本技術(shù)涉及導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)，更具體地說，是涉及一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

1、導(dǎo)電薄膜是一種能夠?qū)崿F(xiàn)特定電子功能的薄膜材料。它具有導(dǎo)電性能，可以用于制造各種電子器件和電路。導(dǎo)電薄膜的種類繁多，根據(jù)不同的材料和工藝，可以分為多種類型。例如，金屬薄膜是一種常見的導(dǎo)電薄膜，如鋁、金、銀等金屬薄膜，具有良好的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定性。此外，半導(dǎo)體薄膜也是一種重要的導(dǎo)電薄膜，如硅、鍺等半導(dǎo)體材料制成的薄膜，具有優(yōu)良的導(dǎo)電性能和光電性能。

2、導(dǎo)電薄膜的制造工藝多種多樣，包括真空蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積等多種方法。當(dāng)前一般為采用真空蒸發(fā)的方式在基膜上形成鍍層，但是當(dāng)前的鍍膜方式要么效率低下，要么孔洞過多，無法在效率和孔洞之間達(dá)成平衡。

3、以上不足，有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決或緩解現(xiàn)有的鍍膜裝置，效率生產(chǎn)效率不高，孔洞多的問題，本實(shí)用新型提供一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置。

2、本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述：

3、一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，包括真空腔體，所述真空腔體內(nèi)部設(shè)置有放卷輥和收卷輥，所述放卷輥上放置有薄膜卷，所述放卷輥用于釋放所述薄膜卷上的薄膜，所述收卷輥用于收卷釋放的薄膜；所述真空腔體內(nèi)部沿薄膜走帶路徑依次設(shè)置有磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)，所述磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、所述電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)依次在所述薄膜的同一膜面上鍍有第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，所述第一金屬層的厚度、所述第二金屬層的厚度和所述第三金屬層的厚度依次增大。

4、進(jìn)一步，所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述第三金屬層的厚度和為1微米。

5、進(jìn)一步，所述第一金屬層的厚度為5納米～10納米，所述第二金屬層的厚度為20納米～70納米，所述第三金屬層的厚度為920納米～975納米。

6、進(jìn)一步，所述磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、所述電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)均設(shè)置有兩個(gè)，分別設(shè)置在薄膜的兩面。

7、進(jìn)一步，所述真空腔體內(nèi)部在所述磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、所述電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)處分別設(shè)置有冷卻輥。

8、進(jìn)一步，所述真空腔體內(nèi)部設(shè)置有若干過輥和張緊輥，所述過輥用于引導(dǎo)薄膜走帶方向，所述張緊輥用于調(diào)節(jié)薄膜走帶張力。

9、進(jìn)一步，所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)包括坩堝，所述坩堝為內(nèi)部中空的柱狀體，所述坩堝內(nèi)壁涂有防護(hù)涂層。

10、進(jìn)一步，所述防護(hù)涂層為氮化鋁防護(hù)涂層、氮化硅防護(hù)涂層或者氧化鋁防護(hù)涂層。

11、進(jìn)一步，所述防護(hù)涂層的平均反射率小于0.9。

12、進(jìn)一步，所述坩堝的材質(zhì)為石墨、氮化硼、氮化鋁、金屬合金中的一種。

13、根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型通過結(jié)合多種鍍膜技術(shù)，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)，提高鍍膜效率和質(zhì)量。先使用磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)為薄膜打底，可以增加其耐熱性能，減少后續(xù)鍍膜過程中的孔洞產(chǎn)生；再通過電子束鍍膜機(jī)構(gòu)增厚金屬層，可以進(jìn)一步確保薄膜的完整性和穩(wěn)定性；最后通過蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)完成鍍膜，可以快速完成整個(gè)鍍膜過程，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，包括真空腔體，所述真空腔體內(nèi)部設(shè)置有放卷輥和收卷輥，所述放卷輥上放置有薄膜卷，所述放卷輥用于釋放所述薄膜卷上的薄膜，所述收卷輥用于收卷釋放的薄膜；

2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述第三金屬層的厚度和為1微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為5納米～10納米，所述第二金屬層的厚度為20納米～70納米，所述第三金屬層的厚度為920納米～975納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、所述電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)均設(shè)置有兩個(gè)，分別設(shè)置在薄膜的兩面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空腔體內(nèi)部在所述磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、所述電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)處分別設(shè)置有冷卻輥。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空腔體內(nèi)部設(shè)置有若干過輥和張緊輥，所述過輥用于引導(dǎo)薄膜走帶方向，所述張緊輥用于調(diào)節(jié)薄膜走帶張力。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)包括坩堝，所述坩堝為內(nèi)部中空的柱狀體，所述坩堝內(nèi)壁涂有防護(hù)涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述防護(hù)涂層為氮化鋁防護(hù)涂層、氮化硅防護(hù)涂層或者氧化鋁防護(hù)涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述防護(hù)涂層的平均反射率小于0.9。

10.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，其特征在于，所述坩堝的材質(zhì)為石墨、氮化硼、氮化鋁、金屬合金中的一種。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種磁控、蒸鍍、電子束高效物理層積鍍膜裝置，包括真空腔體，真空腔體內(nèi)部設(shè)置有放卷輥和收卷輥，真空腔體內(nèi)部沿薄膜走帶路徑依次設(shè)置有磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)、電子束鍍膜機(jī)構(gòu)和蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)，依次在薄膜的同一膜面上鍍有第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，第一金屬層的厚度、第二金屬層的厚度和第三金屬層的厚度依次增大。本技術(shù)通過結(jié)合多種鍍膜技術(shù)，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)，提高鍍膜效率和質(zhì)量。先使用磁控濺射鍍膜機(jī)構(gòu)為薄膜打底，再通過電子束鍍膜機(jī)構(gòu)增厚金屬層，可以增加其耐熱性能，減少后續(xù)鍍膜過程中的孔洞產(chǎn)生，最后通過蒸發(fā)鍍膜機(jī)構(gòu)完成鍍膜，可以快速完成整個(gè)鍍膜過程，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：臧偉,羅能鐵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市鐳煜科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/26