一種內(nèi)襯、內(nèi)襯構成的腔室及內(nèi)襯表面的處理方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及微電子技術領域，特別涉及一種內(nèi)襯表面的處理方法。
【背景技術】
[0002]在半導體的研宄、加工過程中，特別是在刻蝕、氧化、化學氣相沉積等過程中，通常采用基于等離子體的半導體加工。一般的等離子體設備中均設置有內(nèi)襯，在內(nèi)襯的表面通過陽極氧化或等離子噴涂的方式形成一層薄膜，該薄膜主要對內(nèi)襯起保護作用。研宄發(fā)現(xiàn)，通過上述方法在內(nèi)襯表面形成的薄膜，薄膜的表面分布有大量的微孔，微孔的產(chǎn)生嚴重影響了薄膜的工藝耐受性，導致薄膜容易脫落，難以對內(nèi)襯進行有效保護。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能夠增強內(nèi)襯表面薄膜的工藝耐受性，實現(xiàn)對內(nèi)襯的有效保護，并延長內(nèi)襯的使用壽命的內(nèi)襯及內(nèi)襯表面的處理方法，以及提供一種具有較長使用壽命的腔室。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種內(nèi)襯，包括:外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體。所述內(nèi)部襯體設置在所述外部襯體的內(nèi)側，所述底部襯體與所述外部襯體的下端連接，所述底部襯體與所述內(nèi)部襯體的下端連接，所述外部襯體、內(nèi)部襯體及所述底部襯體連接形成環(huán)狀空心一體化結構。所述底部襯體上設置有抽氣孔。所述外部襯體、內(nèi)部襯體及所述底部襯體的表面設置有第一薄膜層，所述第一薄膜層的外側設置有第二薄膜層。
[0005]進一步地，所述第二薄膜層為原子沉積層。
[0006]進一步地，所述抽氣孔為圓形形狀，且所述抽氣孔均勻地分布。
[0007]本發(fā)明還提供了一種腔室，包括:內(nèi)襯、射頻線圈、耦合窗、腔室、襯底及下電極；所述耦合窗連接在所述腔室的上端，所述下電極連接在所述腔室的下端；所述內(nèi)襯設置在所述腔室的內(nèi)側，所述襯底連接在所述內(nèi)襯的下端；所述射頻線圈設置在所述耦合窗的上端。
[0008]進一步地，所述親合窗采用石英材料制成。
[0009]本發(fā)明還提供了一種內(nèi)襯表面的處理方法，包括:在內(nèi)襯表面利用陽極氧化或等離子噴涂的方式形成第一薄膜層；在所述第一薄膜層表面利用原子層沉積的方式生長第二薄膜層。
[0010]進一步地，所述第二薄膜層均勻覆蓋在所述第一薄膜層上。
[0011]進一步地，所述第二薄膜層與所述第一薄膜層的厚度相同。
[0012]本發(fā)明提供的內(nèi)襯及內(nèi)襯表面的處理方法，通過采用原子層沉積的方式在內(nèi)襯表面的第一薄膜層上生長出第二薄膜層，第二薄膜層可以有效的對第一薄膜層表面的微孔進行填充，并且第一薄膜層與第二薄膜層之間吸附緊密，提高了第一薄膜層的工藝耐受性，實現(xiàn)了對內(nèi)襯的有效保護，延長了內(nèi)襯的使用壽命。本發(fā)明提供的腔室，采用雙層薄膜層(即第一薄膜層和第二薄膜層)的內(nèi)襯構成，具有較長的使用壽命。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)襯俯視圖；
[0014]圖2為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)襯側視圖；
[0015]圖3為本發(fā)明實施例提供的腔室結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]參見圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供了一種內(nèi)襯5，包括:外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體。參見圖1，本發(fā)明實施例中，外部襯體和內(nèi)部襯體采用筒狀結構，底部襯體采用環(huán)狀結構。內(nèi)部襯體設置在外部襯體的內(nèi)側，底部襯體與外部襯體的下端連接，底部襯體與內(nèi)部襯體的下端連接，外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體連接形成筒狀空心一體化結構。參見圖1和圖2，底部襯體上設置有抽氣孔1，抽氣孔I為圓形形狀，且抽氣孔I均勻地分布。外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體的表面設置有第一薄膜層，第一薄膜層的外側設置有第二薄膜層。第二薄膜層為原子沉積層。
[0017]原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應并形成沉積膜的方法。當前軀體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發(fā)生表面反應。基于上述分析本發(fā)明還提供了一種內(nèi)襯表面的處理方法，包括:
[0018]步驟10、在內(nèi)襯5表面利用陽極氧化或等離子噴涂的方式形成第一薄膜層。陽極氧化和等離子噴涂都是現(xiàn)有比較成熟的工藝，采用陽極氧化或等離子噴涂可在內(nèi)襯5的表面快速的形成第一薄膜層。
[0019]步驟20、在第一薄膜層表面利用原子層沉積的方式生長第二薄膜層，第二薄膜層均勻覆蓋在第一薄膜層上，第二薄膜層與第一薄膜層的厚度相同。
[0020]由于采用陽極氧化或等離子噴涂等方式形成的第一薄膜層的表面分布有大量的微孔，微孔的產(chǎn)生嚴重影響了第一薄膜層的工藝耐受性，導致薄膜容易脫落。為了提高第一薄膜層的工藝耐受性，在步驟10完成之后，進行步驟20，采用原子沉積的方式所生長的第二薄膜層能夠與第一薄膜層緊密吸附，有效的對第一薄膜層上的微孔進行了填充。
[0021]參見圖3，本發(fā)明實施例還提供了一種腔室，包括:內(nèi)襯5、射頻線圈2、耦合窗3、腔室4、襯底6及下電極7。耦合窗3連接在腔室4的上端，下電極7連接在腔室4的下端；內(nèi)襯5設置在腔室4的內(nèi)側，襯底6連接在內(nèi)襯5的下端；射頻線圈2設置在耦合窗3的上端。該腔室可應用于等離子設備等領域。
[0022]本發(fā)明提供的內(nèi)襯及內(nèi)襯表面的處理方法，通過采用原子層沉積的方式在內(nèi)襯表面的第一薄膜層上生長出第二薄膜層，第二薄膜層可以有效的對第一薄膜層表面的微孔進行填充，并且第一薄膜層與第二薄膜層之間吸附緊密，提高了第一薄膜層的工藝耐受性，實現(xiàn)了對內(nèi)襯的有效保護，延長了內(nèi)襯的使用壽命。本發(fā)明提供的腔室，采用雙層薄膜層(即第一薄膜層和第二薄膜層)的內(nèi)襯構成，具有較長的使用壽命。
[0023]最后所應說明的是，以上【具體實施方式】僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制，盡管參照實例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的精神和范圍，其均應涵蓋在本發(fā)明的權利要求范圍當中。
【主權項】
1.一種內(nèi)襯，其特征在于，包括:外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體； 所述內(nèi)部襯體設置在所述外部襯體的內(nèi)側，所述底部襯體與所述外部襯體的下端連接，所述底部襯體與所述內(nèi)部襯體的下端連接，所述外部襯體、內(nèi)部襯體及所述底部襯體連接形成環(huán)狀空心一體化結構； 所述底部襯體上設置有抽氣孔； 所述外部襯體、內(nèi)部襯體及所述底部襯體的表面設置有第一薄膜層，所述第一薄膜層的外側設置有第二薄膜層。
2.根據(jù)權利要求1所述的內(nèi)襯結構，其特征在于，所述第二薄膜層為原子沉積層。
3.根據(jù)權利要求1所述的內(nèi)襯結構，其特征在于，所述抽氣孔為圓形形狀，且所述抽氣孔均勻地分布。
4.一種腔室，其特征在于，包括:內(nèi)襯、射頻線圈、耦合窗、腔室、襯底及下電極； 所述耦合窗連接在所述腔室的上端，所述下電極連接在所述腔室的下端； 所述內(nèi)襯設置在所述腔室的內(nèi)側，所述襯底連接在所述內(nèi)襯的下端； 所述射頻線圈設置在所述耦合窗的上端。
5.根據(jù)權利要求4所述的腔室，其特征在于，所述耦合窗采用石英材料制成。
6.一種內(nèi)襯表面的處理方法，其特征在于，包括: 在內(nèi)襯表面利用陽極氧化或等離子噴涂的方式形成第一薄膜層； 在所述第一薄膜層表面利用原子層沉積的方式生長第二薄膜層。
7.根據(jù)權利要求6所述的內(nèi)襯表面的處理方法，其特征在于，所述第二薄膜層均勻覆蓋在所述第一薄膜層上。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的內(nèi)襯表面的處理方法，其特征在于，所述第二薄膜層與所述第一薄膜層的厚度相同。
【專利摘要】本發(fā)明涉及微電子技術領域，特別涉及一種內(nèi)襯，包括外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體，外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體連接形成環(huán)狀空心一體化結構；外部襯體、內(nèi)部襯體及底部襯體的表面設置有第一薄膜層，第一薄膜層的外側設置有第二薄膜層。本發(fā)明還提供了一種內(nèi)襯表面的處理方法，包括：在內(nèi)襯表面利用陽極氧化或等離子噴涂的方式形成第一薄膜層；在第一薄膜層表面利用原子層沉積的方式生長第二薄膜層。本發(fā)明還提供了一種利用內(nèi)襯構成的腔室。本發(fā)明提供的內(nèi)襯及內(nèi)襯表面的處理方法，第二薄膜層可對第一薄膜層表面的微孔進行填充，并且第一薄膜層與第二薄膜層之間吸附緊密，提高了第一薄膜層的工藝耐受性。本發(fā)明提供的腔室，具有較長的使用壽命。
【IPC分類】C23C16-455, C23C4-12, C23C28-00, C25D11-02, C23F17-00
【公開號】CN104630746
【申請?zhí)枴緾N201510040077
【發(fā)明人】張慶釗
【申請人】中國科學院微電子研究所
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月27日