小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備，其爐體結(jié)構(gòu)為臥式，真空爐體內(nèi)裝有網(wǎng)狀滾筒，滾筒的一端固定在后爐壁上并由轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)，靶源分別設(shè)定在爐體兩側(cè)，靶面對(duì)準(zhǔn)滾筒；鍍膜方法為：將小尺寸釹鐵硼磁體試樣與鋼珠一起放入專用真空鍍膜設(shè)備的滾筒中，抽真空至6-9×10-3pa，開啟滾筒轉(zhuǎn)動(dòng)并繼續(xù)抽真空至3-6×10-3pa后，通入氬氣至真空度為3-6×10-1pa后，開啟靶源，開始真空鍍膜；此種設(shè)備鍍膜的特點(diǎn)是無污染，對(duì)磁體無損傷，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)試樣形狀限定小，鍍膜效率高；主要用于小尺寸釹鐵硼磁體表面金屬防腐膜層的制備。
【專利說明】小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0002]本實(shí)用新型主要涉及釹鐵硼磁體表面防腐【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地講是小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備。
[0003]【背景技術(shù)】:
[0004]釹鐵硼磁體由于富釹相和叫?6148相之間電位差的存在，以及釹鐵硼磁體的吸氫作用使得其極易發(fā)生腐蝕，一般采用在釹鐵硼磁體表面制備防腐膜層的方式對(duì)其進(jìn)行防腐，常見的釹鐵硼磁體表面防腐膜層的制備方式有電泳、噴涂、真空鍍膜和電鍍。
[0005]目前對(duì)于小尺寸釹鐵硼磁體，由于難以采用普通夾具快速固定磁體試樣的原因，一般均采用滾動(dòng)電鍍或滾動(dòng)噴涂的方式在其表面生成一層防腐膜層，但電鍍中酸、堿的存在會(huì)對(duì)磁體產(chǎn)生損傷，噴涂過程會(huì)對(duì)人體和環(huán)境造成一定的損害。
[0006]目前，在一些顆粒狀的金屬和非金屬零件上，有利用斜臥式磁控多弧離子鍍膜機(jī)內(nèi)安裝滾筒的方式進(jìn)行的鍍膜的實(shí)例，但爐體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對(duì)試樣形狀要求較嚴(yán)且在釹鐵硼真空鍍膜領(lǐng)域并未應(yīng)用。
[0007]實(shí)用新型內(nèi)容:
[0008]本實(shí)用新型的目的是克服上述已有技術(shù)的不足，而提供一種小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備，主要解決現(xiàn)有的小尺寸釹鐵硼磁體表面難以進(jìn)行真空鍍膜的問題。
[0009]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備，主體結(jié)構(gòu)為臥式，它包括圓筒形爐壁，圓筒形爐壁一端設(shè)后爐壁，形成爐體，爐體下設(shè)底架，其特殊之處在于，在圓筒形爐壁上設(shè)氬氣進(jìn)氣口和真空系統(tǒng)抽氣口，圓筒形爐壁的另一端設(shè)爐門，爐門上設(shè)觀察窗；在后爐壁上的轉(zhuǎn)軸上固定滾筒，滾筒為網(wǎng)狀，一端密閉，滾筒由后爐壁上的轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，滾筒內(nèi)壁上設(shè)攪拌片，在圓筒形爐壁上設(shè)左靶源和右靶源，二者相對(duì)應(yīng)，靶面正對(duì)滾筒。
[0010]進(jìn)一步的，所述的攪拌片為等腰三角形或梯形。
[0011]采用上述設(shè)備進(jìn)行小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜的方法，包括如下工藝步驟:將脫脂酸洗后的小尺寸釹鐵硼磁體試樣與鋼珠一起放入專用鍍膜設(shè)備的滾筒中，關(guān)閉爐門抽真空至6-9 X 10—3即后，開啟滾筒轉(zhuǎn)動(dòng)使鋼珠與磁體混合均勻，滾筒轉(zhuǎn)速為5-2017^111,繼續(xù)抽真空至3-6 X 10—后，打開氬氣至真空度為3-6 X 10—工即后，打開靶源，開始鍍膜。
[0012]所述的小尺寸釹鐵硼磁體試樣的尺寸范圍為厚度、長(zhǎng)度和寬度方向均小于且三個(gè)方向的尺寸差異小于10111111 ；所述的鋼珠大小為02臟-06臟，鋼珠的重量為小尺寸釹鐵硼磁體試樣重量的0.25-1.5倍；所述的鍍膜方式為多弧離子鍍或磁控濺射。
[0013]本實(shí)用新型所述的小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比具有如下積極效果，1、本實(shí)用新型采用將釹鐵硼磁體與鋼珠混合的方式表面真空鍍膜與現(xiàn)有的釹鐵硼磁體的電鍍和噴涂鍍膜相比，對(duì)釹鐵硼基體損傷小，對(duì)人體和環(huán)境危害??；2、專用鍍膜裝置與其它真空滾鍍?cè)O(shè)備相比，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)樣件的形狀要求低，鍍膜效率高。
[0014]【專利附圖】

【附圖說明】:
[0015]圖1是本實(shí)用新型的正視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是圖1的側(cè)視圖；
[0017]圖3是本實(shí)用新型的實(shí)施例1中所鍍?cè)嚇油庥^圖；
[0018]圖4是本實(shí)用新型的實(shí)施例1中所鍍?cè)嚇幽雍穸葓D。
[0019]圖面說明:
[0020]1真空系統(tǒng)抽氣口、2轉(zhuǎn)軸、3滾筒、4攪拌片、5左靶源、6右靶源、7觀察窗、8氬氣進(jìn)氣口、9圓筒形爐壁、10后爐壁、11爐門、12底架。
[0021]【具體實(shí)施方式】:
[0022]為了更好的理解此實(shí)用新型，下面結(jié)合實(shí)施案例來解釋說明此實(shí)用新型，所舉實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限制本實(shí)用新型的范圍。
[0023]實(shí)施例1，參見圖1、2，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，加工制成圓筒形爐壁9和后爐壁10，圓筒形爐壁9上有氬氣進(jìn)氣口 8和真空系統(tǒng)抽氣口 1，在圓筒形爐壁9 一端固定后爐壁10，形成爐體，在圓筒形爐壁9的另一端安裝爐門11，爐門11上安裝觀察窗7 ；在后爐壁10上的轉(zhuǎn)軸2上固定滾筒3，滾筒3為網(wǎng)狀不銹鋼滾筒，一端密閉，滾筒3由后爐壁10上的轉(zhuǎn)軸2帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，在滾筒3內(nèi)壁上安裝攪拌片4，攪拌片4為等腰三角形或梯形，滾筒3靠近爐門11 一端有可開關(guān)的圓形開口，釹鐵硼磁體樣件和鋼珠可由此圓形開口處倒入或取出；在圓筒形爐壁9的左側(cè)和右側(cè)各安裝兩個(gè)左靶源5和兩個(gè)右靶源6，左靶源5與右靶源6相對(duì)應(yīng)，靶面正對(duì)滾筒3 ；在爐體下安裝底架12，爐體結(jié)構(gòu)為臥式；形成本實(shí)用新型的專用鍍膜設(shè)備。
[0024]將21?尺寸為1.46111111^0.85111111)的小片釹鐵硼磁體和31?直徑為2臟的鋼珠一起放入滾筒中，抽真空至8.5-9X10^8后，開啟滾筒轉(zhuǎn)動(dòng)，使?jié)L筒處于滾動(dòng)狀態(tài)且轉(zhuǎn)速維持在2017111111，滾筒中的攪拌片會(huì)使試樣一直處于均勻的翻動(dòng)狀態(tài)；繼續(xù)抽真空至3-3.5X10—后，開啟氬氣進(jìn)氣閥至真空度為5.5-6X10—工即后，開啟安裝有鋁靶材的多弧離子靶源，設(shè)定電壓大小為207，電流大小為60八，開始鍍鋁膜，鍍膜30-=后關(guān)閉靶源開始冷卻。
[0025]對(duì)上述實(shí)施例1制備的釹鐵硼磁體鋁膜進(jìn)行表面觀察，所得結(jié)果如圖3所示，圖片上可以看出試樣表面鋁膜層光亮，潔凈；對(duì)實(shí)例1所得試樣，利用光學(xué)顯微鏡觀察截面，測(cè)量鋁膜層厚度，結(jié)果如圖4所示，圖中所示鋁膜層厚度均勻。
[0026]實(shí)施例2，采用同實(shí)施例1的專用鍍膜設(shè)備，將21?尺寸為的小片釹鐵硼磁體和0.54直徑為6臟的鋼珠一起放入滾筒中，抽真空至6 -6.5X10^8后，開啟滾筒轉(zhuǎn)動(dòng)，使?jié)L筒處于滾動(dòng)狀態(tài)且轉(zhuǎn)速維持在如/舊!!，滾筒中的攪拌片會(huì)使試樣一直處于均勻的翻動(dòng)狀態(tài)；繼續(xù)抽真空至5.5-6X10^后，開啟氬氣進(jìn)氣閥至真空度為3-3.5X10^8后，開啟安裝有鋁靶材的多弧離子靶源，設(shè)定電壓大小為207，電流大小為60八，開始鍍鋁膜，鍍膜60-=后關(guān)閉靶源開始冷卻。
[0027]本實(shí)用新型的釹鐵硼磁體表面的真空鍍膜設(shè)備，可用于制備的金屬膜層包括鋁膜層、銅膜層、鈦膜層、鏑膜層、鋱膜層、釹膜層或其合金膜層。
【權(quán)利要求】
1.小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備，主體結(jié)構(gòu)為臥式，它包括圓筒形爐壁(9)，圓筒形爐壁(9) 一端設(shè)后爐壁(10)，形成爐體，爐體下設(shè)底架(12)，其特征在于，在圓筒形爐壁(9)上設(shè)氬氣進(jìn)氣口( 8 )和真空系統(tǒng)抽氣口(1)，圓筒形爐壁(9)的另一端設(shè)爐門(11)，爐門(11)上設(shè)觀察窗(7 );在后爐壁(10 )上的轉(zhuǎn)軸(2 )上固定滾筒(3 )，滾筒(3 )為網(wǎng)狀，一端密閉，滾筒(3)由后爐壁(10)上的轉(zhuǎn)軸(2)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，滾筒(3)內(nèi)壁上設(shè)攪拌片(4)，在圓筒形爐壁(9 )上設(shè)左靶源(5 )和右靶源(6 )，二者相對(duì)應(yīng)，靶面正對(duì)滾筒(3 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述的攪拌片(4)為等腰三角形或梯形。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK204198844SQ201420651989
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】彭眾杰, 楊昆昆, 賈道寧 申請(qǐng)人:煙臺(tái)首鋼磁性材料股份有限公司