本實用新型涉及ALD熱態(tài)源儲存領(lǐng)域，特別涉及一種原子層沉積ALD熱態(tài)源的儲存裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導體工藝技術(shù)持續(xù)推進，芯片尺寸及線寬的不斷縮小、功能的提升成為半導體制造業(yè)者技術(shù)的關(guān)鍵，傳統(tǒng)的CVD沉積技術(shù)，已很難滿足日益嚴苛的工藝要求，ALD沉積技術(shù)開始使用越來越廣泛，在ALD沉積技術(shù)中，如何能很好的儲存并高效的利用熱態(tài)源是現(xiàn)在比較重視技術(shù)問題。

又如CN103388177A公開了一種半導體薄膜生長設(shè)備及其生長方法，該生長設(shè)備適用于化學氣相沉積工藝進行半導體薄膜的生長。所述半導體薄膜生長設(shè)備，其包括：載氣裝置、液態(tài)源裝置、生長室、旁路以及真空系統(tǒng)，這些部件之間通過管道按一定的邏輯關(guān)系連結(jié)成一個整體；且每條管道可獨立的打開或關(guān)閉。所述液態(tài)源裝置包括多個源瓶，安裝在一個惰性氣體控制柜里，其中源瓶安裝在恒溫槽里，通過載氣鼓泡法將液態(tài)源輸送至生長室，并在生長室中進行化學反應(yīng)合成所需半導體薄膜。所述載氣直接通過主管道進入生長室，并通過打開或關(guān)閉旁路控制生長室氣源，以達到控制薄膜生長以及切換過程中平衡生長室壓力的目的。

又如CN203530425U公開了一種碳化硅薄膜生長設(shè)備，其包括載氣裝置、液態(tài)源裝置、生長室、旁路以及真空系統(tǒng)；其中，所述載氣裝置與液態(tài)源裝置、生長室和旁路相連通；所述液態(tài)源裝置與所述生長室和旁路相連通；所述生長室與所述真空系統(tǒng)相連通，且上述各部件之間的連接可單獨關(guān)閉和打開；其中，所述液態(tài)源裝置包括四個液態(tài)源瓶，分別裝有用于生長碳化硅薄膜的碳源、硅源、N型雜質(zhì)源和P型雜質(zhì)源；所述載氣用于稀釋以及輸運生長源，直接通過主管道進入生長室。所述旁路可以單獨打開或關(guān)閉，從而控制生長室氣源進而控制薄膜生長；所述與載氣裝置相連接的旁路輸運氣量與主管道載氣量相當，使所述與液態(tài)源裝置相連接的旁路在切換過程中不至于影響生長室壓力。

目前ALD熱態(tài)源瓶有不同規(guī)格，一方面還未有相關(guān)的專業(yè)報道，另一方面在實際應(yīng)用時，已經(jīng)出現(xiàn)ALD源利用率不高、蒸汽壓不穩(wěn)、熱分解厲害等現(xiàn)象，不僅給工藝控制帶來麻煩，而且由于源的低利用率，增加了工藝成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種原子層沉積ALD熱態(tài)源的儲存裝置，包括瓶體，所述瓶體頂部由瓶蓋密封，所述瓶蓋與所述瓶體之間采用密封螺絲固定連接， 所述瓶蓋上設(shè)有波紋閥一和波紋閥二，所述波紋閥一連通載氣，所述波紋閥二為源蒸汽出口，所述瓶體內(nèi)側(cè)頂部兩側(cè)為弧形頂面，所述瓶體內(nèi)側(cè)底部為U型底面。

優(yōu)選地，所述波紋閥一相對位置低于波紋閥二。

優(yōu)選地，所述密封螺絲與所述瓶蓋之間采用無氧銅墊圈。

優(yōu)選地，所述瓶體為316L不銹鋼材質(zhì)，而且耐10個大氣壓壓力，瓶內(nèi)壁經(jīng)電化學拋光，粗糙度小于0.2um。

優(yōu)選地，所述瓶體上設(shè)有液位計。

優(yōu)選地，所述瓶體上設(shè)有氣壓表。

優(yōu)選地，所述瓶體上設(shè)有溫度表。

優(yōu)選地，所述瓶體上設(shè)有把手。

優(yōu)選地，所述瓶體外側(cè)底部設(shè)有自鎖式移動架。

本實用新型提供一種原子層沉積ALD熱態(tài)源的儲存裝置，通過采用該裝置，不僅提高了ALD源的利用率，降低成本；保證源蒸汽壓的穩(wěn)定，利于工藝參數(shù)的控制；有效降低ALD源的熱分解，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：通過本技術(shù)方案，其一是，能夠?qū)崿F(xiàn)源的有效利用率達90％以上；其二是，能保證源特別是剩余微量時還能保證穩(wěn)定的足夠的蒸汽壓；其三是，能將熱態(tài)源的分解控制在5％以內(nèi)。

附圖說明

圖1為一種原子層沉積ALD熱態(tài)源的儲存裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施方式，進一步闡明本實用新型，應(yīng)理解下述具體實施方式僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。

實施例1

如圖所示，一種原子層沉積ALD熱態(tài)源的儲存裝置，包括瓶體7，所述瓶體7為316L不銹鋼材質(zhì)，而且耐10個大氣壓壓力，瓶內(nèi)壁經(jīng)電化學拋光，粗糙度小于0.2um，所述瓶體7上設(shè)有用于測量瓶內(nèi)液位的液位計8，所述瓶體7上設(shè)有用于測量瓶內(nèi)氣壓的氣壓表10，所述瓶體7上設(shè)有測量瓶內(nèi)溫度的溫度表11，所述瓶體7外側(cè)底部設(shè)有用于儲存裝置移動的自鎖式移動架12，所述瓶體7上設(shè)有用于控制儲存裝置移動的把手9，所述瓶體7頂部由瓶蓋3密封，所述瓶蓋3與所述瓶體7之間采用密封螺絲4固定連接，所述密封螺絲4與所述瓶蓋3之間采用無氧銅墊圈，所述瓶蓋3上設(shè)有波紋閥一1和波紋閥二2，所述波紋閥一1相對位置低于波紋閥二2，所述波紋閥一1連通載氣，所述波紋閥二2為源蒸汽出口，所述瓶體7內(nèi)側(cè)頂部兩側(cè)為弧形頂面6，所述弧形頂面6保證了源在使用過 程中蒸汽壓的持續(xù)穩(wěn)定性；所述瓶體7內(nèi)側(cè)底部為U型底面5，所述U型底面5提高了源的使用率，保證源使用剩余微量時足夠蒸汽壓，還能降低熱態(tài)源的熱分解。

ALD源首先通過打開瓶蓋3，將源灌裝到源瓶瓶體7中，同時瓶體7與瓶蓋3之間通過密封螺絲4和無氧銅墊圈加固密封，載氣連接到波紋閥一1上端，并將源蒸汽通過波紋閥二2帶到ALD沉積腔體。

除上述實施例外，本實用新型還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實用新型要求的保護范圍。