本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種背面沉積的工藝腔室，以及一種半導(dǎo)體器件的背面沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，根據(jù)半導(dǎo)體工藝要求和器件的應(yīng)用，需要通過背面沉積設(shè)備，在晶圓的背面沉積一層薄膜。這一過程需要高度精確和清潔，以利于保持半導(dǎo)體制造過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的質(zhì)量。傳統(tǒng)的背面沉積設(shè)備通常采用干法清洗，其清洗氣體只有一個(gè)流入通道，并通過邊緣流入或中間流入的方式，對背面沉積設(shè)備進(jìn)行清洗。因此，該方法必然存在流道的邊緣區(qū)域和中間區(qū)域清洗速度不均勻，腔室不同位置氟化的程度差異較大的問題，最終導(dǎo)致工藝漂移和產(chǎn)生薄膜顆粒，對產(chǎn)品良率產(chǎn)生不利的影響。

2、現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種如cn?115810564?a所示的技術(shù)方案，為一種用于正面沉積的半導(dǎo)體處理腔體及其清潔方法。其技術(shù)方案中，帶有通氣功能的噴淋頭設(shè)于加熱盤的上方，同時(shí)抽氣口設(shè)于工藝腔室的下方。然而，若將該裝置配置于背面沉積設(shè)備中，則噴淋頭被設(shè)于加熱盤的下方，導(dǎo)致經(jīng)由工藝腔室的下方的抽氣口抽氣時(shí)，下方噴淋頭向上噴灑清潔氣體對其進(jìn)行清潔，導(dǎo)致上方區(qū)域無法清潔的問題。

3、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本領(lǐng)域亟需一種清潔技術(shù)，用于向工藝腔室提供均勻的清潔氣體，以提升產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下給出一個(gè)或多個(gè)方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認(rèn)出所有方面的關(guān)鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細(xì)的描述之前序。

2、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種背面沉積的工藝腔室，以及一種半導(dǎo)體器件的背面沉積設(shè)備，用于向工藝腔室提供均勻的清潔氣體，以提升產(chǎn)品的良率。

3、具體來說，根據(jù)本發(fā)明第一方面提供的背面沉積的工藝腔室包括：加熱板，位于所述工藝腔室的上部，用于加熱晶圓的正面，其中，所述加熱板上設(shè)有多個(gè)過氣通孔；噴淋板，位于所述工藝腔室的下部，用于向所述晶圓的背面提供工藝氣體，以配合所述加熱板對所述晶圓進(jìn)行背面薄膜沉積；以及第一進(jìn)氣口，位于所述加熱板之上，用于向所述加熱板的上方提供清潔氣體，其中，所述清潔氣體經(jīng)由所述加熱板上的所述多個(gè)過氣通孔，均勻地流動(dòng)至所述加熱板與所述噴淋板之間中心區(qū)域，以清潔所述中心區(qū)域。

4、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：勻氣襯套，包圍所述加熱板的上方，并與所述加熱板之間保持一勻氣環(huán)道，其中，所述第一進(jìn)氣口連通所述勻氣環(huán)道，以向所述加熱板的上方提供所述清潔氣體。

5、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述勻氣環(huán)道的通氣口徑隨其到所述第一進(jìn)氣口的距離而遞減，和/或所述過氣通孔的過氣口徑隨其到所述第一進(jìn)氣口的距離而遞增。

6、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：第二進(jìn)氣口，位于所述勻氣襯套之上，并連通所述勻氣環(huán)道的外部區(qū)域，以向所述勻氣襯套的上方提供所述清潔氣體。

7、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：晶圓支撐機(jī)構(gòu)，位于所述加熱板和所述噴淋板之間，用于支撐所述晶圓并暴露其背面，以對其進(jìn)行所述背面薄膜沉積，其中，所述清潔氣體經(jīng)由所述加熱板上的所述多個(gè)過氣通孔，均勻地流動(dòng)至所述加熱板與所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)之間的第一中間區(qū)域，所述清潔氣體還經(jīng)由所述勻氣環(huán)道的外部區(qū)域流動(dòng)至所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)與所述噴淋板之間的第二中間區(qū)域，以均勻清潔所述第一中間區(qū)域和所述第二中間區(qū)域。

8、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：清潔氣源，連接所述第一進(jìn)氣口和/或所述第二進(jìn)氣口，以向其提供所述清潔氣體。

9、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，位于所述清潔氣源與所述第一進(jìn)氣口和/或所述第二進(jìn)氣口之間，用于激發(fā)所述清潔氣源提供的清潔氣體，并將激發(fā)生成的等離子體傳輸?shù)剿龅谝贿M(jìn)氣口和/或所述第二進(jìn)氣口，以清潔所述工藝腔室。

10、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室還包括：至少一個(gè)抽氣口，位于所述噴淋板之下，以抽取所述工藝腔室內(nèi)的廢氣。

11、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室所述工藝腔室包括多個(gè)所述抽氣口，其中，各所述抽氣口圍繞所述工藝腔室縱向的中心軸對稱排布，以均勻地抽取所述工藝腔室內(nèi)的廢氣。

12、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的工藝腔室所述噴淋板還配置有加熱元件，用于加熱所述晶圓的背面和/或加熱所述工藝氣體，以促進(jìn)對所述晶圓的背面薄膜沉積。

13、此外，根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的半導(dǎo)體器件的背面沉積設(shè)備包括至少一個(gè)如本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的工藝腔室。

技術(shù)特征：

1.一種背面沉積的工藝腔室，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

3.如權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述勻氣環(huán)道的通氣口徑隨其到所述第一進(jìn)氣口的距離而遞減，和/或

4.如權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

5.如權(quán)利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

6.如權(quán)利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

7.如權(quán)利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

8.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

9.如權(quán)利要求8所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室包括多個(gè)所述抽氣口，其中，各所述抽氣口圍繞所述工藝腔室縱向的中心軸對稱排布，以均勻地抽取所述工藝腔室內(nèi)的廢氣。

10.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述噴淋板還配置有加熱元件，用于加熱所述晶圓的背面和/或加熱所述工藝氣體，以促進(jìn)對所述晶圓的背面薄膜沉積。

11.一種半導(dǎo)體器件的背面沉積設(shè)備，其特征在于，包括至少一個(gè)如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的工藝腔室。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種背面沉積的工藝腔室，以及一種半導(dǎo)體器件的背面沉積設(shè)備。所述背面沉積的工藝腔室包括：加熱板，位于所述工藝腔室的上部，用于加熱晶圓的正面，其中，所述加熱板上設(shè)有多個(gè)過氣通孔；噴淋板，位于所述工藝腔室的下部，用于向所述晶圓的背面提供工藝氣體，以配合所述加熱板對所述晶圓進(jìn)行背面薄膜沉積；以及第一進(jìn)氣口，位于所述加熱板之上，用于向所述加熱板的上方提供清潔氣體，其中，所述清潔氣體經(jīng)由所述加熱板上的所述多個(gè)過氣通孔，均勻地流動(dòng)至所述加熱板與所述噴淋板之間中心區(qū)域，以清潔所述中心區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：殷奇,譚宇琦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拓荊科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26