一種磁控濺射鍍膜工件臺(tái)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明主要涉及到半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，特指一種磁控濺射鍍膜工件臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射技術(shù)(MS)作為一種十分有效的薄膜沉積方法，被普遍和成功地應(yīng)用于許多領(lǐng)域，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理領(lǐng)域中，用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備。與熱蒸發(fā)和電弧鍍相比較，MS技術(shù)沉積薄膜過(guò)程穩(wěn)定、控制方便，可以根據(jù)不同的需要來(lái)設(shè)計(jì)靶材，容易獲得較大范圍的薄膜均勻性。同時(shí)，MS成膜離子的能量一般高于熱蒸發(fā)、低于電弧鍍，因此容易獲得附著力好、致密度高、內(nèi)應(yīng)力小的薄膜?，F(xiàn)有的工藝設(shè)備當(dāng)中，對(duì)于工件臺(tái)而言，均存在自動(dòng)化程度較低、生產(chǎn)效率較低等不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題就在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種自動(dòng)化程度高、基于基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)且速度和溫度可控的、能提高鍍膜均勻性和膜黏附力的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，包括基片臺(tái)、安裝法蘭、加熱體、熱偶和調(diào)速電機(jī)，所述基片臺(tái)用來(lái)安裝基片，所述調(diào)速電機(jī)的輸出端通過(guò)聯(lián)軸器、磁流體與基片臺(tái)相連并可帶著基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)；所述安裝法蘭安裝在真空腔體上，所述加熱體和熱偶固定于安裝法蘭上。
[0005]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):所述加熱體和熱偶通過(guò)支撐桿固定于安裝法蘭上。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):所述調(diào)速電機(jī)安裝于電機(jī)安裝支架上。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):在所述聯(lián)軸器的位置處設(shè)置有隔熱柱，所述隔熱柱通過(guò)支撐桿安裝于安裝法蘭上。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):所述安裝法蘭上設(shè)置有把手。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):所述調(diào)速電機(jī)的調(diào)速范圍為:3?12rpm。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn):所述加熱體和熱偶對(duì)基片臺(tái)上基片的溫度調(diào)節(jié)范圍為:室溫?400 °C。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)便，工件一次裝夾定位，通過(guò)在旋轉(zhuǎn)基片臺(tái)上直接加入加熱功能，且溫度可控可調(diào)，改善了半導(dǎo)體器件工藝中磁控濺射鍍膜機(jī)的鍍膜均勻性，提高了膜的黏附力；另外，對(duì)基片臺(tái)增加了離子束濺射清洗功能，實(shí)現(xiàn)了工件離子束濺射清洗與鍍膜工藝，從而大大提高了設(shè)備自動(dòng)化程度和生產(chǎn)效率。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理示意圖。
[0013]圖例說(shuō)明: 1、調(diào)速電機(jī)；2、電機(jī)安裝支架；3、聯(lián)軸器；4、磁流體；5、安裝法蘭；6、K型熱偶；7、隔熱柱;8、基片臺(tái);9、加熱體；10、支撐桿；11、把手。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0015]如圖1所示，本發(fā)明的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，包括基片臺(tái)8、安裝法蘭5、加熱體9、熱偶6 (如:K型熱偶)和調(diào)速電機(jī)1，基片臺(tái)8用來(lái)安裝基片，調(diào)速電機(jī)I的輸出端通過(guò)聯(lián)軸器3、磁流體4與基片臺(tái)8相連并可帶著基片臺(tái)8旋轉(zhuǎn)，通過(guò)控制調(diào)速電機(jī)I的速度可以對(duì)基片臺(tái)8的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)。這樣，基片臺(tái)8就能夠轉(zhuǎn)動(dòng)且速度可調(diào)(如:轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)范圍為3?12rpm)，從而保證了基片上濺射的金屬膜均勻性，提高了臺(tái)階覆蓋率，消除了自掩蔽效應(yīng)?；腻兡っ嫦蛳拢赏ㄟ^(guò)考夫曼離子源濺射清洗。安裝法蘭5安裝在真空腔體上，加熱體9和熱偶6 (K型熱偶)通過(guò)支撐桿10固定于安裝法蘭5上，通過(guò)給熱偶6通電，采用電阻加熱爐加熱方式對(duì)加熱體9加熱，從而達(dá)到對(duì)基片臺(tái)8上基片的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的效果。這樣，基片臺(tái)8的溫度實(shí)現(xiàn)了可調(diào)(如:溫度調(diào)節(jié)范圍為室溫?400°C)，控制精度為±3°C。由于溫度可控可調(diào)，增加了基片表面的迀移率，提高了臺(tái)階覆蓋能力。
[0016]本實(shí)施例中，調(diào)速電機(jī)I安裝于電機(jī)安裝支架2上。
[0017]本實(shí)施例中，在聯(lián)軸器3的位置處設(shè)置有隔熱柱7，隔熱柱7通過(guò)支撐桿10安裝于安裝法蘭5上。
[0018]本實(shí)施例中，在安裝法蘭5的位置處設(shè)置有把手11。
[0019]工作原理:在進(jìn)行磁控濺射鍍膜工藝時(shí)，先將基片在基片臺(tái)8上裝夾定位，將定位完成的基片臺(tái)8安裝在工件臺(tái)上。啟動(dòng)調(diào)速電機(jī)I，基片臺(tái)8開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，啟動(dòng)離子源，對(duì)基片臺(tái)8上的基片進(jìn)行離子束派射清洗。待清洗完成，對(duì)基片臺(tái)8進(jìn)行加熱，達(dá)到一定溫度時(shí)進(jìn)行鍍膜工藝。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，就可以通過(guò)不斷調(diào)節(jié)基片臺(tái)8旋轉(zhuǎn)速度與溫度，找到磁控濺射鍍膜的最佳工藝參數(shù)，使基片所鍍膜的均勻性和膜的黏附力都處于最佳值。
[0020]以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，包括基片臺(tái)(8)、安裝法蘭(5)、加熱體(9)、熱偶(6)和調(diào)速電機(jī)(1)，所述基片臺(tái)(8)用來(lái)安裝基片，所述調(diào)速電機(jī)(I)的輸出端通過(guò)聯(lián)軸器(3)、磁流體(4)與基片臺(tái)(8)相連并可帶著基片臺(tái)(8)旋轉(zhuǎn)；所述安裝法蘭(5)安裝在真空腔體上，所述加熱體(9)和熱偶(6)固定于安裝法蘭(5)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，所述加熱體(9)和熱偶(6 )通過(guò)支撐桿(10 )固定于安裝法蘭(5 )上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，所述調(diào)速電機(jī)(I)安裝于電機(jī)安裝支架(2)上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，在所述聯(lián)軸器(3)的位置處設(shè)置有隔熱柱(7)，所述隔熱柱(7)通過(guò)支撐桿(10)安裝于安裝法蘭(5)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，所述安裝法蘭(5)上設(shè)置有把手(11)。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，所述調(diào)速電機(jī)(I)的調(diào)速范圍為:3?12rpm。7.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，其特征在于，所述加熱體(9)和熱偶(6)對(duì)基片臺(tái)(8)上基片的溫度調(diào)節(jié)范圍為:室溫?400°C。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控濺射鍍膜工件臺(tái)，包括基片臺(tái)、安裝法蘭、加熱體、熱偶和調(diào)速電機(jī)，所述基片臺(tái)用來(lái)安裝基片，所述調(diào)速電機(jī)的輸出端通過(guò)聯(lián)軸器、磁流體與基片臺(tái)相連并可帶著基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)；所述安裝法蘭安裝在真空腔體上，所述加熱體和熱偶固定于安裝法蘭上。本發(fā)明具有自動(dòng)化程度高、基于基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)且速度和溫度可控的、能提高鍍膜均勻性和膜黏附力等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類(lèi)】C23C14/50, C23C14/35
【公開(kāi)號(hào)】CN105112879
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510576683
【發(fā)明人】陳慶廣, 陳特超, 佘鵬程, 毛朝斌
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年9月11日