本技術(shù)涉及一種柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，屬于磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
磁控濺射原理是電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。
常規(guī)磁控濺射鍍膜的工作氣體系統(tǒng),由工作氣體儲(chǔ)罐、氣體壓力穩(wěn)定器組和氣嘴排成。工作氣體通過(guò)壓力穩(wěn)定器后再通過(guò)氣嘴排送氣，壓力穩(wěn)定器控制輸出氣體總壓力穩(wěn)定，單位時(shí)間輸出的氣體總流量固定。優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單，造價(jià)低。缺點(diǎn)是靶面濺射程度受到系統(tǒng)真空度穩(wěn)定等影響。
后來(lái)在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中加入手動(dòng)流量控制器，其工作氣體通過(guò)一個(gè)氣嘴排供氣，氣體流量通過(guò)手動(dòng)流量控制器調(diào)整，以解決因真空系統(tǒng)穩(wěn)定性影響到濺射程度的一致性。但缺點(diǎn)是，手動(dòng)控制的反應(yīng)速度不及真空艙內(nèi)受影響的變化速度?？刂朴绊憸?，精度低。
現(xiàn)在多采用等離子體輻射監(jiān)視系統(tǒng)（pem），用于替代手動(dòng)調(diào)節(jié)工作氣體流量，以解決磁控濺射反應(yīng)速度，解決濺射程度的穩(wěn)定性和一致性。
在真空鍍膜反應(yīng)濺射過(guò)程中，來(lái)自真空鍍膜放電等離子體的發(fā)射光譜的譜線位置，取決于真空鍍膜靶材、真空鍍膜氣體成分和真空鍍膜化合物的組成。根據(jù)這種真空鍍膜放電等離子體發(fā)射光譜強(qiáng)度的變化就可以用來(lái)控制真空鍍膜反應(yīng)濺射的工藝過(guò)程。真空鍍膜等離子體的發(fā)射光譜通過(guò)真空鍍膜濺射室內(nèi)的平行光管、光纖系統(tǒng)傳輸?shù)秸婵斟兡R射室外的過(guò)濾器，再經(jīng)過(guò)光電倍增管、預(yù)放大器輸入到pem控制器，并與強(qiáng)度設(shè)定點(diǎn)相比較，然后輸出信號(hào)到壓電閥上，操縱壓電閥的開(kāi)啟與關(guān)閉，以控制輸入到真空鍍膜濺射室內(nèi)真空鍍膜反應(yīng)氣體的流量。由于真空鍍膜靶的中毒非?？欤赃@個(gè)壓電閥的反應(yīng)速度必須與化學(xué)反應(yīng)時(shí)間（-1ms）處于同一量級(jí)。采用上述pem的閉環(huán)控制的方法，能夠使真空鍍膜濺射狀態(tài)維持在遲滯回線上的任意一個(gè)工作點(diǎn)。特別對(duì)于真空鍍膜反應(yīng)濺射沉積tio2、sno2和ito真空鍍膜薄膜，其真空鍍膜工藝穩(wěn)定性得到了大大改善。但是，它不能解決橫向各點(diǎn)濺射反應(yīng)程度的控制，對(duì)于橫向膜厚度、面阻抗及光線透過(guò)等指標(biāo)的均勻性控制不能起到控制作用。
橫向各點(diǎn)氣體流量不盡相同，但效果——濺射點(diǎn)氣體流向靶面得離子體密度分布等同
但由于磁場(chǎng)分布的均勻性、系統(tǒng)真空度分布的不均衡、柔性基材內(nèi)部氣體、水分釋放等因素的影響，使得靶面離子濃度不均衡，從而影響到濺射程度，造成濺射沉積密度分布不均，最終影響到基材表面鍍膜膜層厚度的一致性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提供了一種可控制橫向各點(diǎn)濺射程度一致性的柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置。
本技術(shù)采取的技術(shù)方案為：一種柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，包括噴嘴排、磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭、磁控濺射程度分析比較裝置、閥門開(kāi)度控制裝置、電動(dòng)閥門、氣體壓力穩(wěn)壓裝置、氣體氣源，所述噴嘴排上設(shè)有氣體噴嘴，所述磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭有多個(gè)，用于檢測(cè)氣體噴嘴的濺射程度，磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭通過(guò)屏蔽電信號(hào)輸出線與磁控濺射程度分析比較裝置輸入端相連接，磁控濺射程度分析比較裝置的輸出端通過(guò)屏蔽電信號(hào)輸出線與閥門開(kāi)度控制裝置相連接，閥門開(kāi)度控制裝置用于控制電動(dòng)閥門的開(kāi)閉度，每個(gè)氣體噴嘴上均單獨(dú)設(shè)有電動(dòng)閥門，氣體氣源通過(guò)不銹鋼管依次與氣體壓力穩(wěn)壓裝置、電動(dòng)閥門、氣體噴嘴相連。
作為本技術(shù)優(yōu)選的技術(shù)方案，所述噴嘴排上相鄰氣體噴嘴之間的距離小于500mm。
作為本技術(shù)優(yōu)選的技術(shù)方案，所述磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭之間的距離小于500mm。
本技術(shù)柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置能控制橫向各點(diǎn)濺射程度一致，從而控制對(duì)應(yīng)點(diǎn)氣體分布密度，達(dá)到控制橫向相應(yīng)各點(diǎn)沉積率的目的，使得橫向各點(diǎn)膜性能指標(biāo)均勻一致。本技術(shù)中噴嘴排上各個(gè)氣體噴嘴可根據(jù)橫向各點(diǎn)均勻性分布狀況實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)噴嘴流經(jīng)氣體流量,控制濺射程度。由于本技術(shù)柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴嘴排上噴嘴密度較其它類型裝置噴嘴密集度要高，占用空間體積少，可以將濺射鍍膜靶機(jī)部分體積做的較小，有利于整體空間的縮小，節(jié)省能源，減少鍍膜質(zhì)量干擾因素。
附圖說(shuō)明
圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
下面結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)的具體實(shí)施方式做進(jìn)一步闡明。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
參見(jiàn)圖1，本柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，包括噴嘴排1、磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭2、磁控濺射程度分析比較裝置3、閥門開(kāi)度控制裝置4、電動(dòng)閥門5、氣體壓力穩(wěn)壓裝置6、氣體氣源7，噴嘴排上設(shè)有多個(gè)氣體噴嘴8，相鄰的氣體噴嘴8之間的距離為30mm，對(duì)立位置設(shè)有多個(gè)磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭2，相鄰磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭2間隔距離為60mm。用于檢測(cè)氣體噴嘴8的濺射程度，磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭2通過(guò)屏蔽電信號(hào)輸出線與磁控濺射程度分析比較裝置3輸入端相連接，磁控濺射程度分析比較裝置3的輸出端通過(guò)屏蔽電信號(hào)輸出線與閥門開(kāi)度控制裝置4相連接，閥門開(kāi)度控制裝置4用于控制電動(dòng)閥門5的開(kāi)閉度，每個(gè)工作氣體噴嘴9/反應(yīng)氣體噴嘴10上均單獨(dú)設(shè)有電動(dòng)閥門5，電動(dòng)閥門5分別受閥門開(kāi)度控制裝置4控制，相互間不受干擾，氣體氣源7通過(guò)不銹鋼管依次與氣體壓力穩(wěn)壓裝置6、電動(dòng)閥門5、氣體噴嘴8相連。
工作時(shí)，氣體氣源7內(nèi)儲(chǔ)存的氣體經(jīng)氣體壓力穩(wěn)壓裝置6穩(wěn)壓后經(jīng)電動(dòng)閥門5由氣體噴嘴8噴出，磁控濺射程度監(jiān)測(cè)探頭2測(cè)得各個(gè)噴嘴的濺射程度并將數(shù)據(jù)傳送給磁控濺射程度分析比較裝置3，磁控濺射程度分析比較裝置3將各個(gè)噴嘴的噴濺程度進(jìn)行比較，并將數(shù)據(jù)傳送給閥門開(kāi)度控制裝置4，閥門開(kāi)度控制裝置4控制噴濺程度大的噴嘴上的電動(dòng)閥門5開(kāi)閉度變小，使得該噴嘴的噴濺程度變小；控制噴濺程度小的噴嘴上的電動(dòng)閥門5開(kāi)閉度變大，使得該噴嘴的噴濺程度變大。
對(duì)用本柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴涂的透明導(dǎo)電薄膜，使用4點(diǎn)探針面阻抗測(cè)試裝置，測(cè)定磁控濺射透明導(dǎo)電薄膜橫面電阻。結(jié)果見(jiàn)表1?？梢钥闯觯帽救嵝源趴貫R射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴涂得到的鍍膜其表面均勻性良好。
表1、面阻抗分布均勻性測(cè)試統(tǒng)計(jì)