基熱電材料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及熱電材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種I填充的CoSb3基熱電材料及其制備方法,I的填充率可高達0.8。
【背景技術(shù)】
[0002]提高方鈷礦熱電材料ZT值的方法主要有兩種:1.對Co和Sb進行置換,改善電學性能。2.化合物CoSb3結(jié)構(gòu)中存在晶格孔洞,一些元素可以填入這個晶格孔洞,來降低熱導率。第二種優(yōu)化方法在常壓下能夠填入CoSb3晶格孔洞的元素非常有限,采用高溫高壓的方法,可以把一些在常壓下無法填入的元素成功填入晶格孔洞。
[0003]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
在上述研究基礎(chǔ)上,本發(fā)明的目的在于提供一種I填充的CoSb3基熱電材料及其制備方法,所述制備方法獲得的熱電材料中I的填充率高,降低熱導率,有效改善熱電材料的熱電性能。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
①將I2片、Co粉末和Sb粉末按照化學計量比(I xCo4Sb12,x=0.3-0.8)進行稱重和混合均勻后,冷壓成型,放入坩禍進行三步高溫高壓燒結(jié)所述三步高溫高壓燒結(jié)包括:第一步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度1073K,時間0.5h,研磨成粉體后冷壓成型;第二步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度753K,時間3h,研磨成粉體后,用去離子水清洗3次后,干燥成粉體冷壓成型;第三步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度573K,時間0.5h,得到需要的權(quán)利要求1中所述熱電材料。
[0005]本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明提供的制備方法提高了熱電材料中I的填充量,最高可達到0.8,這是其它任何一個填充元素無法達到的。所述熱電材料的熱導率低于其他現(xiàn)有填充方鈷礦熱電材料,對提高熱電優(yōu)值、改善熱電性能是非常有利的。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
將I2片、Co粉末和Sb粉末按照化學計量比I。.650)431312進行稱重和混合均勻后,冷壓成型,放入坩禍進行三步高溫高壓燒結(jié);第一步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度1073K,時間
0.5h,研磨成粉體后冷壓成型;第二步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度753K,時間3h,研磨成粉體后,用去離子水清洗3次后,干燥成粉體冷壓成型;第三步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度573K,時間0.5h,得到需要的權(quán)利要求1中所述熱電材料。所述熱電材料Ia65Co4Sb12,當測試溫度在420K時,所述熱電材料的熱導率為0.7W/mK。
[0007]上述實施例,只是本發(fā)明的較佳實施例,并非用來限制本發(fā)明實施范圍,故凡以本發(fā)明權(quán)利要求所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾,均應包括在本發(fā)明權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種I填充的CoSb 3基熱電材料,其特征在于:所述熱電材料為I xCo4Sb12,x=0.3?0.8o2.—種權(quán)利要求1中所述熱電材料的制備方法,其特征在于:制備方法為三步高溫高壓燒結(jié)法。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:所述制備方法包括:①將12片、Co粉末和Sb粉末按照化學計量比(IxCo4Sb12, x=0.3-0.8)進行稱重和混合均勻后,冷壓成型,放入坩禍進行三步高溫高壓燒結(jié)?、谒鋈礁邷馗邏簾Y(jié)包括:第一步高溫高壓燒結(jié),研磨成粉體后冷壓成型;第二步高溫高壓燒結(jié),研磨成粉體后,用去離子水清洗3次后,干燥成粉體冷壓成型;第三步高溫高壓燒結(jié),得到權(quán)利要求1中所述熱電材料。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三步高溫高壓燒結(jié),其特征在于:所述第一步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度1073K,時間0.5h ;所述第二步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度753K,時間3h ;所述第三步高溫高壓燒結(jié)壓力5GPa,溫度573K,時間0.5h。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種I填充的CoSb3基熱電材料及其制備方法,所述熱電材料為IxCo4Sb12,x=0.3~0.8;所述制備方法為三步高溫高壓燒結(jié)法,成功合成I填充的CoSb3熱電材料。通過所述制備方法獲得的熱電材料沒有雜相的存在,I的填充量可達到0.8;所述熱電材料的熱導率為0.7W/mK,極低的熱導率對提高ZT值是非常有利的。
【IPC分類】B22F3/16, C22C28/00
【公開號】CN105108151
【申請?zhí)枴緾N201510631368
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】涂艷麗
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年9月29日