分區(qū)多靶磁控濺射設備的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是：在一個相互貫通的真空腔體的兩端分別設有放卷室和收卷室，在其中部設有多個分區(qū)并貫通的中間靶腔室，每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極，在中間靶腔室中設有一個導輥，該導輥的兩端是安裝在帶有軸承的支架上，該支架通過絕緣材料與真空殼體絕緣，在導輥和殼體之間可以施加電場偏壓，在收放卷之間的薄膜由電機帶動，通過導輥穿過彼此貫通的腔室，靶材料通過放電濺射出靶粒子沉積到卷繞在導輥的膜片上。該裝置用來在薄膜的表面沉積不同的靶材料，具有靶材料之間彼此不污染、沉積膜層結合力好、真空狀態(tài)下連續(xù)沉積的特點。
【專利說明】分區(qū)多朝磁控濺射設備
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種新型的分區(qū)多靶磁控濺射設備，尤其是指包含多個相互貫通又彼此獨立的、底部為圓筒形狀磁控濺射腔室的、以及傳動導輥與真空殼體絕緣的連續(xù)濺射鍍膜裝置。
【背景技術】
[0002]磁控濺射是在真空中利用高能粒子轟擊靶表面，使被轟擊濺射出的靶離子沉積在基片上。濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場的作用下飛向電極靶材，并以高能量轟擊靶表面，使靶材料發(fā)生濺射，濺射出的靶粒子沉積在襯底上。磁控濺射包括多種類型，各有不同的工作原理和應用對象。
[0003]磁控濺射在制備多層復合膜時，如果在同一個腔室中進行，即便在靶之間采用隔離擋板，也時常會造成各層的交叉污染，從而影響薄膜器件的質(zhì)量；此外，在濺射過程中，由于在襯底和靶之間通常無輔助電場，因此沉積的薄膜與襯底之間的結合力并不理想。
[0004]本實用新型，采用多個分區(qū)并通過過渡導輥傳動的真空室設計，在每個中間靶腔室中安裝同一種靶材料電極，徹底避免了多個不同靶在同一個真空室所造成的交叉污染問題，另外膜導輥的兩端是安裝在與真空殼體絕緣的兩個帶有軸承的支架上，在導輥和殼體之間可以加入電場偏壓，可以大大提高濺射的薄膜致密度和與襯底的結合力；采用圓筒結構的腔室，并且靶電極放置在圓筒的底部，會避免電極局部燒蝕所帶來的大顆粒污染，這種結構與平直的鍍膜設備比較，設備占地空間較小。
[0005]本使用新型的優(yōu)點是:(1)分區(qū)靶磁控濺射，有效避免多層薄膜的交叉污染。(2)襯底和靶極之間的偏壓電場可以提高濺射效率，提高薄膜的致密度以及與襯底材料的結合力。(3)兩端的收放卷結構，便于連續(xù)處理，設備占地面積相對較小，易于維護。
實用新型內(nèi)容
[0006]考慮到現(xiàn)有技術所存在的問題，本實用新型的目的在于一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在一個相互貫通的真空腔體的兩端分別設有放卷室和收卷室，在其中部設有多個分區(qū)并貫通的中間靶腔室，每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極，在中間靶腔室中設有一個導輥，該導輥的兩端是安裝在帶有軸承的支架上，該支架通過絕緣材料與真空殼體絕緣，在導輥和殼體之間可以施加電場偏壓，在收放卷之間的薄膜由電機帶動，通過導輥穿過彼此貫通的腔室，靶材料通過放電濺射出靶粒子沉積到卷繞在導輥的膜片上。
[0007]所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:一個真空腔體是由分別安裝在兩端的放卷室和收卷室，以及多個分區(qū)并貫通的靶腔室構成，該真空腔體設有與抽氣系統(tǒng)連接的接口，以及連接電源的接口。
[0008]所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極，該靶電極與真空腔體通過絕緣材料絕緣，它可以與射頻、也可以與高頻以及直流電源連接。
[0009]所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在中間靶腔室中設有一個導輥，該導輥的兩端是安裝在帶有軸承的支架上，該支架通過絕緣材料與真空殼體絕緣，在導輥與真空殼體之間可以加入偏壓，也可以通過導線連為一體。
[0010]所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在收放卷之間的薄膜由電機帶動，通過導輥穿過彼此貫通的腔室，在中間兩個腔室，傳動輥上加有糾偏裝置。
[0011]所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:該真空腔體設有與抽氣系統(tǒng)連接的接口，該真空系統(tǒng)的真空泵組分別安裝在設備的兩端。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]下面結合附圖對本實用新型進行進一步的描述，其中:
[0013]圖1為本實用新型實施例:一種分區(qū)多靶磁控濺射設備結構示意圖；
[0014]圖2為本實用新型實施例:導棍安裝結構示意圖。
【具體實施方式】:
[0015]下面參照附圖，結合具體的實施例對本實用新型進行詳細的描述。
[0016]首先，參閱圖1和圖2，一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，是在一個相互貫通的真空腔體100的兩端分別設有放卷室101和收卷室102，在其中部設有多個分區(qū)并貫通的中間靶腔室103，每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極111，它可以與射頻、也可以與高頻以及直流電源連接。
[0017]在中間靶腔室中設有導輥104，導輥104的兩端是安裝在帶有絕緣軸套114的支架115上,在導棍104和殼體100之間可以施加一個電源116作為電場偏壓。
[0018]在收放卷107和108之間的薄膜由電機帶動，通過導輥109穿過彼此貫通的腔室103，在傳動輥上加有糾偏裝置。
[0019]靶電極111的通過放電濺射出靶粒子沉積到卷繞在導輥的膜片上。
[0020]該真空腔體100設有與抽氣系統(tǒng)110連接的接口，該真空系統(tǒng)110的真空泵組分別安裝在設備的兩端。
[0021]該真空腔體100是放置在一個帶有移動輪的支架112上，該支架與大地連接113。
[0022]上面參考附圖結合具體的實施例對本實用新型進行了描述，然而，需要說明的是，對于本領域的技術人員而言，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，可以對上述實施例作出許多改變和修改，這些改變和修改都落在本實用新型的權利要求限定的范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.本實用新型公開一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在一個相互貫通的真空腔體的兩端分別設有放卷室和收卷室，在其中部設有多個分區(qū)并貫通的中間靶腔室，每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極，在中間靶腔室中設有一個導輥，該導輥的兩端是安裝在帶有軸承的支架上，該支架通過絕緣材料與真空殼體絕緣，在導輥和殼體之間可以施加電場偏壓，在收放卷之間的薄膜由電機帶動，通過導輥穿過彼此貫通的腔室，靶材料通過放電濺射出靶粒子沉積到卷繞在導輥的膜片上。
2.如權利要求1所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:一個真空腔體是由分別安裝在兩端的放卷室和收卷室，以及多個分區(qū)并貫通的靶腔室構成，該真空腔體設有與抽氣系統(tǒng)連接的接口，以及連接電源的接口。
3.如權利要求1所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導棍、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:每個中間靶腔室的底部為圓筒形狀，在圓筒底部和側面設有相同靶材料的長條形磁控濺射靶電極，該靶電極與真空腔體通過絕緣材料絕緣，它可以與射頻、也可以與高頻以及直流電源連接。
4.如權利要求1所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在中間靶腔室中設有一個導輥，該導輥的兩端是安裝在帶有軸承的支架上，該支架通過絕緣材料與真空殼體絕緣，在導輥與真空殼體之間可以加入偏壓，也可以通過導線連為一體。
5.如權利要求1所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:在收放卷之間的薄膜由電機帶動，通過導輥穿過彼此貫通的腔室，在中間兩個腔室，傳動輥上加有糾偏裝置。
6.如權利要求1所述的一種分區(qū)多靶磁控濺射設備，包括一個真空腔體、靶電極、導輥、電源、真空系統(tǒng)等，其特征是:該真空腔體設有與抽氣系統(tǒng)連接的接口，該真空系統(tǒng)的真空泵組分別安裝在設備的兩端。
【文檔編號】C23C14/35GK203411601SQ201320303369
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權日:2013年5月30日
【發(fā)明者】劉瑋, 陳強, 王守國 申請人:劉瑋, 陳強, 王守國