1.室溫下紫外光輔助濺射制備AZO薄膜的方法，其特征在于，采用紫外光在線輻照的情況下，利用磁控濺射室溫沉積AZO薄膜，其步驟為：
(1) 襯底清洗：分別采用丙酮、無水乙醇對(duì)襯底超聲清洗10-30 min，再用去離子水對(duì)襯底超聲清洗10-15 min，然后進(jìn)行干燥；
(2) 預(yù)濺射：將干燥后的襯底裝入濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)，將活動(dòng)擋板置于出襯底與靶材之間，并抽真空至5×10-3 Pa，然后充入工作氣體氬氣至真空室壓強(qiáng)為0.1-0.8 Pa，并進(jìn)行預(yù)濺射5-30 min；
(3) 紫外光輻照：打開位于濺射真空腔體底部的紫外燈，紫外燈功率為15-40W，波長(zhǎng)為254nm或365nm，紫外燈距離襯底15-30 cm；
(4) AZO薄膜制備：打開活動(dòng)擋板，在紫外光輻照情況下，室溫條件下進(jìn)行AZO濺射鍍膜，濺射真空氣氛為氬氣，真空室壓強(qiáng)為0.15-0.8 Pa，濺射功率為80-200 W，濺射時(shí)間為20-60 min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下紫外光輔助濺射制備AZO薄膜的方法，其特征在于：所述襯底包括硬質(zhì)襯底及柔性襯底，所述的硬質(zhì)襯底包括玻璃或石英，所述的柔性襯底包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下紫外光輔助濺射制備AZO薄膜的方法，其特征在于：所述的濺射鍍膜設(shè)備為射頻磁控濺射設(shè)備或直流磁控濺射設(shè)備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下紫外光輔助濺射AZO薄膜的制備方法，其特征在于：濺射所用靶材為AZO陶瓷靶材，靶材中氧化鋁和氧化鋅的質(zhì)量百分比范圍在：氧化鋁：2-4 wt%，氧化鋅：96-98 wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下紫外光輔助濺射AZO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的紫外燈對(duì)著襯底正面，紫外光可以照射到整個(gè)襯底表面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下紫外光輔助濺射AZO薄膜的制備方法，其特征在于：濺射靶材與襯底之間的距離為12 cm。