本發(fā)明實(shí)施例涉及熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)：

化學(xué)汽相沉積(cvd)是在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中采用的用于產(chǎn)生膜的化學(xué)工藝。通常，將晶圓暴露于一個或多個易失性前體，易失性前體在晶圓上反應(yīng)或分解以產(chǎn)生沉積的膜。實(shí)際上，膜的均勻性影響膜沉積的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)，包括：底室；上室，存在于所述底室上方，其中，所述上室和所述底室限定了位于它們之間的室間隔；工件支撐件，配置為支撐所述室間隔中的工件；加熱器，配置為對所述工件施加熱量；以及至少一個屏蔽板，配置為至少部分地為所述底室屏蔽熱量。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，還提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)，包括：處理室，具有底壁；工件支撐件，配置為支撐所述處理室中的工件；加熱器，配置為對所述工件施加熱量；以及至少一個反射器，位于所述加熱器和所述處理室的底壁之間，所述反射器具有朝向所述工件的反射表面，其中，所述反射表面對熱量具有至少一個反射率。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種用于處理襯底的方法，所述方法包括：在處理室中對襯底施加熱量，同時所述熱量的至少部分朝向所述處理室的底壁傳輸；以及為所述處理室的底壁至少部分地屏蔽朝向所述處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)的示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的平面圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的分解圖。

圖4至圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些其他的實(shí)施例的屏蔽板的平面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

本文中所使用的術(shù)語是僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不是為了限制本發(fā)明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否則單數(shù)“一”，“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)在本發(fā)明中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”時，指定闡述的部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但不排除附加的一個或多個其他部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對術(shù)語以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且在此使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。

除非另有規(guī)定，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有如本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還應(yīng)該理解，除非本文清楚地限定，否則，諸如常用的字典中限定的那些的術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的內(nèi)容中的意思一致的意思，并且不應(yīng)該以理想化和過于正式的形式來解釋。

參照圖1。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)100的示意圖。如圖1所示，熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100包括底室110、上室120、工件支撐件130、加熱器140和至少一個屏蔽板150。上室120存在于底室110上方。上室120和底室110形成處理室115并且限定位于底室和上室之間的室間隔s。工件支撐件130配置為支撐位于處理室115的室間隔s中的工件p。加熱器140配置為施加熱量于工件p。屏蔽板150配置為至少部分地為底室110屏蔽熱量。

更具體地，底室110具有朝向室間隔s的上表面111。詳細(xì)地，處理室115具有底壁116和位于底壁116上的上表面111。此外，上表面111對熱量具有非對稱的反射率。在一些實(shí)施例中，熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100進(jìn)一步包括至少一個機(jī)械部件160。機(jī)械部件160存在于底室110上。機(jī)械部件160和底室110的組合具有朝向室間隔s的上表面111。底室110上的機(jī)械部件160的存在導(dǎo)致對上表面111的熱量的非對稱反射率。

如圖1所示，在工件支撐件130和屏蔽板150之間設(shè)置加熱器140。在一些實(shí)施例中，屏蔽板150至少部分地覆蓋底室110的上表面111。更具體地，屏蔽板150至少部分地覆蓋機(jī)械部件160。在一些實(shí)施例中，屏蔽板150是反射器并且具有朝向工件支撐件130的反射表面151，并且反射表面151對熱量具有反射率。加熱器140和處理室115的底壁116之間存在作為反射器的屏蔽板150。在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作期間，從加熱器140遠(yuǎn)離工件p發(fā)射的熱量將會朝向工件p反射。這樣，從加熱器140遠(yuǎn)離工件p發(fā)射的熱量可以通過屏蔽板150的反射表面151以均勻的方式朝向工件p反射，進(jìn)而促進(jìn)工件p的均勻的溫度分布并且因此工件p設(shè)置在室間隔s中。因此，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，因此提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

從技術(shù)上講，為了使屏蔽板150的反射表面151對熱量具有一個反射率，將屏蔽板150的反射表面151拋光至一定程度，稱為第一拋光層級。換言之，拋光屏蔽板150的反射表面151拋光為具有第一層級。具有第一層級的拋光，從加熱器140遠(yuǎn)離工件p發(fā)射的熱量可以以均勻的方式朝向工件p反射。

參照圖2。圖2是根據(jù)本發(fā)明一些其他的實(shí)施例的屏蔽板150的平面圖。在一些實(shí)施例中，屏蔽板150的反射表面151具有至少兩個反射區(qū)。例如，如圖2所示，屏蔽板150的反射表面151具有至少一個第一反射區(qū)151a和至少一個第二反射區(qū)151b。第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b對熱量具有不同的反射率。

在一些其他實(shí)施例中，可通過具有各自的不同尺寸和不同反射率的層壓板形成屏蔽板150的反射表面151，從而使得根據(jù)實(shí)際情況暴露第三反射區(qū)、第四反射區(qū)和第五反射區(qū)等。

另一方面，如上所述，例如，反射表面151具有諸如第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b的至少兩個反射區(qū)或多個反射區(qū)。每個反射區(qū)對熱量都具有反射率。在一些實(shí)施例中，通過對應(yīng)的反射區(qū)的拋光層級確定每個反射區(qū)對熱量的反射率。如上所述，第一反射區(qū)151a具有第一層級的拋光。同樣地，第二反射區(qū)151b具有第二層級的拋光。這意味著第一反射區(qū)151a具有對應(yīng)于第一層級的拋光的反射率，同時第二反射區(qū)151b具有對應(yīng)于第二層級的拋光的反射率。實(shí)際來講，第二層級的拋光不同于第一層級的拋光。

此外，在一些實(shí)施例中，通過對應(yīng)的反射區(qū)的粗糙度確定每個反射區(qū)的拋光層級。換言之，每個反射區(qū)的粗糙度確定了由對應(yīng)的反射區(qū)朝向工件p反射的來自加熱器140的熱量的量。在一些實(shí)施例中，反射區(qū)具有不同的粗糙度。換言之，粗糙度的至少兩個是不同的。這意味著，反射區(qū)的至少兩個的粗糙度是不同的，從而使得對熱量的反射率的至少兩個是不同的。更具體地，如上所述，第一反射區(qū)151a具有第一層級的拋光，同時第二反射區(qū)151b具有第二層級的拋光，這里第二層級的拋光不同于第一層級的拋光。

此外，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際情況確定屏蔽板150的反射表面151上的反射區(qū)的分配。例如，如果檢測出工件p的一部分具有比工件p的其他部分更低的溫度，那么可以設(shè)計(jì)反射表面151，從而使得具有較高反射率的反射區(qū)(諸如反射區(qū)151a)位于與工件p的具有較低溫度的部分相對應(yīng)處。這樣，來自加熱器140的更多量的熱量可以朝向工件p的具有較低溫度的部分反射。同時，具有較低反射率的反射區(qū)(諸如反射區(qū)151b)位于與工件p的具有較高溫度的其他部分相對應(yīng)處。這樣，來自加熱器140的更少量的熱量可以朝向工件p的具有較高溫度的部分反射。結(jié)果，減少了工件p的具有較低溫度的部分和工件p的具有相對較高溫度的其他部分之間的溫度差異。因此，有助于工件p的均勻的溫度分布以及由此有助于其中設(shè)置有工件p的室間隔s的均勻的溫度分布。結(jié)果，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

為了簡潔的目的，假設(shè)第一層級的拋光對應(yīng)于較高的反射率同時第二層級的拋光對應(yīng)于相對較低的反射率。例如，如果檢測出工件p的一部分具有比工件p的其他部分的更低的溫度，那么可以設(shè)計(jì)反射表面151，從而使得第一反射區(qū)151a位于與工件p的具有較低溫度的部分相對應(yīng)處。相反，第二反射區(qū)151b位于與工件p的具有較高溫度的部分相對應(yīng)。結(jié)果，減少了具有較低溫度的工件p的部分和具有相對較高溫度的工件p的其他部分之間的溫度差異。這樣，有助于工件p的均勻的溫度分布并且因此有助于其中設(shè)置有工件p的室間隔s的均勻的溫度分布。因此，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

在一些實(shí)施例中，通過對應(yīng)的反射區(qū)的材料的性質(zhì)確定對每個反射區(qū)的熱量的反射率。更具體地，每個反射區(qū)包括材料，材料確定了對對應(yīng)的反射區(qū)的熱量的反射率。在一些實(shí)施例中，作為子反射器的反射區(qū)由不同的材料制成。換言之，材料的至少兩種是不同的，從而使得對熱量的反射率的至少兩個是不同的。更具體地，第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b包括不同的材料，從而使得對第一反射區(qū)151a的熱量的反射率不同于對第二反射區(qū)151b的熱量的反射率。

此外，如上所述，可根據(jù)實(shí)際情況確定反射表面151上的反射區(qū)的分配。為了簡潔的目的，假設(shè)第一反射區(qū)151a包括的材料對應(yīng)于對熱量的較高的反射率，同時第二反射區(qū)151b包括的材料對應(yīng)于對熱量的相對較低的反射率。例如，如果檢測出工件p的部分具有比工件p的其他部分的更低的溫度，那么可以設(shè)計(jì)反射區(qū)151，從未使得反射區(qū)151a位于與工件p的具有較低溫度的部分相對應(yīng)處。相反，第二反射區(qū)151b位于與工件p的具有相對較高溫度的部分相對應(yīng)處。結(jié)果，減少了工件p的具有較低溫度的部分和工件p的具有相對較高溫度的其他部分之間的溫度差異。這樣，有助于工件p的均勻的溫度分布并且因此有助于其中設(shè)置有工件p的室間隔s的均勻的溫度分布。因此，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

在一些實(shí)施例中，第一反射區(qū)151a包括的材料可以是金屬。相反，第二反射區(qū)151b包括的材料可以是陶瓷。相對來講，相比于陶瓷，金屬對熱量具有更高的反射率。這意味著，更多量的熱量將通過金屬朝向工件p反射，并且相對更少量的熱量將通過陶瓷朝向工件p反射。更具體地，在一些其他實(shí)施例中，反射表面151的反射區(qū)包括的材料可以是例如鋁、鋁合金、諸如氧化鋁(al2o3)的陶瓷、碳化硅(sic)、石英、碳化硅涂覆的碳或聚四氟乙烯(特氟龍)等。另一方面，關(guān)于反射表面151的反射區(qū)包括的不同的材料，可以相應(yīng)地采用諸如如涂覆、噴砂、切割和/或用于實(shí)現(xiàn)不同程度的粗糙度的方法的不同的表面處理過程。此外，在表面處理的情況下，可根據(jù)實(shí)際情況采用鎳的化學(xué)涂覆、諸如氧化鋁涂覆的陽極處理、氧化釔(y2o3)的涂覆、氟化釔(yf3)的涂覆、碳化硅的涂覆、聚四氟乙烯的涂覆和涂覆的各種類型。

參照圖3。圖3是根據(jù)本發(fā)明一些其他的實(shí)施例的屏蔽板150的開發(fā)圖。在實(shí)際應(yīng)用中，不像圖2所示的作為單片的屏蔽板150，可通過層壓多個輔助板形成屏蔽板150。例如，如圖3所示，通過輔助板1501、輔助板1502和輔助板1503形成屏蔽板150。輔助板1501、輔助板1502和輔助板1503具有彼此不同的反射率。此外，輔助板1501具有比輔助板1502更小的表面，同時輔助板1502具有比輔助板1503更小的表面。當(dāng)輔助板1501層壓在輔助板1502上時，輔助板1502的未被輔助板1501覆蓋的部分暴露成為第二反射區(qū)151b。此外，當(dāng)輔助板1502層壓在輔助板1503上時，輔助板1503的未被輔助板1502覆蓋的部分暴露成為第一反射區(qū)151a。此外，輔助板1501的表面可以是第三反射區(qū)151c。

參照圖4。圖4是根據(jù)本發(fā)明一些其他的實(shí)施例的屏蔽板150的平面圖。在一些實(shí)施例中，屏蔽板150包括多個反射區(qū)段153。反射區(qū)段153是子反射器。作為子反射器的反射區(qū)段153彼此可拆卸地連接。實(shí)際上，反射區(qū)段153的至少一個是扇形面、多邊形面、環(huán)形面或它們的組合的形狀。此外，反射區(qū)段153的分配取決于反射區(qū)的分配。這意味著在反射區(qū)段153的每個片上可以分配至少一個反射區(qū)。換言之，作為子反射器的至少一個反射區(qū)段153具有第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b。如圖4所示，扇形形狀的反射區(qū)段153是彼此分離的。

在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作期間，反射區(qū)段153可拆卸地連接以形成具有不同反射區(qū)的反射表面151。這樣，根據(jù)實(shí)際情況可以替代反射區(qū)段153的每個單片。例如，如果檢測出部分工件p的一部分具有比工件p的其他部分更低的溫度，可用對熱量具有較高反射率的反射區(qū)的反射區(qū)段153替代位于與工件p的具有較低溫度的部分對應(yīng)的反射區(qū)段153，從而使得來自加熱器140的更多熱量將朝向工件p的具有較低溫度的部分反射。相反，如果檢測出工件p的一部分具有比工件p的其他部分的更高的溫度，可用對熱量具有較低反射率的反射區(qū)的反射區(qū)段153替代位于與工件p的具有較高溫度的部分對應(yīng)的反射區(qū)段153，從而使得來自加熱器140的更少熱量將朝向工件p的具有較高溫度的部分反射。這樣，有助于工件p的均勻的溫度分布并且因此有助于其中設(shè)置有室間隔s的工件p的均勻的溫度分布。因此，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

由于可以根據(jù)實(shí)際情況通過替代對熱量具有合適的反射率的任何反射區(qū)段153來調(diào)整屏蔽板150對熱量的反射率，因此可以便利地控制工件p的溫度分布并且因此便利地控制室間隔s。結(jié)果，工件p和室間隔s具有均勻的溫度分布，因此以簡單且便利的方式提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

此外，如果檢測出工件p存在不均勻的溫度分布，不是作為整體替代屏蔽板150，替換相關(guān)的反射區(qū)段153已可以幫助實(shí)現(xiàn)工件p的均勻的溫度分布并且因此幫助實(shí)現(xiàn)其中設(shè)置有工件p的室間隔s的均勻的溫度分布。因此，有效地減少了用于對屏蔽板150的熱量的反射率的調(diào)整所涉及的時間和成本。換言之，相應(yīng)地增加了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的效率。

例如，在一些實(shí)施例中，反射區(qū)段153的至少一個具有第一反射區(qū)151a，同時反射區(qū)段153的至少另一個具有第二反射區(qū)151b。這樣，屏蔽板150的反射表面151具有第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b兩者。這意味著，如果檢測出工件p存在不均勻的溫度分布，如上所述可以合適地替代相關(guān)的反射區(qū)段153以實(shí)現(xiàn)工件p的均勻的溫度分布并且由此實(shí)現(xiàn)其中設(shè)置有工件p的室間隔s的均勻的溫度分布。

在一些實(shí)施例中，如圖4所示，根據(jù)實(shí)際情況，反射區(qū)段153的至少一個具有第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b兩者。這樣，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b的分配可以更靈活，以更精確的方式滿足實(shí)際情況。

參照圖5。圖5是根據(jù)本發(fā)明一些其他的實(shí)施例的屏蔽板150的平面圖。再如圖5所示，屏蔽板150包括多個反射區(qū)段153。根據(jù)實(shí)際情況，每個反射區(qū)段153可以是多邊形的形狀。同樣地，在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作期間，反射區(qū)段153可拆卸地連接以形成具有不同反射區(qū)的屏蔽板150的反射表面151。

同樣地如上所述，反射區(qū)包括第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b，其中第一反射區(qū)151a具有第一層級的拋光，同時第二反射區(qū)151b具有第二層級的拋光。多邊形形狀的每個反射區(qū)段153具有至少一個第一反射區(qū)151a和/或至少一個第二反射區(qū)151b。這樣，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b的分配可以更靈活，以更精確的方式滿足實(shí)際情況。

參照圖6。圖6是根據(jù)本發(fā)明一些其他的實(shí)施例的屏蔽板150的平面圖。再如圖6所示，屏蔽板150包括多個反射區(qū)段153。根據(jù)實(shí)際情況，每個反射區(qū)段153可以是環(huán)形截面的形狀。同樣地，在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作期間，可拆卸地連接反射區(qū)段153以形成具有不同反射區(qū)的屏蔽板150的反射表面151。

同樣地如上所述，反射區(qū)包括第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b，其中第一反射區(qū)151a具有第一層級的拋光，同時第二反射區(qū)151b具有第二層級的拋光。環(huán)形截面形狀的每個反射區(qū)段153具有至少一個第一反射區(qū)151a和/或至少一個第二反射區(qū)151b。這樣，屏蔽板150的反射表面151上的第一反射區(qū)151a和第二反射區(qū)151b的分配可以更靈活，以更精確的方式滿足實(shí)際情況。

從結(jié)構(gòu)上講，如圖1至圖3，圖5至圖6所示，屏蔽板150具有位于其中的開口154。如圖1所示，熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100進(jìn)一步包括至少一個頂針170。頂針170至少通過屏蔽板150的開口154連接至工件支撐件130，并且也通過底壁116。因此，工件支撐件130位于工件p和屏蔽板150之間。

實(shí)際上講，化學(xué)汽相沉積(cvd)是在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中采用的用于產(chǎn)生膜的化學(xué)工藝。通常，將襯底暴露于一個或多個易失性前體，易失性前體在襯底上反應(yīng)或分解以產(chǎn)生沉積的膜。在一些實(shí)施例中，如上所述的工件p是襯底。參考如上所述的熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100，本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)一步提供了用于處理襯底的方法。該方法包括以下步驟(應(yīng)該理解，除非明確說明，可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整以下所述的步驟和子步驟的順序，或者甚至在同時執(zhí)行或同時部分地執(zhí)行以下所述的步驟和子步驟)：

(1)在處理室115中對襯底施加熱量，同時將至少部分的熱量朝向處理室115的底壁116傳輸。

(2)為處理室115的底壁116至少部分地屏蔽朝向處理室115的底壁116傳輸?shù)乃霾糠譄崃俊?/p>

更具體地，在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作期間，將來自加熱器140的至少部分的熱量朝向處理室115的底壁116傳輸。然而，由于至少部分地屏蔽處理室115的底壁116，處理室115的底壁116未接收來自加熱器114的熱量。因此，處理室115的底壁116未反射來自加熱器140的熱量。

此外，處理室115的底壁116未接受來自加熱器140的熱量，至少部分地屏蔽處理室115的底壁116的步驟(2)進(jìn)一步包括以下子步驟：

(2.1)至少部分地反射朝向處理室115的底壁116傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>

更具體地，朝向處理室115的底壁116的來自加熱器140的部分熱量朝向襯底反射，而不是到達(dá)處理室115的底壁116。因此，保持了處理室115中的溫度，并且因此保持了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的操作效率。此外，為了促進(jìn)襯底的均勻的溫度分布和處理室115(襯底設(shè)置在其中)的均勻的溫度分布，朝向處理室115的底壁116傳輸?shù)乃霾糠值臒崃勘环蔷鶆虻姆瓷浔砻?51部分地反射。

由于非均勻的反射表面151非均勻地反射了熱量，可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整非均勻性，從而使得，如上所述，反射到襯底的熱量可以導(dǎo)致襯底的均勻的溫度分布并且因此導(dǎo)致處理室115(襯底設(shè)置在其中)的均勻的溫度分布。因此，襯底具有均勻的溫度分布并且處理室115具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)100的性能。

根據(jù)本發(fā)明的各個實(shí)施例，在熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)操作期間，加熱器遠(yuǎn)離工件發(fā)射的熱量將朝向工件反射。這樣，加熱器遠(yuǎn)離工件發(fā)射的熱量將通過屏蔽板的反射表面以均勻的方式朝向工件反射，這促進(jìn)了工件的均勻的溫度分布并且因此促進(jìn)了其中設(shè)置有工件的室間隔中的均勻的溫度分布。因此，工件和室間隔具有均勻的溫度分布，提高了熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)的性能。

根據(jù)本發(fā)明的各個實(shí)施例，熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)包括底室、上室、工件支撐件，加熱器和至少一個屏蔽板。底室上方存在上室，其中室間隔限定在上室和底室之間。工件支撐件配置為在室間隔中支撐工件。加熱器配置為對工件應(yīng)用熱量。屏蔽板配置為至少部分地為底室屏蔽熱量。

根據(jù)本發(fā)明的各個實(shí)施例，熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)包括處理室、工件支撐件、加熱器和至少一個反射器。處理室具有底壁。工件支撐件配置為在處理室中支撐工件。加熱器配置為對工件應(yīng)用熱量。在加熱器和處理室的底壁之間存在反射器。反射器具有朝向工件的反射表面，其中反射表面對熱量具有至少一個反射率。

根據(jù)本發(fā)明的各個實(shí)施例，用于操作熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)的方法包括在處理室中對工件應(yīng)用熱量，同時朝向處理室的底壁傳輸至少部分的熱量，并且為處理室的底壁至少部分地屏蔽朝向處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠譄崃俊?/p>

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)，包括：底室；上室，存在于所述底室上方，其中，所述上室和所述底室限定了位于它們之間的室間隔；工件支撐件，配置為支撐所述室間隔中的工件；加熱器，配置為對所述工件施加熱量；以及至少一個屏蔽板，配置為至少部分地為所述底室屏蔽熱量。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述底室具有朝向所述室間隔的上表面，并且所述上表面對熱量具有非對稱反射率。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板至少部分地覆蓋所述底室的上表面。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，還包括：至少一個機(jī)械部件，存在于所述底室上，其中，所述機(jī)械部件和所述底室的組合具有朝向所述室間隔的上表面，并且所述上表面對熱量具有非對稱反射率。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板至少部分地覆蓋所述機(jī)械部件。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撐件的反射表面，并且所述反射表面對熱量具有反射率。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撐件的反射表面，并且所述反射表面具有至少兩個反射區(qū)，并且所述反射區(qū)對熱量具有不同的反射率。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撐件的反射表面，并且所述反射表面具有至少兩個反射區(qū)，并且所述反射區(qū)具有不同的粗糙度。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板具有朝向所述工件支撐件的反射表面，所述反射表面具有至少兩個反射區(qū)，并且所述反射區(qū)由不同的材料制成。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板包括多個彼此可拆卸地連接的反射區(qū)段。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述反射區(qū)段的至少一個是扇形、多邊形、環(huán)形或它們的組合的形狀。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述屏蔽板中具有開口；以及還包括：至少一個頂針，至少通過所述屏蔽板的開口連接至所述工件支撐件。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種熱化學(xué)汽相沉積(cvd)系統(tǒng)，包括：處理室，具有底壁；工件支撐件，配置為支撐所述處理室中的工件；加熱器，配置為對所述工件施加熱量；以及至少一個反射器，位于所述加熱器和所述處理室的底壁之間，所述反射器具有朝向所述工件的反射表面，其中，所述反射表面對熱量具有至少一個反射率。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述反射表面具有至少一個第一反射區(qū)和至少一個第二反射區(qū)，所述第一反射區(qū)具有第一拋光層級并且所述第二反射區(qū)具有不同于所述第一拋光層級的第二拋光層級。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述反射器包括多個彼此可拆卸地連接的子反射器，并且至少一個所述子反射器具有所述第一反射區(qū)和所述第二反射區(qū)。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，所述反射器包括至少兩個彼此可拆卸地連接的子反射器，并且所述子反射器由不同的材料制成。

在上述熱化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)中，還包括：至少一個頂針，至少通過所述底壁連接至所述工件支撐件。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種用于處理襯底的方法，所述方法包括：在處理室中對襯底施加熱量，同時所述熱量的至少部分朝向所述處理室的底壁傳輸；以及為所述處理室的底壁至少部分地屏蔽朝向所述處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>

在上述方法中，所述至少部分地屏蔽包括：至少部分地反射朝向所述處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>

在上述方法中，通過非均勻的反射表面至少部分地反射朝向所述處理室的底壁傳輸?shù)乃霾糠值臒崃俊?/p>

以上論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。