技術(shù)特征：

1.一種等離子體鍍膜裝置，包括真空室以及與真空室連接的等離子體射頻電源，其特征在于：所述真空室下部設(shè)有至少一個抽氣口，所述真空室內(nèi)部的上部設(shè)有靶、下部設(shè)有用于盛放樣品的陽極，所述陽極與旋轉(zhuǎn)機構(gòu)連接，所述真空室上設(shè)有用于穿過等離子體探針的動密封結(jié)構(gòu)，所述等離子體探針一端深入真空室內(nèi)部，另一端連接控制與傳輸系統(tǒng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體鍍膜裝置，其特征在于：所述控制與傳輸系統(tǒng)包括用于采集等離子體探針上電壓和電流信號的數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)、PC、PLC，所述等離子體探針的輸出端與數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸入端連接，數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸出端與PC的輸入端連接，所述PC的輸出端與PLC的輸入端連接，所述PLC的輸出端與所述等離子體射頻電源連接，所述PLC與所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體鍍膜裝置，其特征在于：所述等離子體探針為接觸式等離子體探針。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體鍍膜裝置，其特征在于：所述靶與位于真空室外壁頂部的絕緣板連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體鍍膜裝置，其特征在于：所述PLC的輸出端連接所述數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)的輸入端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體鍍膜裝置，其特征在于：所述等離子體的產(chǎn)生方法為微波法、射頻法、直流/交流放電法、電子回旋共振法中的一種。