本申請屬于半導(dǎo)體制造設(shè)備，具體地講，涉及用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（metal-organic?chemical?vapor?deposition，簡稱mocvd）設(shè)備是目前生產(chǎn)半導(dǎo)體外延材料的主要設(shè)備之一，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。傳統(tǒng)的行星式mocvd反應(yīng)室，石墨大盤基座中的邊緣每個圓形凹陷區(qū)域均放置一個石墨小盤，用于放置襯底片進(jìn)行外延生長，隨著生產(chǎn)的進(jìn)行，腔體表面（包括小盤，天棚（ceiling）等組件）會沉積大量的反應(yīng)殘余物，到達(dá)一定厚度后，表面沉積物就會從腔體表面脫落，部分吸附到量產(chǎn)的外延片表面，從而影響外延片產(chǎn)品的性能。所以需要定期對這些組件進(jìn)行更換維護(hù)。更換表面潔凈的組件后，mocvd通常需要一系列常規(guī)維護(hù)項目來恢復(fù)反應(yīng)室的狀態(tài)，確?？梢岳^續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)。這一系列維護(hù)項目主要包括：（1）高溫烘烤流程a，去除新更換組件吸附的水分；（2）沉積一定厚度的含鋁材料流程b，進(jìn)一步去除殘余的水和氧等雜質(zhì)；（3）生長驗證外延結(jié)構(gòu)流程c，用于確認(rèn)腔體狀態(tài)。這一系列維護(hù)項目，既耗費(fèi)時間，又需要成本，影響了生長效率。

2、因此，如何降低維護(hù)頻次，減少維護(hù)項目的數(shù)量，來降低成本和提高生產(chǎn)效率，是需要解決的重要問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請解決的技術(shù)問題是：如何提供一種可減少mocvd反應(yīng)室在生產(chǎn)過程中維護(hù)項目的頻次和數(shù)量的腔體結(jié)構(gòu)。

2、本申請?zhí)峁┝艘环N用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，所述腔體結(jié)構(gòu)包括：

3、反應(yīng)室上蓋，所述反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面設(shè)置有安裝部；

4、若干天棚，若干所述天棚疊放且安裝于所述安裝部；

5、石墨大盤基座，所述石墨大盤基座的設(shè)置有儲存部和工作位；

6、若干石墨小盤，一部分所述石墨小盤疊放于所述儲存部，另一部分所述石墨小盤放置于所述工作位。

7、可選地，所述安裝部位于所述反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面的中心，所述天棚的中心開設(shè)有安裝孔，所述安裝孔套接于所述安裝部。

8、可選地，所述安裝部為圓柱體，所述安裝孔為圓孔，所述安裝孔與所述安裝部的側(cè)壁螺紋連接。

9、可選地，所述反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面邊緣凸起形成環(huán)繞部，所述天棚的側(cè)面抵接于所述環(huán)繞部。

10、可選地，所述石墨大盤基座的中心區(qū)域內(nèi)凹形成所述儲存部，且所述中心區(qū)域周圍的若干邊緣區(qū)域內(nèi)凹形成若干所述工作位。

11、可選地，所述儲存部為圓柱體型凹槽。

12、可選地，所述腔體結(jié)構(gòu)還包括小盤棚，所述小盤棚安裝于所述安裝部的底端，當(dāng)所述反應(yīng)室上蓋與所述石墨大盤基座合體時，所述小盤棚蓋設(shè)于所述儲存部。

13、可選地，當(dāng)所述反應(yīng)室上蓋與所述石墨大盤基座合體時，所述小盤棚嵌入于所述儲存部的頂部。

14、可選地，所述腔體結(jié)構(gòu)還包括：

15、反應(yīng)室下框架，所述石墨大盤基座安裝于所述反應(yīng)室下框架之內(nèi)，所述反應(yīng)室下框架位于所述反應(yīng)室上蓋的下方且與所述反應(yīng)室上蓋可拆卸地蓋合。

16、本申請?zhí)峁┑囊环N用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，具有如下技術(shù)效果：

17、利用該腔體結(jié)構(gòu)進(jìn)行生產(chǎn)時，可以減少維護(hù)項目的數(shù)量和頻次，節(jié)省了成本和時間，提高設(shè)備利用率和生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體結(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述安裝部位于所述反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面的中心，所述天棚的中心開設(shè)有安裝孔，所述安裝孔套接于所述安裝部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述安裝部為圓柱體，所述安裝孔為圓孔，所述安裝孔與所述安裝部的側(cè)壁螺紋連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面邊緣凸起形成環(huán)繞部，所述天棚的側(cè)面抵接于所述環(huán)繞部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述石墨大盤基座的中心區(qū)域內(nèi)凹形成所述儲存部，且所述中心區(qū)域周圍的若干邊緣區(qū)域內(nèi)凹形成若干所述工作位。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述儲存部為圓柱體型凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體結(jié)構(gòu)還包括小盤棚，所述小盤棚安裝于所述安裝部的底端，當(dāng)所述反應(yīng)室上蓋與所述石墨大盤基座合體時，所述小盤棚蓋設(shè)于所述儲存部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述反應(yīng)室上蓋與所述石墨大盤基座合體時，所述小盤棚嵌入于所述儲存部的頂部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于簡化mocvd反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體結(jié)構(gòu)還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N用于簡化MOCVD反應(yīng)室維護(hù)項目的腔體結(jié)構(gòu)，腔體結(jié)構(gòu)包括反應(yīng)室上蓋、若干天棚、石墨大盤基座和若干石墨小盤，反應(yīng)室上蓋的內(nèi)表面設(shè)置有安裝部，若干天棚疊放且安裝于所述安裝部，石墨大盤基座設(shè)置有儲存部和工作位，一部分石墨小盤疊放于儲存部作為備用件，另一部分石墨小盤放置于工作位。利用該腔體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行生產(chǎn)時，能減少維護(hù)項目的數(shù)量和維護(hù)頻次，節(jié)省成本和時間，提高設(shè)備利用率和生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：顏建,張雨,黃勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9