透光基板的鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及磁控濺射領(lǐng)域，特別涉及一種透光基板的鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)代社會發(fā)展過程中，玻璃等透光基板因為具有良好的隔風(fēng)、透光和光反射等效果，在汽車制造業(yè)、建筑行業(yè)等領(lǐng)域中得到廣泛使用。
[0003]隨著社會的進步和科學(xué)的發(fā)展，人們對玻璃的要求越來越高，不僅對玻璃的透光均勻度、光反射性等性能提出了新的要求，還對提高玻璃的耐腐蝕度、玻璃的硬度以及摩擦系數(shù)等提出了要求。
[0004]為此，在現(xiàn)代玻璃制造工藝中，常常需要在玻璃表面通過鍍膜工藝形成一層金屬薄膜，以提高玻璃對于光反射、耐腐蝕度性等性能。
[0005]金屬鉻等金屬材料具有硬度高、摩擦系數(shù)小、對酸堿具有較好的耐磨性以及電阻率高等優(yōu)點，因此常用作玻璃的鍍膜層材料。
[0006]現(xiàn)有的鍍膜工藝主要包括凝膠鍍膜和在線鍍膜等化學(xué)鍍膜方式，以及磁控濺射鍍膜和真空蒸發(fā)鍍膜等物理鍍膜方式。其中，磁控濺射以濺射率高、基板溫升低、膜-基結(jié)合力好以及優(yōu)異的金屬鍍膜均勻性和可控性強等優(yōu)勢成為最常用的玻璃鍍膜方式。
[0007]磁控濺射工藝包括:利用帶電粒子轟擊靶材的濺射面，使靶材原子從靶材的濺射面逸出并均勻沉積在襯底上從而形成鍍膜。
[0008]然而，在采用現(xiàn)有的磁控濺射對透光基板進行鉻金屬等鍍膜后，透光基板容易出現(xiàn)漏光缺陷，參考圖1，采用現(xiàn)有工藝在玻璃10表面形成金屬鉻鍍膜層后，玻璃10在光線下有明顯的漏光點11，上述漏光缺陷降低了鍍膜透光基板的質(zhì)量和鍍膜透光基板的成品率，從而嚴(yán)重影響了鍍膜玻璃的產(chǎn)業(yè)化使用。
[0009]為此，如何提高鍍膜后的透光基板質(zhì)量是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供了一種透光基板的鍍膜方法，可有效減少鍍膜后透光基板的漏光現(xiàn)象，從而提高鍍膜后的透光基板質(zhì)量。
[0011]為解決上述問題，本發(fā)明提供的一種透光基板的鍍膜方法，包括:
[0012]提供透光基板；
[0013]采用磁控濺射工藝在所述透光基板表面形成鍍膜層，其中所述磁控濺射工藝采用的靶材具有小于或等于50 μm的晶粒尺寸。
[0014]可選地，所述磁控濺射工藝采用的靶材是鉻合金靶材，所述鍍膜層為鉻合金鍍膜層。
[0015]可選地，所述鉻合金靶中鉻的質(zhì)量百分含量大于或等于99.5%。
[0016]可選地，所述鉻合金靶材的晶粒尺寸小于或等于30 μ m0
[0017]可選地，所述透光基板的材料為玻璃。
[0018]可選地，提供所述透光基板后，進行磁控濺射鍍膜工藝前，所述透光基板的鍍膜方法還包括對所述透光基板進行清洗處理。
[0019]可選地，對所述透光基板進行清洗處理的步驟包括:采用純水清洗所述透光基板。
[0020]可選地，所述磁控派射工藝的步驟包括:控制派射功率為400kw?600kw。
[0021]可選地，所述鍍膜層的厚度為300?400 μ m。
[0022]可選地，所述磁控濺射工藝的步驟包括:濺射持續(xù)時間為30?60秒。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0024]在采用磁控濺射工藝，從而在透光基板上形成鍍膜層的方法中，所采用的靶材內(nèi)的晶粒尺寸小于或等于50 μπι，因為靶材較小的晶粒尺寸，在體積恒定的靶材內(nèi)，增加了晶界的數(shù)量，而在晶界上聚集有較多的原子，且處于晶界上的原子之間作用力較大，原子的自由能較大，所以在磁控濺射過程中晶界處原子較易被濺射，可有效提升靶材被帶電離子轟擊后濺射的速率，并在短時間濺射出尺寸較小，且密度較大的靶材晶粒，從而在透光基板上迅速形成密度更高、均勻度更好的鍍膜層；此外，因為靶材內(nèi)較小的晶粒尺寸，有效降低了形成于透光基板上的鍍膜層內(nèi)的晶粒的尺寸，提高鍍膜層內(nèi)的原子排列密度，提高形成于透明基板上的鍍膜內(nèi)原子間的作用力，降低晶粒間的間隙，減小在所述鍍膜層局部形成的孔洞，從而減小透光基板上的鉻合金鍍膜上的漏光現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0025]圖1為采用現(xiàn)有的磁控濺射方法進行鉻合金靶材鍍膜后的玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明一實施例透光基板的鍍膜方法的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明一實施例透光基板的鍍膜方法所采用的鉻靶材的電鏡圖，與現(xiàn)有透光基板的鍍膜方法所采用鉻靶材的電鏡圖；
[0028]圖4為在相同的磁控濺射條件下，采用現(xiàn)有磁控濺射工藝在玻璃基板上形成的磁控濺射鍍膜的結(jié)構(gòu)，與采用本發(fā)明透光基板的鍍膜方法在玻璃基板上形成的磁控濺射鍍膜的結(jié)構(gòu)的對比圖。
【具體實施方式】
[0029]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)今常采用磁控濺射工藝在透光基板的表面形成鉻等金屬鍍膜層，以提高玻璃的硬度、抗腐蝕度以及抗壓強度等性能。但現(xiàn)有磁控濺射鍍膜后形成的表面形成有鍍膜層的透光基板存在嚴(yán)重的漏光等缺陷，進而嚴(yán)重降低了鍍膜透光基板的質(zhì)量和鍍膜透光基板的成品率。
[0030]分析其原因，鉻等金屬為脆性金屬，鉻金屬內(nèi)原子與原子之間的作用力較弱，因此鉻金屬內(nèi)的晶粒與晶粒之間的間隙較大，所以在采用鉻靶材的磁控濺射工藝中，靶材的濺射速率較差且濺射形成的原子或是分子的尺寸差異大，這使得透光基板各部分沉積的金屬鉻的均勻度較差，因而會在金屬鉻鍍膜內(nèi)形成孔洞，并導(dǎo)致透光基板鍍膜后存在較為嚴(yán)重的漏光現(xiàn)象。
[0031]為此，本發(fā)明提供了一種透光基板的鍍膜方法。所述透光基板的鍍膜方法，具體包括:
[0032]采用磁控濺射工藝在透光基板表面形成鍍膜層，其中所述磁控濺射工藝采用的靶材的晶粒尺寸小于或等于50 μπι。
[0033]采用的晶粒尺寸小于或等于50 μπι的鉻合金靶材進行磁控濺射過程中，因為靶材較小的晶粒尺寸，在體積恒定的靶材內(nèi)，增加了晶界的數(shù)量，而晶界上聚集有較多的原子，且處于晶界上的原子之間作用力較大，原子的自由能較大，所以在磁控濺射過程中晶界處原子較易被濺射，可有效提升靶材被帶電離子轟擊后濺射的速率，并在短時間濺射出尺寸較小、密度較大的靶材晶粒，從而在透光基板上迅速形成密度更高、均勻度更好的鍍膜層；此外，因為靶材內(nèi)較小的晶粒尺寸，有效降低了形成于透光基板上的鍍膜層內(nèi)的晶粒的尺寸，提高鍍膜層內(nèi)的原子排列密度，提高形成于透明基板上的鍍膜內(nèi)原子間的作用力，降低晶粒間的間隙，減小在所述透光基板局部形成的孔洞，從而減小透光基板上的鉻合金鍍膜上的漏光現(xiàn)象。
[0034]采用的晶粒尺寸小于或等于50 μ m的鉻合金靶材進行磁控濺射，可有效彌補鉻金屬內(nèi)原子間相互作用力較小，而造成濺射出的原子或分子的尺寸差異大，使透光基板各部分沉積的金屬鉻的均勻度較差，晶粒與晶粒之間的間隙大的缺陷，從而減小金屬鉻鍍膜內(nèi)形成孔洞尺寸，并有效減小透光基板鍍膜后所存在的較為嚴(yán)重的漏光缺陷。
[0035]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面通過具體的實施例對本發(fā)明做詳細(xì)的說明。
[0036]參考圖2為本發(fā)明透光基板的鍍膜方法一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例透光基板的鍍膜方法的具體步驟包括:
[0037]提供透光基板20。
[0038]本實施例中，所述透光基板20為玻璃基板。
[0039]但在除本實施例外的其他實施例中，所述透光基板20還可包括透明的塑料基板、光纖板以及藍寶石等其他透明的材料基板，本發(fā)明對所述透明基板的材料并不做限定。
[0040]本實施例中，在對所述透光基板20表面鍍膜前，先對所述玻璃基板20進行清洗處理，以去除玻璃基板20表面的指紋和灰塵等雜質(zhì)，提高玻璃基板表面光潔度均一性。
[0041]因而玻璃基板20的表面光滑，在采用磁控濺射工藝在對玻璃基板進行表面鍍膜時，磁控派射產(chǎn)生的金屬原子于玻璃基板表面的結(jié)合力較弱，若在玻璃基板20表面有指紋和灰塵等雜質(zhì)，會降低金屬原子之間的相互作用力，尤其是對于金屬鉻，原子與原子間的作用力較小，因而需要提高玻璃基板20表面光潔度的均一性，以提高形成的鉻鍍膜中各原子間的作用力。
[0042]可選地，采用純水對所述玻璃基板20表面進行清洗，以避免清洗過程中對于玻璃基板20表面的損傷。
[0043]在清洗處理步驟后，對所述玻璃基板20進行磁控濺射工藝，在玻璃基板20表面形成鍍膜層42。
[0044]本實施例中，所述磁控濺射工藝為鉻合金靶材磁控濺射工藝，以在所述玻璃基板20的表面形成鉻合金鍍膜層42。
[0045]可選地，本實施例中，所述鉻合金靶材40為鉻質(zhì)量百分含量大于或等于99.5%的鉻合金靶材。
[0046]所采用鉻合金靶材40直接影響后續(xù)形成的鉻合金鍍膜層42的質(zhì)量，鉻質(zhì)量百分含量大于或等于99.5%的鉻合金靶材可提高后續(xù)形成的鉻合金鍍膜層42內(nèi)鉻的含量，從而提高鉻合金鍍膜層的硬度和抗腐蝕等特性，但若采用現(xiàn)有磁控濺射工藝中，采用如此高純度的鉻合金靶材，因為鉻合金靶材內(nèi)的鉻原子間較小的作用