本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及晶圓的化學氣相沉淀腔。

背景技術：

低壓化學氣相沉淀是指將沉淀腔中抽成低壓狀態(tài)，將反應氣體置入沉淀腔中，反應氣體擴散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應區(qū)發(fā)生反應形成薄膜?，F(xiàn)有的低壓化學沉淀腔的結構設計不合理，反應氣體不能均勻的擴散至晶圓表面，導致形成的薄膜厚度不均勻。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術存在的上述問題，申請人進行研究及改進，提供一種導氣支撐一體式低壓化學氣相沉淀腔，提高反應氣體的擴散均勻性，提高薄膜的成型均勻度。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種導氣支撐一體式低壓化學氣相沉淀腔，包括腔體，所述腔體中內置有導氣結構及用于支撐晶圓的支撐結構，所述導氣結構及支撐結構為一體結構，包括一豎直置于腔體中的導氣支撐管，所述導氣支撐管的管壁上間隔設有多個導氣孔，所述導氣孔處套設有轉套，所述轉套上安裝有橫置的導氣管，所述導氣管的管壁上均布有出氣孔，上下相鄰的轉套之間的導氣支撐管上安裝有夾持晶圓的夾頭。

本發(fā)明的技術效果在于：

本發(fā)明中，將導氣結構及用于支撐晶圓的支撐結構結合一起，簡化腔體內部結構，并且合理設置的導氣管，大大提高反應氣體與晶圓的接觸均勻度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

圖中：1、腔體；2、導氣支撐管；3、轉套；4、導氣管；5、出氣孔；6、晶圓；7、夾頭。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。

如圖1所示，本實施例的導氣支撐一體式低壓化學氣相沉淀腔，包括腔體1，腔體1中內置有導氣結構及用于支撐晶圓的支撐結構，導氣結構及支撐結構為一體結構，包括一豎直置于腔體1中的導氣支撐管2，導氣支撐管2的管壁上間隔設有多個導氣孔，導氣孔處套設有轉套3，轉套3上安裝有橫置的導氣管4，導氣管4的管壁上均布有出氣孔5，上下相鄰的轉套3之間的導氣支撐管2上安裝有夾持晶圓6的夾頭7。使用時，將反應氣體從導氣支撐管2中通入腔體1中，反應氣體進入導氣管4中，并從管壁的出氣孔5中導出至晶圓表面。

以上所舉實施例為本發(fā)明的較佳實施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術領域中具有通常知識者，若在不脫離本發(fā)明所提技術特征的范圍內，利用本發(fā)明所揭示技術內容所作出局部改動或修飾的等效實施例，并且未脫離本發(fā)明的技術特征內容，均仍屬于本發(fā)明技術特征的范圍內。