避免由于金屬液充型能力差而引起的澆注不足、冷隔、砂眼等缺陷。
[0049]請(qǐng)參考圖2至圖4，圖2為本發(fā)明所提供的砂型鑄造方式一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本發(fā)明所提供的砂型鑄造方式另一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本發(fā)明所提供的砂型鑄造方式第三種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]—種具體的實(shí)施方式中，加熱單元為吸波體，在步驟S4中，用電磁波照射砂箱。
[0051]吸波體3可以吸收電磁波，將能量轉(zhuǎn)化為熱量，升高自身的溫度，然后能夠?qū)⒆陨淼臒崃總鬟f給周?chē)男蜕?01，使鑄型型腔I的溫度升高，金屬液進(jìn)入后，在鑄型中保持液體的時(shí)間較長(zhǎng)，提高了金屬液的充型能力，避免鑄件出現(xiàn)缺陷。
[0052]如圖2所示，在鑄型型腔I的通道101處的橫截面的面積較小，吸波體3多設(shè)置在與此處類(lèi)似的位置，保證此處金屬液能夠順利的流過(guò)，完成的充滿(mǎn)整個(gè)型腔。
[0053]—種進(jìn)一步具體的實(shí)施方式中，步驟S4中，電磁波的照射方向避開(kāi)砂箱的殼體。
[0054]電磁波的照射能夠使砂箱2的殼體202升溫時(shí)，照射電磁波的時(shí)候要避開(kāi)殼體202，避免殼體202由于受熱而變形，避免影響鑄型型腔I的形狀，進(jìn)而能夠避免鑄件變形，保證鑄件的尺寸精度。如圖3所示，電磁波照射方向a避開(kāi)了殼體202，避免殼體202變形。
[0055]另一種進(jìn)一步的具體的實(shí)施方式中，在步驟S3和步驟S4之間，對(duì)型砂進(jìn)行固化，固化后撤去砂箱的殼體。
[0056]合箱后，可以先對(duì)砂箱2進(jìn)行固化，固化后，砂箱2內(nèi)的型砂201能夠保持其形狀，此時(shí)撤去殼體202，型砂201不會(huì)產(chǎn)生變形，不會(huì)影響鑄型型腔I的結(jié)構(gòu)，撤去殼體202后照射電磁波，無(wú)論從那個(gè)方向照射，都不存在殼體202受熱變形，既能夠提高金屬液的充型能力，又能夠保證鑄件的尺寸精度。
[0057]第三種進(jìn)一步具體的實(shí)施方式中，砂箱的殼體的材料為陶瓷。
[0058]陶瓷作為一種絕緣體可以被電磁波穿透，不會(huì)因電磁波的照射而升溫變形，將陶瓷用作砂箱2的殼體202材料，從而保證了砂型鑄造鑄件的形態(tài)尺寸。
[0059]如圖4所示，吸波體3設(shè)置在整個(gè)鑄件的周部，電磁波可以從任何方向照射，殼體202不存在變形的問(wèn)題。
[0060]圖3和圖4中，鑄型的中部設(shè)有型芯6，型芯6由型砂提供支撐并固定于型砂中，固定型芯6的型砂中也可以設(shè)置加熱單元。
[0061]上述各具體的實(shí)施方式中，電磁波為微波。
[0062]電磁波涵蓋了物質(zhì)能量最基本的形式。電磁波按由低頻率到高頻率，主要分為:無(wú)線(xiàn)電波、微波、紅外線(xiàn)、可見(jiàn)光、紫外線(xiàn)、X射線(xiàn)和伽馬射線(xiàn)。
[0063]微波照射鐵氧體粉、碳化硅粉、碳化硅纖維、碳纖維、金屬纖維和有機(jī)高分子聚合物等微波吸收劑時(shí)，使微波吸收劑的偶極分子在電磁場(chǎng)作用下以極快的速度進(jìn)行重新排列，造成分子的相互摩擦而產(chǎn)生的熱運(yùn)動(dòng)，將微波能量轉(zhuǎn)化為熱能。
[0064]當(dāng)然，本申請(qǐng)中也可以使用其他波段的電磁波。
[0065]進(jìn)一步的，微波的發(fā)生裝置為磁控管。
[0066]磁控管是一種用來(lái)產(chǎn)生微波的電真空器件，是一個(gè)置于恒定磁場(chǎng)中的二極管。管內(nèi)電子在相互垂直的恒定磁場(chǎng)和恒定電場(chǎng)的控制下，與高頻電磁場(chǎng)發(fā)生相互作用，把從恒定電場(chǎng)中獲得能量轉(zhuǎn)變成微波能量，從而達(dá)到產(chǎn)生微波的目的。
[0067]磁控管的特點(diǎn)是功率大、效率高、工作電壓低、尺寸小、重量輕、成本低。
[0068]具體的，吸波體3為鐵氧體。
[0069]鐵氧體由以三價(jià)鐵離子作為主要正離子成分的若干種氧化物組成，并呈現(xiàn)亞鐵磁性或反鐵磁性的材料。鐵氧體經(jīng)微波照射后，能夠快速的將微波的能量轉(zhuǎn)換為自身的熱量，吸收一定的微波后，能夠使周?chē)男蜕?01長(zhǎng)時(shí)間的保持較高的溫度。
[0070]當(dāng)然，根據(jù)選用的電磁波波段的不同，還可以選用其他的材料做為加熱單元。
[0071]另一種具體的實(shí)施方式中，加熱單元為加熱電阻及其控制回路，在步驟S4中，使控制回路通電。
[0072]控制回路通電后，加熱電阻能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為熱能，首先升高自身的溫度，然后能夠?qū)⒆陨淼臒崃總鬟f給周?chē)男蜕?01，使鑄型型腔I的溫度升高，金屬液進(jìn)入后，在鑄型中保持液體的時(shí)間較長(zhǎng)，提高了金屬液的充型能力，避免鑄件出現(xiàn)缺陷。
[0073]需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)中的加熱單元不僅僅局限于上述實(shí)施例中所述的內(nèi)容，能夠設(shè)置在型砂201中，通過(guò)某種方式獲取熱能并能傳遞給型砂201的其他材料或原件也可以應(yīng)用在本申請(qǐng)中。相應(yīng)的加熱方式根據(jù)所選用的加熱單元設(shè)置，設(shè)置的同時(shí)避免加熱過(guò)程中使鑄型變形，保證鑄件的形態(tài)尺寸。
[0074]以上對(duì)本發(fā)明所提供的砂型鑄造的方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種砂型鑄造的方法，其特征在于，包括以下步驟: SI，制作模具； S2，將所述模具置于砂箱的型砂中，形成鑄型型腔，并在型砂中設(shè)置加熱單元； S3，設(shè)置澆口、冒口，合箱； S4，對(duì)所述加熱單元進(jìn)行加熱； S5，澆注，冷卻，落砂及后處理。2.如權(quán)利要求1所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述鑄型型腔的橫截面的面積小于預(yù)定值的位置，在步驟S2中，在所述位置的周部的所述型砂內(nèi)鋪設(shè)所述加熱單元。3.如權(quán)利要求1或2所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述加熱單元為吸波體，在步驟S4中，用電磁波照射砂箱。4.如權(quán)利要求3所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，步驟S4中，所述電磁波的照射方向避開(kāi)所述砂箱的殼體。5.如權(quán)利要求3所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，在步驟S3和步驟S4之間，對(duì)型砂進(jìn)行固化，固化后撤去所述砂箱的殼體。6.如權(quán)利要求3所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述砂箱的殼體的材料為陶瓷。7.如權(quán)利要求3所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述電磁波為微波。8.如權(quán)利要求7所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述微波的發(fā)生裝置為磁控管。9.如權(quán)利要求7所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述吸波體為鐵氧體。10.如權(quán)利要求1或2所述的砂型鑄造的方法，其特征在于，所述加熱單元為加熱電阻及其控制回路，在步驟S4中，使所述控制回路通電。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種砂型鑄造的方法，首先按照鑄件的尺寸制作模具；將模具置于砂箱的型砂中，型砂中具有型砂粘結(jié)劑能夠形成鑄型型腔，在這個(gè)過(guò)程中，在型砂中設(shè)置加熱單元；并且在砂箱中設(shè)置澆口、冒口，合箱；在澆注前對(duì)加熱單元進(jìn)行加熱，加熱后進(jìn)行澆注，冷卻，落砂及后處理。在澆注前，先對(duì)加熱單元進(jìn)行加熱，加熱單元升溫后，加熱單元會(huì)將自身的熱量通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式傳遞給周?chē)男蜕?，鑄型型腔的溫度也會(huì)升高；當(dāng)金屬液進(jìn)入鑄型型腔后，型腔與金屬液的溫差較小，金屬液的冷卻梯度平緩，在型腔中保持液態(tài)的時(shí)間將延長(zhǎng)，金屬液的充型能力得到提升。
【IPC分類(lèi)】B22D27/04, B22C9/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105081215
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510546187
【發(fā)明人】蘇章仁
【申請(qǐng)人】蘇氏精密制造技術(shù)（北京）股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日...