專利名稱：對靶式直流磁控離子濺射臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型的名稱是對靶式直流磁控離子濺射臺，屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
常用及市售直流磁控濺射臺均采用雙層環(huán)形磁體結(jié)構(gòu)。工作時輝光放電區(qū)在靶面外正負磁極之間產(chǎn)生，形成一園環(huán)式輝光放電帶。濺射過程中，靶材只被利用了一環(huán)形帶，其余部分不能被利用 ，因此靶材利用率低。另外這種結(jié)構(gòu)濺射臺工作時，直流電流一般大于1A，耗電量大于200W，導(dǎo)致電源結(jié)構(gòu)復(fù)雜。同時，這種結(jié)構(gòu)的濺射臺，成膜速率較低。
本實用新型的目的在于提供一種新穎的直流磁控離子濺射裝置，充分利用靶材，提高成膜速率和質(zhì)量，本濺射臺具體結(jié)構(gòu)如附圖所示。包括靶材架、U形磁體、陽極板和基片支架。兩個靶材用電線連接后接電源負極，陽極板接電源正極。其中1是陽極板，2是靶材架，3是絕緣墊片，4是磁體，5是基片支架，6是調(diào)節(jié)螺母，7是磁體銅套，8是導(dǎo)磁體，9是靶。磁體和導(dǎo)磁體組成U型磁體。
本實用新型的主要發(fā)明點有兩個，一是采用了新型的磁體結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致輝光放電區(qū)在兩靶之間呈柱形。幾乎在整個靶材表面附近都存在輝光放電，整個靶材表面都可用于濺射薄膜，靶材利用率極高，二是將磁體做成U型，使磁路閉合，結(jié)構(gòu)緊湊。同時利用U型磁體自我支撐，使安裝極為方便，可隨意放入一真空系統(tǒng)中使用，不必單獨設(shè)計及制做專用真空系統(tǒng)。
本實用新型靶材利用率高。由于采用兩個相對靶濺射，濺射薄膜均勻。工作時耗電量小，直流輸入電流小于50MA，耗電功率小于20W。濺射鍍膜的速率可由簡單地改變直流輸入電流來控制。濺膜速率較高，可大于100A／分鐘。
新型的濺射裝置，可以很方便地放入真空系統(tǒng)中使用，制作超導(dǎo)薄膜、金屬薄膜、合金薄膜及其它導(dǎo)電薄膜。


圖1濺射臺結(jié)構(gòu)示意圖1－陽極板 2－靶材架 3－絕緣墊片 4－磁體5－基片支架 6－調(diào)距螺母 7－磁體銅套8－導(dǎo)磁體 9－靶
權(quán)利要求1.一種由正、負磁極構(gòu)成的對靶式直流磁控離子濺射臺，其特征在于它是由磁體[4]、導(dǎo)磁體[8]、靶[9]、基片支架[5]、陽極板[1]構(gòu)成。
2.按照權(quán)利要求1所說的對靶式直流磁控離子濺射臺，其特征在于所說的靶［9］是由靶材架［2］和絕緣墊片［3］安在磁體［4］頭部。
3.按照權(quán)利要求1所說的對靶式直流磁控離子濺射臺，其特征在于所說的磁體［4］尾部有銅套［7］和與其用螺扣連接的調(diào)距螺母［6］，用調(diào)距螺母調(diào)節(jié)兩個磁極間的距離。
專利摘要本實用新型是對靶式直流磁控離子濺射臺，屬于電子鍍膜技術(shù)領(lǐng)域?，F(xiàn)有的磁控濺射臺均采用雙層環(huán)形磁體結(jié)構(gòu)，靶材利用率低，耗電量大，成膜速率低。本實用新型的目的在于解決靶材利用率，成膜質(zhì)量等問題。采用U形磁體結(jié)構(gòu)，在兩極之間形成均勻的輝光放電區(qū)，磁極間距可以調(diào)節(jié)，靶可得到充分利用，成膜速率高、均勻，質(zhì)量好，結(jié)構(gòu)緊湊，便于放入真空系統(tǒng)，利于推廣使用，制作超導(dǎo)薄膜、金屬薄膜、合金薄膜及其它導(dǎo)電薄膜。
文檔編號C23C14/34GK2192628SQ9421359
公開日1995年3月22日 申請日期1994年6月1日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月1日
發(fā)明者閻少林 申請人:南開大學(xué)