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節(jié)能型多晶硅還原爐的制作方法

文檔序號:3468917閱讀:172來源:國知局
專利名稱:節(jié)能型多晶硅還原爐的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種多晶硅還原爐,主要是用三氯氫硅和氫氣在加熱的硅芯上 進行化學氣相沉積生產(chǎn)多晶硅的還原爐。
背景技術
目前,國內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術是"改良西門子法"用氯氣和氫 氣合成氯化氫,氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅,然后對三氯氫硅進 行分離精餾提純,提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后,在一定的溫度 和壓力下通入多晶硅還原爐內(nèi),在通電高溫硅芯上進行沉積反應生成多晶硅, 反應溫度控制在1080攝氏度左右,最終生成棒狀多晶硅產(chǎn)品,同時生成四氯化 硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。
多晶硅還原爐是"改良西門子法"生產(chǎn)多晶硅的主要設備,由底盤、含夾 套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣 管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水 出水管及其他附屬部件組成,爐體主體采用不銹鋼材質(zhì),以減少設備材質(zhì)對產(chǎn) 品的污染。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種節(jié)能型多晶硅還原爐,主要通過在還原爐底盤上設置十三對 電極來降低能量消耗,提高單臺還原爐產(chǎn)品產(chǎn)量。
節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、 視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水 出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成,爐體主體采用不銹鋼材質(zhì),以減少設備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染,每對電極分正、負極均勻 的設置在底盤上,混和氣進氣管分為數(shù)個噴口設置在底盤上,其特征是在還原
爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極,外周布置8對電極,內(nèi)周布置5對電 極。
該種設計使還原爐內(nèi)部結構緊湊合理,內(nèi)外圈耗電功率接近,相比現(xiàn)有的 十二對電極的還原爐,生產(chǎn)多晶硅時在耗電相當?shù)那闆r下,每爐每次產(chǎn)量提高 約10%左右。


圖1為該節(jié)能型多晶硅還原爐主視圖 圖2為該節(jié)能型多晶硅還原爐底盤俯視圖具體實施方式
本發(fā)明涉及的節(jié)能型多晶硅還原爐主視圖如圖1所示,1為含夾套冷卻水 的鐘罩式雙層爐體,2為視鏡孔,3為底盤,4為底盤冷卻水進水管,5為底盤 冷卻水出水管,6為混和氣進氣管,7為進氣管噴口, 8為混和氣尾氣出氣管,9 為爐體冷卻水進水管,IO為爐體冷卻水出水管,ll為連接硅芯與電極的石墨夾 頭,12為電極,13為硅芯,14為夾套冷卻水導流板,進氣管噴口7噴出的三氯 氫硅和氫氣的混合氣在高溫通電硅芯13上進行化學氣相沉積反應,生成棒狀多 晶硅產(chǎn)品。
本發(fā)明涉及的節(jié)能型多晶硅還原爐底盤俯視圖如圖2所示,7為進氣管噴 口, 8為混和氣尾氣出氣管,12為電極,在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置 13對電極,外周布置8對電極,內(nèi)周布置5對電極。
權利要求1、節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成,爐體主體采用不銹鋼材質(zhì),以減少設備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染,每對電極分正、負極均勻的設置在底盤上,混和氣進氣管分為數(shù)個噴口設置在底盤上,其特征是在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極,外周布置8對電極,內(nèi)周布置5對電極。
專利摘要節(jié)能型多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成,爐體主體采用不銹鋼材質(zhì),以減少設備材質(zhì)對產(chǎn)品的污染,每對電極分正、負極均勻的設置在底盤上,混和氣進氣管分為數(shù)個噴口均勻設置在底盤上,其特征是在還原爐底盤上分兩個圓周均勻布置13對電極,外周布置8對電極,內(nèi)周布置5對電極,該種設計使還原爐內(nèi)部結構緊湊合理,內(nèi)外圈耗電功率接近,相比現(xiàn)有的十二對電極的還原爐,生產(chǎn)多晶硅時在耗電相當?shù)那闆r下,每爐每次產(chǎn)量提高約10%左右。
文檔編號C01B33/00GK201162066SQ20082000691
公開日2008年12月10日 申請日期2008年2月2日 優(yōu)先權日2008年2月2日
發(fā)明者鈞 嚴, 朱青松, 王存惠 申請人:江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司
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