在涂覆室101中對制品進行化學(xué)氣相沉積涂覆。化學(xué)氣相沉積流體包括從歧管207分配到流體引入系統(tǒng)201的一種或多種物質(zhì)。流體引入系統(tǒng)201的其他合適部件包括但不限于一個或多個入口流量閥209、入口流動路徑211、流量分配閥213 (例如，歧管207中)、流量分配路徑215 (例如，歧管207中)、一個或多個廢物流217 (例如，從涂覆室101延伸)或穩(wěn)定化結(jié)構(gòu)219。在一個實施例中，流量分配閥213具有10 6托的額定真空、包括合成含氟聚合物密封件、包括球閥、能在存在顆粒的情況下操作，或它們的組合。在一個實施例中，流量分配路徑215包括換能器，諸如氣密地密封的換能器和耐腐蝕的換能器。
[0034]在一個實施例中，流體引入系統(tǒng)201的至少一部分被布置用于與不止一個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100 —起操作，例如，順序操作或同時操作。例如，參見圖4，在一個實施例中，多個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100包括具有第一涂覆室403的第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)401和具有第二涂覆室407的第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)405。在該實施例中，流體引入系統(tǒng)201的至少一部分被布置用于與第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)401和第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)405 —起操作。第一涂覆室403和第二涂覆室407是隔開的。
[0035]在另外一個實施例中，流體引入系統(tǒng)201的除一個或多個入口流量閥209和一個或多個入口流動路徑211之外的所有部分被布置用于與不止一個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100 —起操作。在一個實施例中，流體引入裝置205將化學(xué)氣相沉積流體僅引入到化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100。在另一個實施例中，流體引入系統(tǒng)201將化學(xué)氣相沉積流體引入到三個、四個、五個、六個、七個、八個或更多個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)101。能夠類似地用于操作一個或多個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100的流體引入系統(tǒng)201的其他合適部件包括但不限于一個或多個真空栗203、一個或多個歧管207、一個或多個流量分配閥213、一個或多個流量分配路徑215、一個或多個廢物流217 (例如，排空閥)、一個或多個穩(wěn)定化結(jié)構(gòu)219、或能夠與不止一個化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100順序或同時操作的任何其他合適部件。
[0036]化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)100中共用的部分與任何合適的操作特征相對應(yīng)。合適的操作特征包括但不限于操作壓力范圍(例如，基于上述的單獨范圍)、操作溫度范圍(例如，基于上述的單獨范圍)、操作流速范圍(例如，基于上述的單獨范圍)、一系列流體(例如，自燃氣體或非自燃氣體)、反應(yīng)分布(例如，如果第一氣體和第二氣體將彼此反應(yīng)的話，則將它們隔開)、一組化學(xué)物質(zhì)(如基于化合價所標識)、流出廢物處理要求(例如，基于是否為揮發(fā)性有機化合物、基于是否能夠回收和/或基于是否能夠不加處理來處置)或它們的組合。
[0037]雖然已結(jié)合一個或多個實施例對本發(fā)明作了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，可在不脫離本發(fā)明范圍的情況下做出各種變化并可以用等價物對其中的元件進行替換。另外，可以在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)內(nèi)容做出多種修改以適應(yīng)具體的情況或者材料。因此，意圖不是使本發(fā)明受限于作為實施本發(fā)明的最優(yōu)方式公開的具體實施例，而是本發(fā)明將包括所有落入所附權(quán)利要求書范圍內(nèi)的實施例。另外，【具體實施方式】中指出的所有數(shù)值均應(yīng)解釋為如同明確指出精確值和近似值兩者一樣。
【主權(quán)項】
1.一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的裝置，包括: 包括第一涂覆室的第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)； 包括第二涂覆室的第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)；以及 包括真空栗和流體引入裝置的流體引入系統(tǒng)，所述流體引入系統(tǒng)被布置和設(shè)置成將流體引入所述第一涂覆室和所述第二涂覆室中的一者或兩者以便進行化學(xué)氣相沉積涂覆；其中所述流體引入系統(tǒng)的至少一部分被布置用于與所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)一起操作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是熱分批的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中操作所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的能量少于單獨操作兩個相同化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的能量。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中操作所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的流體少于單獨操作兩個相同化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的流體。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中操作所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的熱量少于單獨操作兩個相同化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用的熱量。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一涂覆室和所述第二涂覆室是固定且水平的。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)被布置為從所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)接收流出物。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和所述第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)被布置為合并流出物。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一涂覆室具有大于3，000cm3的體積。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一涂覆室沿著至少一個平面是對稱的或基本上對稱的。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一涂覆室包括具有至少三個基本上平坦的表面的封閉邊界。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述封閉邊界由十二個基本上平坦的表面組成。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述至少三個基本上平坦的表面與至少三個輻射加熱元件熱接觸。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中每個所述輻射加熱元件包括被定位成對所述封閉邊界的第一區(qū)域加熱的第一加熱器、被定位成對所述封閉邊界的第二區(qū)域加熱的第二加熱器以及被定位成對所述封閉邊界的第三區(qū)域加熱的第三加熱器，其中所述第一區(qū)域定位在所述通路部分的近側(cè)，所述第三區(qū)域定位在所述通路部分的遠側(cè)，并且所述第二區(qū)域定位在所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域之間。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中每個所述輻射加熱元件包括電阻加熱器。16.一種化學(xué)氣相沉積方法，包括: 提供包括第一涂覆室的第一化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)； 提供流體引入系統(tǒng)，所述流體引入系統(tǒng)被布置和設(shè)置成將流體引入所述第一涂覆室；以及 使包括第二涂覆室的第二化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)與所述流體引入系統(tǒng)的至少一部分一起操作。17.—種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，包括: 具有封閉邊界的非長方體涂覆室，所述封閉邊界圍繞具有至少三個平坦表面的涂覆區(qū)域延伸，并且鄰接通路部分，所述通路部分以相對于所述至少三個平坦表面的軸向取向定位； 流體引入系統(tǒng)，所述流體引入系統(tǒng)包括真空栗和流體引入裝置，并且被布置和設(shè)置成將流體引入所述非長方體涂覆室以便在所述非長方體涂覆室中對制品進行化學(xué)氣相沉積涂覆；以及 輻射加熱元件的裝置，所述輻射加熱元件的裝置定位在所述非長方體涂覆室之外并且與所述非長方體涂覆室的所述封閉邊界到所述非長方體涂覆室內(nèi)的加熱區(qū)熱連接。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，還包括熱引導(dǎo)機罩，所述熱引導(dǎo)機罩圍繞輻射加熱元件并且被布置和設(shè)置成將熱量從所述輻射加熱元件引導(dǎo)進入所述第一涂覆室中。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中所述第一涂覆室沒有加熱器、反射器、水冷式元件和散熱元件。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中所述流體引入裝置包括用于引入所述流體的一個或多個閥。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、方法及系統(tǒng)的裝置。所述系統(tǒng)包括涂覆室、流體引入系統(tǒng)和輻射加熱元件的裝置。所述涂覆室具有圍繞涂覆區(qū)域延伸的封閉邊界以及以相對于所述封閉邊界的軸向取向定位的通路部分，所述涂覆室處于固定且水平的位置。所述流體引入系統(tǒng)包括真空泵和流體引入裝置，所述流體引入系統(tǒng)被布置和設(shè)置成將流體引入所述涂覆室以便在所述涂覆室中對制品進行化學(xué)氣相沉積涂覆。所述輻射加熱元件的裝置定位在所述涂覆室之外并且與所述涂覆室的所述封閉邊界到所述涂覆室內(nèi)的加熱區(qū)熱連接。所述方法使用所述系統(tǒng)。所述裝置包括不止一個所述化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。
【IPC分類】C23C16/00, C23C16/54
【公開號】CN105369211
【申請?zhí)枴緾N201510512203
【發(fā)明人】N·P·德斯科維奇, W·D·格羅夫
【申請人】西爾科特克公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年8月19日
【公告號】EP2987891A2, EP2987891A3, US20160053375