除雜的液相二氯二氫硅輸送進(jìn)提純塔10內(nèi)的進(jìn)料口 21，填料提純區(qū)20對(duì)由進(jìn)料口 21提供的液相二氯二氫硅進(jìn)行粗提純，得到氣相二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物。吸附區(qū)30設(shè)在填料提純區(qū)20上方且吸附區(qū)30內(nèi)配置有吸附劑，以對(duì)所述氣相二氯二氫硅進(jìn)行精提純來(lái)除去其中的雜質(zhì)。其中，填料提純區(qū)20的下方設(shè)有進(jìn)氣口 22，通過(guò)進(jìn)氣口 22向提純塔10內(nèi)提供氣相的二氯二氫硅，吸附區(qū)30的上方設(shè)有出氣口 31，以將經(jīng)精提純的氣相二氯二氫硅排出提純塔10。由此，通過(guò)所述二氯二氫硅除雜設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)二氯二氫硅的除雜，得到高純二氯二氫硅，該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，投資少，能耗低，且得到產(chǎn)物二氯二氫硅純度較高，產(chǎn)品質(zhì)量好，適合推廣使用。 在一個(gè)示例中，提純塔10還具有排液口 11，排液口 11設(shè)在提純塔10的底部以將粗提純所產(chǎn)生的液態(tài)高沸物排出提純塔10。在一個(gè)示例中，所述除雜設(shè)備還包括再沸器60，再沸器60與排液口 11相連以將提純塔10排出高沸物，同時(shí)將其中的液態(tài)氯硅烷轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗦裙柰?。氣相氯硅烷可以送至提純?0與填料提純區(qū)20的液態(tài)二氯二氫硅進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱，以增加氣液交換效率，提高整體運(yùn)行效率。為了將高沸物中液相氯硅烷冷卻為容易儲(chǔ)存的富含雜質(zhì)的液相三氯氫硅和二氯二氫硅的混合物，在一個(gè)示例中，優(yōu)選地，所述除雜設(shè)備還包括高沸物冷卻器50，高沸物冷卻器50與排液口 11相連以將其中的高溫三氯氫硅冷卻為容易儲(chǔ)存的低溫三氯氫硅。在一個(gè)示例中，所述除雜設(shè)備還包括冷凝器70，冷凝器70可以將所述高純二氯二氫硅進(jìn)行冷凝。由此，冷凝得到的液態(tài)高純二氯二氫硅，可以將其一部分作為產(chǎn)品采出，另一部分作為回流液回流至提純塔10，回流至提純塔10的回流液流量可以適當(dāng)調(diào)整，從而增大氣液交換效率，提高整體運(yùn)行效率。在一個(gè)示例中，填料提純區(qū)20填充有金屬絲網(wǎng)填料。由此，所述金屬絲網(wǎng)填料可以為波紋板金屬絲網(wǎng)填料，該填料提純塔可以有效去除部分雜質(zhì)，雜質(zhì)進(jìn)入高沸物中排出。在一個(gè)示例中，所述吸附劑為活性炭吸附劑。由此，可以有效吸附二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到純度較高的二氯二氫硅。 下面結(jié)合具體實(shí)施例和實(shí)驗(yàn)例描述根據(jù)本發(fā)明的二氯二氫硅除雜方法。實(shí)施例I所述二氯二氫硅除雜所用設(shè)備如圖2所示，所述二氯二氫硅除雜設(shè)備包括提純塔10，提純塔10包括填料提純區(qū)20、吸附區(qū)30、高沸物冷卻器50、再沸器60和冷凝器70。填料提純區(qū)20設(shè)有將待除雜的液相二氯二氫硅輸送進(jìn)提純塔10內(nèi)的進(jìn)料口 21，吸附區(qū)30設(shè)在填料提純區(qū)20上方且吸附區(qū)30內(nèi)配置有吸附劑，填料提純區(qū)20的下方設(shè)有進(jìn)氣口 22，再沸器60將液相氯硅烷轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗦裙柰?，通過(guò)進(jìn)氣口 22進(jìn)入提純塔10內(nèi)，吸附區(qū)30的上方設(shè)有出氣口 31。所述除雜設(shè)備還包括高沸物冷卻器50，高沸物冷卻器50與排液口 11相連以將其中的液相氯硅烷冷卻為容易儲(chǔ)存的低溫富含雜質(zhì)的液相三氯氫硅和二氯二氫硅的混合物。采用如圖2所示的二氯二氫硅除雜設(shè)備進(jìn)行除雜，液態(tài)二氯二氫硅送入提純塔10內(nèi)的填料提純區(qū)20進(jìn)行粗提純，填料提純區(qū)20內(nèi)設(shè)置有金屬絲網(wǎng)填料提純，得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液相高沸物。將氣態(tài)的二氯二氫硅通過(guò)提純塔10內(nèi)的吸附區(qū)30進(jìn)行精提純以除去二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅；將高純二氯二氫硅經(jīng)冷凝器70冷凝，得到液態(tài)高純二氯二氫硅，并將液態(tài)高純二氯二氫硅的一部分作為產(chǎn)品采出，另一部分作為回流液回流至提純塔10。將液相氯硅烷的至少一部分加熱成氣相氯硅烷并回流至提純塔10以便與填料提純區(qū)20的液態(tài)二氯二氫硅進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱；液相氯硅烷的另一部分可以進(jìn)行冷卻后作為高沸物采出。由此，可以實(shí)現(xiàn)二氯二氫硅的除雜提純。實(shí)驗(yàn)例I采用實(shí)施例I所述方法及設(shè)備將樣品I、樣品2和樣品3進(jìn)行除雜提純，提純結(jié)果見(jiàn)表I、表2、表3所不。表I樣品I提純?nèi)绾箅s質(zhì)變化表
權(quán)利要求
1.一種二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，包括以下步驟 a)對(duì)待除雜的液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)金屬絲網(wǎng)填料進(jìn)行粗提純，得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物；和 b)通過(guò)吸附劑吸附除去所述氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述步驟a)包括將所述液態(tài)二氯二氫硅送入提純塔內(nèi)的填料提純區(qū)進(jìn)行粗提純，其中，所述填料提純區(qū)內(nèi)設(shè)置有金屬絲網(wǎng)填料。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述步驟b)包括 b-Ι)使所述氣態(tài)的二氯二氫硅通過(guò)提純塔內(nèi)的吸附區(qū)進(jìn)行精提純以除去所述二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅；和 b-2)使所述高純二氯二氫硅冷凝，得到液態(tài)高純二氯二氫硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述步驟b)還包括 b-3)將所述液態(tài)高純二氯二氫硅的一部分作為產(chǎn)品采出，另一部分作為回流液回流至所述提純塔的填料提純區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述高沸物為富含雜質(zhì)的液相氯硅烷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，還包括以下步驟 c)將所述液相氯硅烷的至少一部分加熱成氣相氯硅烷并與塔頂回流液進(jìn)行傳質(zhì)、傳熱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，還包括以下步驟 d)對(duì)所述液態(tài)的氯硅烷的一部分進(jìn)行冷卻后作為高沸物采出。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述金屬絲網(wǎng)填料為波紋板金屬絲網(wǎng)填料。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的二氯二氫硅除雜方法，其特征在于，所述吸附劑為活性炭吸附劑。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種二氯二氫硅除雜方法，包括以下步驟a)對(duì)待除雜的液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)金屬絲網(wǎng)填料進(jìn)行粗提純，得到氣態(tài)二氯二氫硅和富含雜質(zhì)的液態(tài)高沸物；和b)通過(guò)吸附劑吸附除去所述氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二氯二氫硅除雜方法，首先通過(guò)粗提純的方法將沸點(diǎn)較低的二氯二氫硅汽化分離出來(lái)，再通過(guò)吸附劑除去氣態(tài)二氯二氫硅中的硼、磷、以及金屬雜質(zhì)，得到高純二氯二氫硅，該方法操作簡(jiǎn)單，所用設(shè)備投資少，能耗低，且得到產(chǎn)物二氯二氫硅純度較高，產(chǎn)品質(zhì)量好，可以帶來(lái)一定經(jīng)濟(jì)效益。
文檔編號(hào)C01B33/107GK102701216SQ201210209360
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月19日
發(fā)明者萬(wàn)燁, 嚴(yán)大洲, 毋克力, 湯傳斌, 肖榮輝 申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司