專利名稱：一種靶材底柱與底柱接頭的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及表面防護涂層制備領域，具體地說是一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭。
背景技術(shù)：
表面防護涂層技術(shù)是提高工模具及機械部件質(zhì)量和使用壽命的重要途徑，作為材料表面防護技術(shù)之一的PVD技術(shù)，以其廣泛的功能性、良好的環(huán)保性以及巨大的增效性等優(yōu)勢，可以提高工模具及機械零件表面的耐磨性、耐蝕性、耐熱性及抗疲勞強度等力學性能，極大的提高產(chǎn)品附加值，以保證現(xiàn)代機械部件及工模具在高速、高溫、高壓、重載以及強腐蝕介質(zhì)工況下可靠而持續(xù)地運行。PVD主要分為真空蒸鍍、磁控濺射和離子鍍?nèi)齻€類型。在實際應用中，高質(zhì)量的防護涂層必須具有致密的組織結(jié)構(gòu)、無穿透性針孔、高硬度、與基體結(jié)合牢固等特點。真空蒸鍍和磁控濺射由于粒子能量和離化率低，導致膜層疏松多孔、力學性能差、難以獲得良好的涂層與基體之間的結(jié)合力，嚴重限制了該類技術(shù)在防護涂層制備領域的應用。而離子鍍涂層技術(shù)由于結(jié)構(gòu)簡單、離化率高、入射粒子能量高，可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復合涂層，應用在工具、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實現(xiàn)了低成本、高收益的效果；此外，離子鍍涂層技術(shù)具有低溫、高能兩個特點，幾乎可以在任何基材上成膜，應用范圍十分廣闊。電弧離子鍍所用的弧源結(jié)構(gòu)是冷陰極弧源，電弧的行為被陰極表面許多快速游動，高度明亮的陰極斑點所控制，陰極斑點的運動對電弧等離子體的物理特性以及隨后的鍍膜特性有很大的影響。而離子鍍弧源是電弧等離子體放電的源頭，是離子鍍技術(shù)的核心部件。為了更好的提高沉積薄膜的質(zhì)量和有效的利用靶材，提高放電穩(wěn)定性，必須對弧斑的運動進行合理的控制。而弧斑的有效控制必須有合理的機械結(jié)構(gòu)與磁場結(jié)構(gòu)配合，就目前工業(yè)常用的小尺寸弧源結(jié)構(gòu)，常用的靶材結(jié)構(gòu)有圓盤形、圓柱形、圓錐形、圓臺形；常用的磁場結(jié)構(gòu)有軸向發(fā)散磁場、軸向聚焦磁場、旋轉(zhuǎn)磁場等；而不同的靶材與磁場位形配合的弧源結(jié)構(gòu)都不一樣，而且設計復雜，適應性差，功能單一，如果需要變換靶材與磁場方式，就得全套更換整個弧源，造成了極大地浪費。對于工業(yè)鍍膜生產(chǎn)，產(chǎn)品的穩(wěn)定性、大面積均勻性、高效性都是必須考慮的。而由于弧源是點狀源，弧源前段等離子體的分布都是不均勻的，傳統(tǒng)的弧源機械結(jié)構(gòu)復雜，靶材在真空室的位置固定，一般不會超過爐壁，對于一些特殊生產(chǎn)需求難以滿足；部分弧源結(jié)構(gòu)體積過大，窗口直徑太小，等離子體交叉區(qū)域不明顯，很難實現(xiàn)工業(yè)化均勻鍍膜生產(chǎn)，產(chǎn)品合格率和均勻性大大降低，這也是磁過濾不能產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的原因之一，磁過濾裝置體積龐大，很難在一個爐體實現(xiàn)密集的分布，因此等離子體傳輸窗口窄，窗口之間難以交叉，容易形成等離子體密度低的空缺區(qū)，對鍍膜生產(chǎn)不利。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭，用以改善傳統(tǒng)電弧離子鍍弧源結(jié)構(gòu)復雜、適應性差等缺點。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是:一種靶材底柱與底柱接頭，包括:冷卻水通道底座、靶材底柱、靶材底柱絕緣套、冷卻水進水管道、永磁體或?qū)Т怒h(huán)、出水口、進水口，具體結(jié)構(gòu)如下:靶材底柱的外側(cè)設置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設置于冷卻水進水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接
管的一端連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱連接管的另一端設置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設置圓盤形靶材。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱絕緣套上設有絕緣套盤。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱絕緣套的外側(cè)設置離子鍍槍底盤絕緣盤、尚子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板。所述的靶材底柱與底柱接頭，冷卻水通道底座由上部的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設有冷卻水通道底座柱環(huán)套，冷卻水通道底座柱環(huán)套長度與靶材底柱下部外螺紋:靶材底柱下螺紋長度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底柱外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺階，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)壁設有螺紋，通過柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱連接，冷卻水通道底座上部臺階設有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽，靶材底柱底部緊壓密封槽內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座的密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺階形雙孔，外孔內(nèi)徑大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管底部與雙孔臺階出水管支撐臺接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一段距離；下部的圓柱體中心開有一臺階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺階冷卻水進水管道支撐臺，冷卻水進水管道底部與該臺階接觸連接；下孔內(nèi)徑大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺階形孔，該臺階形孔作為進水管安裝孔，進水管和下孔形成緊密結(jié)合，進水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或大于中孔，進水管底部與下孔、中孔之間的臺階進水管支撐臺接觸連接；冷卻水通道底座、靶材底柱與冷卻水進水管道之間形成冷卻水通道底部儲水腔。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱底部安裝冷卻水通道底座，冷卻水通道底座與冷卻水管相連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，靶材底柱為不銹鋼圓筒，圓筒外壁設有靶材底柱環(huán)形密封槽，通過靶材底柱環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套之間形成密封；靶材底柱上部設有柱環(huán)套，柱環(huán)套長度與靶材底座的靶材底柱連接管長度一致，柱環(huán)套外徑與靶材底柱外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑大于靶材底柱內(nèi)徑，形成底柱上部臺階，靶材底柱的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套內(nèi)壁設有螺紋，通過上部內(nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺階設有環(huán)形密封槽，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱的密封；靶材底柱與冷卻水進水管道之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設有一段螺紋:靶材底柱下螺紋，通過靶材底柱下螺紋與冷卻水通道底座連接。所述的靶材底柱與底柱接頭，冷卻水進水管道為不銹鋼管，冷卻水進水管道上部有一環(huán)形圓臺，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺，環(huán)形圓臺與祀材底柱有一段間隔，形成冷卻水出水通道。本實用新型的優(yōu)點及有益效果是:1、本實用新型可適用于多種靶材結(jié)構(gòu)，多種靶材尺寸，靶材后電磁線圈產(chǎn)生的軸向磁場可對多種靶材結(jié)構(gòu)的弧斑運動進行有效的控制，可以利用靶材頂部表面放電，對真空室內(nèi)器件進行鍍膜，也可以利用靶材側(cè)面放電，實現(xiàn)多種特殊鍍膜需求、如柱弧鍍膜，內(nèi)
壁鍍膜，多元復合鍍膜等。2、本實用新型結(jié)構(gòu)簡易緊湊有效，可自由設置冷卻水套的長度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡便、位置可調(diào)性好、便于整機設計及滿足工業(yè)生產(chǎn)對真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。3、本實用新型中各個部件可以獨立制作安裝，裝卸容易，可單獨更換，調(diào)節(jié)范圍大，成本低，易于推廣。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型離子鍍槍裝置的冷卻水通道底座結(jié)構(gòu)示意圖。圖3 (a)_圖3 (b)是本實用新型離子鍍槍裝置的靶材底柱結(jié)構(gòu)示意圖；其中，圖3 (a)是首I]視圖；圖3 (b)是主視圖。圖4是本實用新型離子鍍槍裝置的冷卻水進水管結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I冷卻水通道底座；2靶材底柱；3靶材底柱絕緣套；4冷卻水進水管道；5永磁體或?qū)Т怒h(huán)；6出水口 ；7進水口 ；8冷卻水通道底座柱環(huán)套；9冷卻水通道底座環(huán)形密封槽；10出水管支撐臺；11冷卻水進水管道支撐臺；12進水管支撐臺；13柱環(huán)套；14環(huán)形密封槽；15靶材底柱環(huán)形密封槽；16靶材底柱下螺紋；17永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺；18絕緣套盤。
具體實施方式
下面通過實施例和附圖對本實用新型作進一步詳細說明。如圖1-4所示，本實用新型用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭，主要包括:冷卻水通道底座1、靶材底柱2、靶材底柱絕緣套3、冷卻水進水管道4、永磁體或?qū)Т怒h(huán)5、出水口
6、進水口 7、冷卻水通道底座柱環(huán)套8、冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9、出水管支撐臺10、冷卻水進水管道支撐臺11、進水管支撐臺12、柱環(huán)套13、環(huán)形密封槽14、靶材底柱環(huán)形密封槽15、靶材底柱下螺紋16、永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺17、絕緣套盤18等，具體結(jié)構(gòu)如下:如圖1所示，靶材底柱2的外側(cè)設置靶材底柱絕緣套3，靶材底柱絕緣套3上設有絕緣套盤18。其中，靶材底柱絕緣套的外側(cè)可以設置離子鍍槍底盤絕緣盤、離子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板，尚子鍍槍底盤的一側(cè)設置尚子鍍槍底盤緊固板，尚子鍍槍底盤緊固板通過靶材底柱絕緣套上的絕緣套盤與離子鍍槍底盤隔開，離子鍍槍底盤與離子鍍槍底盤緊固板之間，通過在離子鍍槍底盤緊固板密封槽中設置密封圈形成密封，離子鍍槍底盤的另一側(cè)設置離子鍍槍底盤絕緣盤。祀材底柱2的內(nèi)側(cè)設置永磁體或?qū)Т怒h(huán)5和冷卻水進水管道4,永磁體或?qū)Т怒h(huán)5設置于冷卻水進水管道4的外側(cè)。靶材底柱2的一端與冷卻水通道底座I連接，冷卻水進水管道4伸至冷卻水通道底座I中，與冷卻水通道底座I的進水口 7相通，冷卻水通道底座I與靶材底柱2之間的通道與出水口 6相通。靶材底柱2的另一端與靶材底柱連接管的一端連接，靶材底柱連接管的另一端設置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設置圓盤形靶材。如圖2所示，冷卻水通道底座I主要包括:冷卻水通道底座柱環(huán)套8、冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9、出水管支撐臺10、冷卻水進水管道支撐臺11、進水管支撐臺12等，具體結(jié)構(gòu)如下:冷卻水通道底座I由上部較厚的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設有冷卻水通道底座柱環(huán)套8，冷卻水通道底座柱環(huán)套8長度與靶材底柱2下部外螺紋:靶材底柱下螺紋16長度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套8內(nèi)徑與靶材底柱2外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套8外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱2內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺階，冷卻水通道底座柱環(huán)套8內(nèi)壁設有螺紋，通過柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱2連接，冷卻水通道底座I上部臺階設有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽9，靶材底柱2底部緊壓密封槽9內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座I的有效密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺階形雙孔，外孔內(nèi)徑略大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管底部與雙孔臺階(出水管支撐臺10)接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一定的距離；下部的圓柱體中心開有一臺階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺階(冷卻水進水管道支撐臺11)，冷卻水進水管道4底部與該臺階接觸連接；下孔內(nèi)徑略大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺階形孔，該臺階形孔作為進水管安裝孔，進水管和下孔形成緊密結(jié)合，進水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或略大于中孔，進水管底部與下孔、中孔之間的臺階(進水管支撐臺12)接觸連接；上部較厚的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體的長度根據(jù)實際需要調(diào)節(jié)，冷卻水通道底座1、靶材底柱2與冷卻水進水管道4之間形成冷卻水通道底部儲水腔，整個離子鍍槍的冷卻水從冷卻水通道底座I底部進水管流入，從冷卻水通道底座I側(cè)壁出水管流出，形成對離子鍍槍的有效冷卻。靶材底柱2底部安裝冷卻水通道底座I，冷卻水通道底座I與冷卻水管相連接；電源接頭端子安裝在靶材底柱2上；離子鍍槍底盤通過靶材底柱絕緣套3與靶材底柱2安裝，離子鍍槍裝置通過離子鍍槍底盤的安裝孔與真空室連接安裝。如圖3 (a)_圖3 (b)所示，靶材底柱2主要包括:柱環(huán)套13、環(huán)形密封槽14、靶材底柱環(huán)形密封槽15、靶材底柱下螺紋16等，具體結(jié)構(gòu)如下:靶材底柱2為一較厚的不銹鋼圓筒(粗不銹鋼厚壁管，壁厚為5mm)，圓筒外壁設有若干環(huán)形密封槽:靶材底柱環(huán)形密封槽15，通過槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套3之間形成有效的密封；靶材底柱上部設有柱環(huán)套13，柱環(huán)套13長度與靶材底座的靶材底柱連接管長度一致，柱環(huán)套13外徑與靶材底柱2外徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)徑大于靶材底柱2內(nèi)徑，形成底柱上部臺階，靶材底柱2的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套13內(nèi)壁設有螺紋,通過上部內(nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺階設有環(huán)形密封槽14，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽14內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱2的有效密封；靶材底柱2與冷卻水進水管道4之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設有一定長度的螺紋:靶材底柱下螺紋16，通過靶材底柱下螺紋16與冷卻水通道底座I連接。靶材底柱2、靶材底座的靶材底柱連接管和冷卻水通道底座I外徑設置為靶材尺寸IOOmm的1/4左右，即25_30mm，采用細長型緊湊結(jié)構(gòu)，真空室內(nèi)離子鍍槍的長度為200mm，真空室外離子鍍槍的長度為180mm，方便整機設計及磁場布置。如圖4所示，冷卻水進水管道4為一薄壁不銹鋼細長管，有一定的耐壓強度，冷卻水進水管道4通過靶材底座冷卻水進水管外壁的密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底座冷卻水進水管緊密連接，形成冷卻水進水通道；冷卻水進水管道4上部有一環(huán)形圓臺，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺17,環(huán)形圓臺與祀材底柱2有一定的間隔,形成冷卻水出水通道,從祀材底座盤間隔冷卻出水口流出的冷卻水通過該冷卻水出水通道流出，流入靶材底柱2冷卻水通道中，形成冷卻水的有效流通。離子鍍槍工作時，電磁線圈圍套在靶材底座后端的靶材底柱絕緣套3周圍，與離子鍍槍底盤之間通過一絕緣環(huán)(離子鍍槍底盤絕緣盤)接觸，電磁線圈通直流電，通過電壓磁場的強度。電磁線圈產(chǎn)生軸向磁力線形成的磁場為軸對稱發(fā)散磁場，與圓盤形靶材形成指向靶材邊緣的銳角，在此磁場作用下，弧斑做不斷收縮和擴展的菊花狀運動，較強的磁場可以將弧斑推向靶材的邊緣。本實用新型結(jié)構(gòu)簡易緊湊有效，可自由設置冷卻水套的長度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡便、靶材更換容易、位置可調(diào)性好、便于整機設計及滿足工業(yè)生產(chǎn)對真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。
權(quán)利要求1.一種靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，包括:冷卻水通道底座、靶材底柱、靶材底柱絕緣套、冷卻水進水管道、永磁體或?qū)Т怒h(huán)、出水口、進水口，具體結(jié)構(gòu)如下: 靶材底柱的外側(cè)設置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設置于冷卻水進水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接管的一端連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱連接管的另一端設置靶材屏蔽罩，靶材屏蔽罩內(nèi)側(cè)設置圓盤形靶材。
3.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱絕緣套上設有絕緣套盤。
4.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱絕緣套的外側(cè)設置尚子鍍槍底盤絕緣盤、尚子鍍槍底盤、尚子鍍槍底盤緊固板。
5.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，冷卻水通道底座由上部的不銹鋼圓筒和下部的圓柱體組成，不銹鋼圓筒頂部設有冷卻水通道底座柱環(huán)套，冷卻水通道底座柱環(huán)套長度與靶材底柱下部外螺紋:靶材底柱下螺紋長度一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底柱外徑一致，冷卻水通道底座柱環(huán)套外徑與不銹鋼圓筒外徑一致，不銹鋼圓筒內(nèi)徑與靶材底柱內(nèi)徑一致，形成冷卻水通道底座上部臺階，冷卻水通道底座柱環(huán)套內(nèi)壁設有螺紋，通過柱環(huán)套內(nèi)螺紋與靶材底柱連接，冷卻水通道底座上部臺階設有冷卻水通道底座環(huán)形密封槽，靶材底柱底部緊壓密封槽內(nèi)的密封圈，形成與冷卻水通道底座的密封；上部不銹鋼圓筒側(cè)壁開有一臺階形雙孔，外孔內(nèi)徑大于內(nèi)孔內(nèi)徑，該臺階形雙孔作為出水管的安裝孔，出水管和外孔形成緊密結(jié)合，出水管外徑和外孔內(nèi)徑一致，出水管內(nèi)徑和內(nèi)孔內(nèi)徑一致，出水管 底部與雙孔臺階出水管支撐臺接觸，雙孔離下部的圓柱體上部有一段距離；下部的圓柱體中心開有一臺階形三孔，上孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道外徑一致，中孔內(nèi)徑與冷卻水進水管道內(nèi)徑一致，上孔與中孔形成一臺階冷卻水進水管道支撐臺，冷卻水進水管道底部與該臺階接觸連接；下孔內(nèi)徑大于中孔內(nèi)徑，下孔與中孔形成臺階形孔，該臺階形孔作為進水管安裝孔，進水管和下孔形成緊密結(jié)合，進水管外徑和下孔內(nèi)徑一致，進水管內(nèi)徑和中孔內(nèi)徑一致或大于中孔，進水管底部與下孔、中孔之間的臺階進水管支撐臺接觸連接；冷卻水通道底座、靶材底柱與冷卻水進水管道之間形成冷卻水通道底部儲水腔。
6.按照權(quán)利要求1或5所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱底部安裝冷卻水通道底座，冷卻水通道底座與冷卻水管相連接。
7.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，靶材底柱為不銹鋼圓筒，圓筒外壁設有靶材底柱環(huán)形密封槽,通過靶材底柱環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈與靶材底柱絕緣套之間形成密封；靶材底柱上部設有柱環(huán)套，柱環(huán)套長度與靶材底座的靶材底柱連接管長度一致，柱環(huán)套外徑與靶材底柱外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管外徑一致，柱環(huán)套內(nèi)徑大于靶材底柱內(nèi)徑，形成底柱上部臺階，靶材底柱的內(nèi)徑與靶材底座的靶材底柱連接管內(nèi)徑一致，柱環(huán)套內(nèi)壁設有螺紋，通過上部內(nèi)螺紋與靶材底座的靶材底柱連接管連接，底柱上部臺階設有環(huán)形密封槽，靶材底座的靶材底柱連接管底部緊壓環(huán)形密封槽內(nèi)的密封圈，形成與靶材底柱的密封；靶材底柱與冷卻水進水管道之間形成冷卻水通道；靶材底柱下部外壁設有一段螺紋:靶材底柱下螺紋，通過靶材底柱下螺紋與冷卻水通道底座連接。
8.按照權(quán)利要求1所述的靶材底柱與底柱接頭，其特征在于，冷卻水進水管道為不銹鋼管，冷卻水進水管道上部有一環(huán)形圓臺，作為永磁體或?qū)Т怒h(huán)支撐臺，環(huán)形圓臺與靶材底柱有一段間隔，形成冷卻水出水通道。
專利摘要本實用新型涉及表面防護涂層制備領域，具體地說是一種用于離子鍍槍的靶材底柱與底柱接頭。靶材底柱的外側(cè)設置靶材底柱絕緣套，靶材底柱的內(nèi)側(cè)設置永磁體或?qū)Т怒h(huán)和冷卻水進水管道，永磁體或?qū)Т怒h(huán)設置于冷卻水進水管道的外側(cè)；靶材底柱的一端與冷卻水通道底座連接，冷卻水進水管道伸至冷卻水通道底座中，與冷卻水通道底座的進水口相通，冷卻水通道底座與靶材底柱之間的通道與出水口相通；靶材底柱的另一端與靶材底柱連接管連接。本實用新型結(jié)構(gòu)簡易緊湊有效，可自由設置冷卻水套的長度，自由調(diào)節(jié)靶材在真空室內(nèi)的位置，操作簡便、靶材更換容易、位置可調(diào)性好、便于整機設計及滿足工業(yè)生產(chǎn)對真空室內(nèi)等離子體分布的各種需求。
文檔編號C23C14/34GK203065567SQ20132009093
公開日2013年7月17日 申請日期2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月28日
發(fā)明者郎文昌 申請人:溫州職業(yè)技術(shù)學院