1.一種帶有扁平構(gòu)件(11、12)的CVD反應(yīng)器，所述扁平構(gòu)件(11、12、15、17)具有兩個相互平行延伸且以厚度(d)相互間隔的寬側(cè)(3、3′)，其中，每個寬側(cè)(3、3′)的外部邊緣(5)通過構(gòu)成具有邊棱倒圓部半徑(R)和邊棱倒圓部弧長(α)的邊棱倒圓部無彎折地向外部的周向側(cè)(4)的邊緣過渡，其中，厚度(d)明顯小于與寬側(cè)面表面等效的圓直徑(D)，其中，所述扁平構(gòu)件(11、12、15、17)構(gòu)成芯體(1)，所述芯體的材料與涂層(2)的材料相比具有更大的熱膨脹系數(shù)，寬側(cè)(3、3′)和周向側(cè)(4)在高于室溫的涂覆溫度下被所述涂層涂覆，以至于在室溫下涂層具有壓應(yīng)力，其特征在于，邊棱倒圓部弧長(α)大于90°，用于降低涂層(2)與芯體(1)之間的應(yīng)力。
2.一種應(yīng)用于CVD反應(yīng)器中的扁平構(gòu)件，所述扁平構(gòu)件(11、12、15、17)具有兩個相互平行延伸且以厚度(d)相互間隔的寬側(cè)(3、3′)，其中，每個寬側(cè)(3、3′)的外部邊緣(5)通過構(gòu)成具有邊棱倒圓部半徑(R)和邊棱倒圓部弧長(α)的邊棱倒圓部無彎折地向外部的周向側(cè)(4)的邊緣過渡，其中，厚度(d)明顯小于與寬側(cè)面表面等效的圓直徑(D)，其中，所述扁平構(gòu)件(11、12、15、17)構(gòu)成芯體(1)，所述芯體的材料與涂層(2)的材料相比具有更大的熱膨脹系數(shù)，寬側(cè)(3、3′)和周向側(cè)(4)在高于室溫的涂覆溫度下被所述涂層涂覆，以至于在室溫下涂層具有壓應(yīng)力，其特征在于，邊棱倒圓部弧長(α)大于90°，用于降低涂層(2)與芯體(1)之間的應(yīng)力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的CVD反應(yīng)器或根據(jù)權(quán)利要求2所述的扁平構(gòu)件，其特征在于，所述涂層是SiC、TaC或其他硬質(zhì)材料。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，所述邊棱倒圓部半徑(R)為最多1mm和/或大于涂層(2)的厚度。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，芯體(1)由石墨構(gòu)成。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，涂層(2)在溫度＞1000℃時被涂覆。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，周向側(cè)(4)具有無拐點地相互過渡的、構(gòu)成至少一個凹處(6)的倒圓區(qū)段。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，周向側(cè)(4)在橫截面中僅由圓弧段構(gòu)成。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項上的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，所述扁平構(gòu)件(11、12)是基座(12)或蓋板(11)、基體載體(17)或進氣機構(gòu)(13)的排氣板(15)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，所述扁平構(gòu)件(11、12)呈圓柱形，并且尤其具有至少20cm、尤其至少30cm的直徑(D)以及1至3cm之間的厚度(d)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，所述扁平構(gòu)件(11、12)具有與圓形形狀不同的輪廓。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，在穿過扁平構(gòu)件(11、12、15、17)的橫截面平面中，扁平構(gòu)件的橫截面至少在扁平構(gòu)件的邊緣附近具有兩個相互平行延伸的線條，所述線條與扁平構(gòu)件(11、12、15、17)的寬側(cè)(3、3′)的邊緣區(qū)域相對應(yīng)，并且所述線條的端部無拐點地向?qū)?yīng)于邊棱倒圓部(5)的弧線過渡，其中，所述弧線在圓弧或近似圓弧上延伸，并且彎曲的連接線使弧線無拐點地相互連接并且構(gòu)成至少一個凹處(6)，所述凹處(6)相對于過弧線的頂點的直線回縮。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，周向側(cè)(4)在橫截面中僅由依次相接布置的具有半徑(R1、R2、R3)的圓弧線構(gòu)成。
14.一種CVD反應(yīng)器或扁平構(gòu)件，其特征在于，其具有上述權(quán)利要求中任一項所述的一個或多個技術(shù)特征。