一種lpcvd沉積裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于LPCVD沉積設備技術領域，特別涉及一種LPCVD沉積裝置
【背景技術】
[0002]近年來，隨著半導體產(chǎn)業(yè)及微電子技術的迅猛發(fā)展，半導體工藝特征尺寸的減小，對薄膜的均勻性要求及膜厚的誤差要求不斷提高，LPCVD技術不僅用于制備硅外延層，還廣泛用于各種無定形鈍化膜及多晶薄膜的沉積，是一種重要的薄膜淀積技術。從LPCVD沉積原理可知，參與反應的氣體，由于壓力差的作用，從爐管一端流向另一端，有一部分將被吸附在晶片表面上，借助溫度的作用，沉積反應將會發(fā)生。在傳統(tǒng)的LPCVD沉積裝置中，LPCVD載片舟只由兩根帶槽的圓棒組成，因此，晶圓片全部裸露在外，沉積薄膜厚度從反應氣體進入的方向到反應氣體排出的方向由厚到薄分布，難以保證沉積薄膜厚度的一致性。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種沉積薄膜厚度一致的LPCVD沉積裝置，以克服現(xiàn)有技術存在的不足。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案:
[0005]一種LPCVD沉積裝置，包括爐管、環(huán)繞設置在爐管外的電加熱絲以及設于爐管內(nèi)的載片舟、真空檢測儀、溫度傳感器，所述爐管一端具有進氣口，連接供氣裝置，另一端具有出氣口，連接真空泵；所述真空檢測儀、所述溫度傳感器、所述電加熱絲的供電裝置、所述供氣裝置以及所述真空泵均電連接控制器，其特征在于:所述載片舟由殼體以及設于殼體內(nèi)的的載片支架構成，所述殼體上均勻分布有通孔。
[0006]在本實用新型【具體實施方式】中，所述殼體為筒狀殼體，所述筒狀殼體的殼身和兩端的端蓋上均均勻分布有通孔。
[0007]所述通孔為圓孔，孔徑優(yōu)選5mm。
[0008]所述殼身的底部還具有支撐腳。所述支撐腳為一對長條型支撐腳。
[0009]所述載片支架由一對圓柱構成，所述一對圓柱上分布有對稱的凹槽。
[0010]所述凹槽寬度為1mm，所述凹槽間距為5mm。
[0011]所述殼體的材質(zhì)為石英或碳化硅。
[0012]為了保證殼身與兩端的端蓋的拼接，端蓋的內(nèi)徑與殼身的外徑相同。這樣可方便的將兩端的端蓋與殼身進行組合，并且兩端的端蓋通用，方便了操作。
[0013]本實用新型的LPCVD沉積裝置工作時，爐管內(nèi)的沉積氣體可從殼體兩端的端蓋和殼身上分布的圓孔均勻地進入載片舟，可使載片支架上晶圓片沉積膜片與片之間、一片上中間和周圍的沉積厚度一致。本實用新型的LPCVD沉積裝置在半導體體晶圓沉積生產(chǎn)中使用非常方便，保證了沉積膜的一致性。
【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進行詳細說明:
[0015]圖1為本實用新型的結(jié)構示意圖；
[0016]圖2為載片舟的立體結(jié)構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]如圖1所示，本實用新型的LPCVD沉積裝置，包括爐管10、電加熱絲30、載片舟20。
[0018]其中，電加熱絲30環(huán)繞設置在爐管10四周，對爐管均勻加熱。爐管10 —端具有進氣口 11，連接供氣裝置40 ;另一端具有出氣口 12連接真空泵50。載片舟20設置在爐管10中。在爐管10中內(nèi)部設置有真空檢測儀13和溫度傳感器15。電加熱絲30連接到供電裝置14上。
[0019]上述供氣裝置40、真空泵50、真空檢測儀13、供電裝置14以及溫度傳感器15均電連接到控制器16上?？刂破?6可以根據(jù)爐管10中的真空度和溫度控制通入爐管的進氣量和電加熱絲30的加熱溫度。
[0020]如圖2所示，載片舟20包括殼體100和載片支架200。其中，殼體100為筒狀殼體，材質(zhì)為石英或碳化硅，由殼身101和兩端的端蓋102組裝而成。殼身101和兩端的端蓋102上均均勻分布有圓孔103，圓孔103的孔徑為5mm。
[0021]為了保證殼身101與兩端的端蓋102的拼接，端蓋102的內(nèi)徑與殼身101的外徑相同。這樣可方便的將兩端的端蓋102與殼身101進行組合，并且兩端的端蓋通用，方便了操作。
[0022]載片支架200放置在殼體100內(nèi)，在打開端蓋時，可以從殼體200中去除載片支架200。
[0023]載片支架200由一對圓柱201構成，該一對圓柱201上分布有對稱的凹槽202。凹槽寬度為1mm，凹槽間距為5mm。
[0024]另外，在殼身101的底部還具有支撐腳300。該支撐腳300為一對長條型支撐腳。
[0025]以上就是本實用新型的LPCVD沉積裝置，該LPCVD沉積裝置用于LPCVD沉積工藝中，爐管內(nèi)沉積氣體可從載片舟殼體兩端的端蓋和殼身上分布的圓孔均勻地進入載片舟，可使載片支架上晶圓片沉積膜片與片之間、一片上中間和周圍的沉積厚度一致。本實用新型的LPCVD沉積裝置在半導體體晶圓沉積生產(chǎn)中使用非常方便，保證了沉積膜的一致性。
[0026]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例，并非對本實用新型作任何形式上的限制，任何所屬技術領域中具有通常知識者，若在不脫離本實用新型所提出的權利要求的保護范圍內(nèi)，利用本實用新型所揭示的技術內(nèi)容所作出的局部更動或修飾的等效實施例，并且未脫離本實用新型的技術特征內(nèi)容，均仍屬本實用新型技術特征的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種LPCVD沉積裝置，包括爐管、環(huán)繞設置在爐管外的電加熱絲以及設于爐管內(nèi)的載片舟、真空檢測儀、溫度傳感器，所述爐管一端具有進氣口，連接供氣裝置，另一端具有出氣口，連接真空泵；所述真空檢測儀、所述溫度傳感器、所述電加熱絲的供電裝置、所述供氣裝置以及所述真空泵均電連接控制器，其特征在于:所述載片舟由殼體以及設于殼體內(nèi)的的載片支架構成，所述殼體上均勻分布有通孔。
2.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述殼體為筒狀殼體，所述筒狀殼體的殼身和兩端的端蓋上均均勻分布有通孔。
3.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述通孔為圓孔，孔徑優(yōu)選5mm ο
4.根據(jù)權利要求2所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述殼身的底部還具有支撐腳。
5.根據(jù)權利要求4所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述支撐腳為一對長條型支撐腳。
6.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述載片支架由一對圓柱構成，所述一對圓柱上分布有對稱的凹槽。
7.根據(jù)權利要求6所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述凹槽寬度為1mm，所述凹槽間距為5mm。
8.根據(jù)權利要求2所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述端蓋的內(nèi)徑與所述殼身的外徑相同。
9.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD沉積裝置，其特征在于:所述殼體的材質(zhì)為石英或碳化娃。
【專利摘要】本實用新型公開一種LPCVD沉積裝置，包括爐管、環(huán)繞設置在爐管外的電加熱絲以及設于爐管內(nèi)的載片舟、真空檢測儀、溫度傳感器，所述爐管一端具有進氣口，連接供氣裝置，另一端具有出氣口，連接真空泵；所述真空檢測儀、所述溫度傳感器、所述電加熱絲的供電裝置、所述供氣裝置以及所述真空泵均電連接控制器，所述載片舟由殼體以及設于殼體內(nèi)的載片支架構成，所述殼體上均勻分布有通孔。本實用新型可使LPCVD反應腔中的氣體均勻的進入載片舟中，使得沉積薄膜厚度一致。
【IPC分類】C30B25-12, C23C16-44
【公開號】CN204325493
【申請?zhí)枴緾N201420836386
【發(fā)明人】丁波, 李軼, 陳瀚, 侯金松
【申請人】上海微世半導體有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2014年12月19日