本發(fā)明涉及在借助磁力將掩模向基板吸引的狀態(tài)下進(jìn)行成膜的技術(shù)。

背景技術(shù)：

在透明導(dǎo)電膜的形成中，濺鍍法由于能夠形成膜厚均勻且電阻值和透射率等特性也良好的透明導(dǎo)電膜，并且能夠得到高成膜率，因此被廣泛應(yīng)用。在濺鍍法中，存在使用濺鍍用金屬掩模來(lái)進(jìn)行圖案成膜的方法。

在使用濺鍍用金屬掩模的情況下，通過(guò)在基板的背面?zhèn)仍O(shè)置磁鐵，能夠使掩模長(zhǎng)期緊密貼合于基板的正面?zhèn)取?/p>

但是，在這種情況下，掩模緊密貼合用的磁鐵的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生在濺鍍時(shí)造成異常放電等的影響，或者材料粒子會(huì)受到磁場(chǎng)的影響，從而可能導(dǎo)致在基板上成膜的膜質(zhì)量出現(xiàn)不均。

因此，執(zhí)行了例如專利文獻(xiàn)1、2中的如下所示的膜質(zhì)量不均對(duì)策。

在專利文獻(xiàn)1中，作為膜質(zhì)量不均對(duì)策，公開(kāi)了這樣的技術(shù)：通過(guò)在玻璃基板和磁鐵之間設(shè)置防磁掩模，由此使通過(guò)防磁掩模后的磁場(chǎng)在250高斯以下。

另外，在專利文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了這樣的技術(shù)：通過(guò)與掩模圖案相對(duì)應(yīng)地配置磁鐵，來(lái)執(zhí)行膜質(zhì)量不均對(duì)策。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了這樣的內(nèi)容：準(zhǔn)備多個(gè)濺鍍室，并分別準(zhǔn)備與不同的掩模圖案相對(duì)應(yīng)的磁鐵，由此來(lái)應(yīng)對(duì)多種掩模圖案。

可是，在專利文獻(xiàn)1中，由于使磁場(chǎng)為250高斯以下，因此掩模的緊密貼合力變?nèi)?，難以承受長(zhǎng)期的緊密貼合。因此，導(dǎo)致裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率的惡化和掩模更換費(fèi)用的增加。

另外，在專利文獻(xiàn)2中，如果準(zhǔn)備多個(gè)腔室和磁鐵，則會(huì)產(chǎn)生大量的費(fèi)用。另外，在使用新的掩模時(shí)，需要更換磁鐵，會(huì)導(dǎo)致裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率的惡化。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2003-268530號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平11-131212號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述那樣的現(xiàn)狀而完成的，提供一種成膜裝置，其不會(huì)產(chǎn)生膜質(zhì)量不均且能夠使掩模長(zhǎng)期緊密貼合于基板，另外，能夠以1個(gè)腔室應(yīng)對(duì)多種掩模圖案，而且，即使在改變掩模的情況下也無(wú)需更換磁鐵等，不會(huì)導(dǎo)致裝置成本升高且能夠?qū)崿F(xiàn)裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率的提高。

本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的主旨進(jìn)行說(shuō)明。

關(guān)于本發(fā)明的第1方式的成膜系統(tǒng)，其在利用配置于基板的與具有開(kāi)口的掩模相反的一側(cè)的磁鐵將所述掩模向基板側(cè)吸引的狀態(tài)下在所述基板上形成膜，其特征在于，在所述磁鐵與所述基板之間設(shè)置有磁性體部，所述磁性體部使得與所述掩模的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的所述磁鐵的磁力小于與所述掩模的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的所述磁鐵的磁力。

關(guān)于本發(fā)明的第2方式的磁性體部，其被配置在成膜裝置的磁鐵與基板之間使用，其中，所述成膜裝置具備：基板保持部，其保持所述基板；掩模保持部，其用于保持具有開(kāi)口的掩模；以及所述磁鐵，其設(shè)置于所述基板的與設(shè)置所述掩模的一側(cè)相反的一側(cè)，其特征在于，在與所述掩模的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有導(dǎo)磁率比與所述掩模的所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的導(dǎo)磁率低的區(qū)域。

另外，本發(fā)明的第3方式的膜的制造方法使用具有開(kāi)口的掩模在基板的被成膜面上形成膜，其特征在于，所述膜的制造方法具有：在所述基板的與被成膜面相反的一側(cè)從所述基板側(cè)起依次配置磁性體部和磁鐵的工序；在所述基板的被成膜面?zhèn)扰渲盟鲅谀５墓ば?；以及隔著所述掩模在所述基板的被成膜面上形成膜的工序，利用所述磁性體部使得所述磁鐵的磁力在所述掩模的開(kāi)口部中比在所述掩模的非開(kāi)口部中弱。

由于本發(fā)明如上述那樣構(gòu)成，因此成為了這樣的成膜裝置：不會(huì)產(chǎn)生膜質(zhì)量不均且能夠使掩模長(zhǎng)期緊密貼合于基板，另外，能夠以1個(gè)腔室應(yīng)對(duì)多種掩模圖案，而且，即使在改變掩模的情況下也無(wú)需更換磁鐵等，不會(huì)導(dǎo)致裝置成本升高且能夠?qū)崿F(xiàn)裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率的提高。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)施例的概要說(shuō)明立體圖。

圖2是本實(shí)施例的掩模和磁性體部的概要說(shuō)明立體圖。

圖3是另一例1的磁性體部的概要說(shuō)明俯視圖。

圖4的(a)是另一例2的磁性體部的概要說(shuō)明俯視圖，(b)是概要說(shuō)明剖視圖。

圖5是示出本實(shí)施例的處理室的配置的概要說(shuō)明圖。

圖6是示出處理室的配置例的概要說(shuō)明圖。

圖7是示出處理室的配置例的概要說(shuō)明圖。

圖8是示出處理室的配置例的概要說(shuō)明圖。

圖9是示出處理室的配置例的概要說(shuō)明圖。

圖10是蒸鍍裝置的概要說(shuō)明主視圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1：基板；

4：掩模；

5：磁鐵；

6：磁性體部；

7：磁性體；

8：基板保持體。

具體實(shí)施方式

基于附圖示出本發(fā)明的作用，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式簡(jiǎn)單進(jìn)行說(shuō)明。

在利用磁鐵5將掩模4向基板1側(cè)吸引的狀態(tài)下進(jìn)行成膜。對(duì)于掩模，使用了由被磁鐵吸引的磁性體形成的掩模。

此時(shí)，能夠利用磁性體部6減小在無(wú)助于掩模4的吸引或緊密貼合的掩模4的開(kāi)口部中的磁力，從而能夠防止受到磁鐵5的磁場(chǎng)的影響而導(dǎo)致膜質(zhì)量或膜厚產(chǎn)生不均。另外，在掩模4的非開(kāi)口部中，磁力下降的程度比在掩模4的開(kāi)口部中小，掩模4的非開(kāi)口部良好地維持被磁鐵5向基板1吸引的狀態(tài)。

即，磁性體部6在與掩模4的開(kāi)口部相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中使從磁鐵5產(chǎn)生的磁力減弱，其中，掩模4的開(kāi)口部無(wú)助于對(duì)掩模4的吸引，另一方面，在與掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)使磁力盡可能不降低的狀態(tài)，其中，掩模4的非開(kāi)口部有助于對(duì)掩模4的吸引。因此，與如專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣在整體上使磁場(chǎng)減弱的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制吸引掩模的力降低，并且能夠抑制磁鐵5的磁場(chǎng)對(duì)成膜區(qū)域施加的影響，從而能夠在防止膜質(zhì)量不均的同時(shí)使掩模4和基板1長(zhǎng)期緊密貼合。

另外，如果在儲(chǔ)存室中準(zhǔn)備多種磁性體部6，則能夠?qū)?yīng)于所使用的掩模4的開(kāi)口形狀(掩模圖案)適當(dāng)?shù)馗鼡Q磁性體部6。因此，不需要使裝置臨時(shí)停止來(lái)更換磁鐵5或者準(zhǔn)備多個(gè)腔室就能夠應(yīng)對(duì)多種掩模圖案，相應(yīng)地，能夠提高運(yùn)轉(zhuǎn)率，而且能夠削減裝置成本。

實(shí)施例

基于附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

關(guān)于本實(shí)施例的成膜裝置，在真空室內(nèi)對(duì)置地配置有保持基板1的基板保持部、和設(shè)置有靶材(成膜源)2的負(fù)極(成膜源設(shè)置部)3。并且，本實(shí)施例的成膜裝置是這樣的濺鍍裝置：一邊向真空室內(nèi)導(dǎo)入Ar等惰性氣體，一邊對(duì)基板1與負(fù)極3之間施加直流高電壓，使離子化的Ar碰撞靶材2，由此使靶材材料成膜到基板1上。另外，也可以采用這樣的結(jié)構(gòu)：除了惰性氣體外，還導(dǎo)入O₂、N₂等反應(yīng)性氣體，進(jìn)行反應(yīng)性濺鍍，形成ITO等化合物膜。

具體來(lái)說(shuō)，如圖1所示，本實(shí)施例是具有配置在所述基板1的所述負(fù)極3側(cè)的掩模4和配置在所述基板1的與所述負(fù)極3相反的一側(cè)的磁鐵5的結(jié)構(gòu)，利用由該磁鐵5產(chǎn)生的磁力將所述掩模4向所述基板1側(cè)吸引而使其緊密貼合于所述基板1。

作為掩模4，可以采用公知的磁性體掩模、例如厚度為0.2～1mm左右的由因瓦合金材料(Ni-Fe系合金)構(gòu)成的掩模。另外，磁鐵5構(gòu)成為，在基部的表面呈格子狀并排設(shè)置有多個(gè)永久磁鐵以便對(duì)整個(gè)掩模4進(jìn)行吸引。也可以使用電磁鐵來(lái)代替永久磁鐵。在圖中，標(biāo)號(hào)9是掩?？蚣?。

接下來(lái)，對(duì)在本發(fā)明中使用的磁性體部6、磁性體7以及基板保持體8進(jìn)行說(shuō)明。

在本實(shí)施例中，在所述磁鐵5與所述基板1之間設(shè)置有磁性體部6，所述磁性體部6構(gòu)成為：與從所述磁鐵5產(chǎn)生的磁力中的產(chǎn)生吸引力的、所述掩模4的非開(kāi)口部處的磁力相比，所述磁性體部6使不產(chǎn)生吸引力的所述掩模4的開(kāi)口部處的磁力減弱。具體來(lái)說(shuō)，磁性體部6在與掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有導(dǎo)磁率比與掩模4的開(kāi)口對(duì)應(yīng)的區(qū)域的導(dǎo)磁率低的區(qū)域。

圖2示出了磁性體部6的結(jié)構(gòu)例。磁性體部6僅在基板保持體8的與所述掩模4的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置分別具有板狀的磁性體7，并在與所述掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置不具有磁性體7，所述磁性體7具有防磁性。通過(guò)形成這樣的結(jié)構(gòu)，能夠構(gòu)成為：使所述掩模4的開(kāi)口部處的磁力降低，所述掩模4的非開(kāi)口部處的磁力幾乎不降低。

更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施例中，在所述磁鐵5與所述基板1之間設(shè)置保持所述基板1的基板保持體8，在該基板保持體8上設(shè)置所述磁性體7而構(gòu)成了所述磁性體部6。也可以構(gòu)成為將磁性體7埋設(shè)于基板保持體8中。關(guān)于磁性體7，只要導(dǎo)磁率高即可，關(guān)于材質(zhì)，優(yōu)選是由坡莫合金、SPCC(冷軋鋼板)、SS400(一般結(jié)構(gòu)用軋制鋼板)、不銹鋼(SUS440、SUS430)構(gòu)成的材質(zhì)。另外，掩模的開(kāi)口部處的磁性體7的厚度優(yōu)選是大約2mm～5mm。作為基板保持體8，采用了非磁性體的鋁制的基板保持體?；灞３煮w8在保持著基板1的狀態(tài)下被機(jī)器手11搬送。并且，省略了基于基板保持體8的基板保持結(jié)構(gòu)的圖示。

磁性體7通過(guò)螺釘?shù)妊b卸自如地設(shè)置于基板保持體8上，并且構(gòu)成為能夠?qū)?yīng)于所述磁鐵5的磁力和所述掩模4的開(kāi)口形狀來(lái)變更配置。

另外，可以如圖3所示的另一例1那樣，將對(duì)應(yīng)于掩模4的開(kāi)口部配置的多個(gè)磁性體通過(guò)連結(jié)部互相連結(jié)，從而與基板保持體8分體地構(gòu)成磁性體部6。具體來(lái)說(shuō)，可以在能夠?qū)ρ谀?所具有的多個(gè)開(kāi)口部進(jìn)行防磁的大小的磁性體7的、與所述掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置多個(gè)貫通口10而構(gòu)成吸引部。或者可以構(gòu)成為，與掩模4的開(kāi)口部相對(duì)應(yīng)地并排設(shè)置多個(gè)能夠?qū)ρ谀?的開(kāi)口部進(jìn)行防磁的大小的磁性體7，并在與掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置處通過(guò)連結(jié)部使所述磁性體7部分地連結(jié)。這種情況下，未被連結(jié)的部分成為貫通口。并且，設(shè)置于吸引部的貫通口10的形狀并不特別限定，可以是圖3所示那樣的圓孔，也可以是多邊形狀的孔。

另外，也可以如圖4所示的另一例2那樣構(gòu)成為：不是在與掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置貫通孔，而是使與掩模4的非開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置處的磁性體7的厚度比與掩模4的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的位置處的厚度薄(1/2左右)。

另外，在使磁性體部6與基板保持體8分體的情況下，將磁性體部6配置在基板保持體8與基板1之間。另外，在磁性體部6與基板保持體8分體的情況下，磁性體部6構(gòu)成為板狀，以便能夠利用用于搬送所述基板或所述掩模搬的機(jī)器手11進(jìn)行搬送。

通過(guò)以能夠利用機(jī)器手11進(jìn)行搬送的方式構(gòu)成磁性體部6，能夠預(yù)先將多種磁性體部6收納于基板保持體儲(chǔ)存室中，并根據(jù)需要通過(guò)機(jī)器手11自動(dòng)更換。

例如，如圖5所示，在搬送室12的周圍設(shè)置有成膜室13、基板保持體儲(chǔ)存室14、掩模儲(chǔ)存室15作為處理室，預(yù)先在基板保持體儲(chǔ)存室14中收納有與多種掩模圖案對(duì)應(yīng)的多種基板保持體8(磁性體部6)，在將掩模4更換為不同的掩模圖案的掩模時(shí)，能夠?qū)?yīng)地更換基板保持體8(磁性體部6)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)需使裝置停止就可以更換為與多種掩模圖案對(duì)應(yīng)的磁性板部6的成膜裝置，相應(yīng)地，能夠提高裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率。

另外，不限于圖5的結(jié)構(gòu)，也可以構(gòu)成為如圖6～9所示那樣在搬送室12的周圍設(shè)置各處理室。并且，圖9是設(shè)置有兼作基板保持體儲(chǔ)存室和掩模儲(chǔ)存室的儲(chǔ)存室16的結(jié)構(gòu)。無(wú)論在哪種結(jié)構(gòu)中，都能夠使用機(jī)器手11在不使裝置停止的情況下自動(dòng)更換基板保持體8(磁性體部6)，從而能夠提高裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率。

另外，本發(fā)明也可以用于如下這樣的成膜裝置(蒸鍍裝置)：對(duì)收納于成膜源的材料加熱，使材料蒸鍍于基板上而進(jìn)行成膜。

并且可以用于如下這樣的成膜裝置(蒸鍍裝置)：在利用磁鐵的磁力將形成有規(guī)定的掩模圖案的掩模向基板吸引的狀態(tài)下，使從成膜源飛散的材料粒子隔著所述掩模在基板上形成膜。

結(jié)果是，能夠改善從成膜源飛散出的材料粒子受到磁鐵的磁力影響這一情況，從而能夠抑制在基板上形成的膜的膜質(zhì)量或膜厚出現(xiàn)不均。

圖10是對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的蒸鍍裝置進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

在本實(shí)施例所說(shuō)明的成膜裝置中設(shè)置有：蒸發(fā)源設(shè)置部(成膜源設(shè)置部)3，其設(shè)置有向保持減壓氣氛的真空槽20內(nèi)釋放氣化了的成膜材料的蒸發(fā)源(成膜源)2；膜厚監(jiān)視器23，其監(jiān)視從蒸發(fā)源2釋放出的材料的蒸發(fā)速率；設(shè)置在真空槽20外的膜厚計(jì)22；電源21，其對(duì)設(shè)置于蒸發(fā)源2的加熱裝置進(jìn)行控制；對(duì)基板1進(jìn)行保持的基板保持部25；基板保持體8，其在搬送基板時(shí)被使用，且在裝置內(nèi)與基板保持部25連結(jié)；對(duì)掩模4進(jìn)行保持的掩模保持部24；掩?？蚣?，其是掩模保持部的一部分，用于載置掩模；將掩模4向基板1側(cè)吸引的磁鐵5；磁性體7，其使來(lái)自磁鐵的磁力變?nèi)?；具備磁性體7的磁性體部6；以及使磁鐵5升降的磁鐵升降機(jī)構(gòu)26。

在本實(shí)施例中，蒸發(fā)源2是具備多個(gè)針對(duì)基板1的成膜面釋放材料的釋放孔的結(jié)構(gòu)，并且設(shè)置有相對(duì)于成膜面相對(duì)移動(dòng)的蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)。蒸發(fā)源2不限于此，只要對(duì)應(yīng)于基板1或掩模4的圖案等適當(dāng)?shù)剡x定蒸發(fā)源即可，例如可以采用點(diǎn)蒸發(fā)源、或者在小型的材料收納部上連接擴(kuò)散室且在擴(kuò)散室上具備多個(gè)釋放材料的釋放孔的結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)源等。

基板保持部25除了保持基板1外還具有用于調(diào)整基板1的位置的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，能夠調(diào)節(jié)與掩模4或蒸發(fā)源2的相對(duì)位置。掩模保持部24除了保持掩模4或掩模框架9外還具有用于調(diào)整掩模4的位置的掩模移動(dòng)機(jī)構(gòu)，能夠調(diào)節(jié)與基板1或蒸發(fā)源2的相對(duì)位置。

接下來(lái)，對(duì)通過(guò)蒸鍍裝置進(jìn)行成膜的工序進(jìn)行說(shuō)明。

預(yù)先在基板1和掩模4上設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模4被搬送構(gòu)件(未圖示)搬入真空槽20內(nèi)，并載置于掩模保持部24上。掩模保持部24具有移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使掩模4移動(dòng)到規(guī)定的位置。

蒸發(fā)源2為了使材料氣化而通過(guò)電源21控制設(shè)置于蒸發(fā)源2的加熱裝置。

另外，可以在蒸發(fā)源2的材料釋放側(cè)設(shè)置擋板，通過(guò)擋板的開(kāi)閉來(lái)控制成膜。

設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的基板1在被保持于基板保持體8的狀態(tài)下被搬送構(gòu)件搬入真空槽20內(nèi)，并載置于基板保持部25。

可以在該基板保持體8上設(shè)置磁性體7或由磁性體7構(gòu)成的磁性體部6。

或者，在不將磁性體部6設(shè)置于基板保持體8的情況下，將磁性體7或由磁性體7構(gòu)成的磁性體部6設(shè)置在基板1與磁鐵5之間。具體來(lái)說(shuō)，以基板1的形成膜的一側(cè)的面(被成膜面)朝向所述基板保持體8的相反側(cè)的方式在基板保持體8上依次配置磁性體部6、基板1，并利用夾具等固定器具將基板保持體8、基板1以及磁性體部6互相固定。此時(shí)，如果使基板1的被成膜面水平來(lái)進(jìn)行，則作業(yè)變得簡(jiǎn)單，因此是優(yōu)選的。

然后，以基板1的被成膜面朝向蒸發(fā)源2側(cè)的方式將該基板1與板保持體8一起設(shè)置于基板保持部25，利用設(shè)置于基板保持部25的移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行掩模4與基板1的對(duì)準(zhǔn)。在本實(shí)施例中，利用設(shè)置于掩模4的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和設(shè)置于基板1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)進(jìn)行掩模4與基板1的對(duì)準(zhǔn)。

另外，也可以是，在基板1被搬入真空槽20內(nèi)且通過(guò)基板保持部25被配置在規(guī)定的位置后，利用掩模保持部24使掩模4移動(dòng)，來(lái)進(jìn)行掩模4與基板1的對(duì)準(zhǔn)。

在完成對(duì)準(zhǔn)后，利用磁鐵升降機(jī)構(gòu)26使磁鐵5接近基板1和磁性體部6。由此，形成為利用從磁鐵5產(chǎn)生的磁力將掩模4向基板1吸引的整體。

然后，打開(kāi)蒸發(fā)源2的擋板等開(kāi)始成膜，在基板1上形成與掩模4的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的圖案的膜。晶體振子等膜厚監(jiān)視器23計(jì)測(cè)蒸發(fā)速率，并通過(guò)膜厚計(jì)22換算成膜厚。持續(xù)進(jìn)行蒸鍍，直至通過(guò)膜厚計(jì)22換算出的膜厚成為目標(biāo)膜厚。

在膜厚計(jì)22達(dá)到目標(biāo)膜厚后，閉合蒸發(fā)源2的擋板并結(jié)束蒸鍍。然后，在利用磁鐵升降機(jī)構(gòu)26使磁鐵5從基板1和磁性體部6離開(kāi)后，利用搬送構(gòu)件將基板1搬到真空槽20外，并搬入下一基板1，以相同的工序進(jìn)行成膜。

每進(jìn)行多張基板1的蒸鍍后更換掩模4。可以根據(jù)成膜材料相對(duì)于掩模4的堆積情況等來(lái)適當(dāng)?shù)貨Q定掩模4的更換頻率。

將基板保持體8、基板1以及磁性體部6互相固定的工序優(yōu)選在使基板1的被成膜面水平的情況下來(lái)進(jìn)行，但是，此后的基板搬送工序或?qū)?zhǔn)工序、成膜工序等優(yōu)選在使基板1的被成膜面鉛直的情況下來(lái)進(jìn)行。并且，此處所說(shuō)的水平和鉛直允許±30°的范圍的誤差。

并且，本發(fā)明并不限于本實(shí)施例，各結(jié)構(gòu)要素的具體結(jié)構(gòu)都能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)。