一種用于pecvd系統(tǒng)的勻氣裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置。所述勻氣裝置包括設(shè)置在基片臺(tái)的下方的第一勻氣盤，第一勻氣盤為圓盤狀結(jié)構(gòu)，第一勻氣盤的外緣與腔室的內(nèi)壁緊密貼合；第一勻氣盤的中間設(shè)有通氣孔，基片臺(tái)的支撐桿位于通氣孔中，通氣孔的直徑大于支撐桿的直徑。本發(fā)明提供的勻氣裝置中的第一勻氣盤設(shè)置在基片臺(tái)的下方，氣體從第一勻氣盤與支撐桿之間的空隙流向出氣口，這對(duì)下半部分腔室中氣流起到很好的控制作用，從而使整個(gè)腔室中氣流分布更均勻，保證沉積薄膜均勻性。
【專利說明】—種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜制備是半導(dǎo)體制造工藝中的重要組成部分。按照吸附和吸解性質(zhì)的不同，薄膜沉積一般可分為物理氣象沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)，物理氣相沉積又有蒸鍍、分子束外延、濺射等幾種，化學(xué)氣相沉積也包括大氣壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、低溫化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等。其中PECVD因具有沉積溫度低、薄膜組分與厚度易控、均勻性好、重復(fù)性好及優(yōu)秀的臺(tái)階覆蓋等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用與半導(dǎo)體器件各功能層的制備，如COMS器件中阻擋層、硅基太陽能電池的鈍化層、OLED器件柔性薄膜封裝層等。PECVD按照等離子體源產(chǎn)生方式不同，又可以分為電容耦合放電的平板式PECVD、感性耦合放電的ICP-PECVD和電子回旋共振的ECR-PECVD等。沉積薄膜的均勻性是衡量一套PECVD系統(tǒng)的核心指標(biāo),薄膜均勻性主要受沉積時(shí)氣流分布的均勻性和電場(chǎng)分布均勻性影響。為了保證氣流和電場(chǎng)分布的均勻性，沉積腔室一般采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)。為了提高進(jìn)氣分布均勻性，通常在腔室進(jìn)氣口添加一些專門的勻氣裝置，能改善進(jìn)氣分布的均勻性；同理下勻氣盤等裝置能改善出氣的均勻性。但由于下電極的存在，出氣口一般不位于腔室的正下方，導(dǎo)致整個(gè)腔室氣流分布仍不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)PECVD腔室整體氣流分布的均勻性，從 而保證沉積薄膜的均勻性。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置，所述PECVD系統(tǒng)的腔室內(nèi)設(shè)有基片臺(tái)及用于支撐所述基片臺(tái)的支撐桿，所述勻氣裝置包括設(shè)置在所述基片臺(tái)的下方的第一勻氣盤，所述第一勻氣盤為圓盤狀結(jié)構(gòu)，所述第一勻氣盤的外緣與所述腔室的內(nèi)壁緊密貼合；所述第一勻氣盤的中間設(shè)有通氣孔，所述支撐桿位于所述通氣孔中，所述通氣孔的直徑大于所述支撐桿的直徑。
[0006]進(jìn)一步地，所述第一勻氣盤的材料為不銹鋼、鋁或聚四氟。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下:
[0008]本發(fā)明提供的勻氣裝置中的第一勻氣盤設(shè)置在基片臺(tái)的下方，氣體從第一勻氣盤與支撐桿之間的空隙流向出氣口，這對(duì)下半部分腔室中氣流起到很好的控制作用，從而使整個(gè)腔室中氣流分布更均勻，保證沉積薄膜均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的勻氣裝置在PECVD系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的勻氣裝置在PECVD系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)示意圖；[0011]圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的勻氣裝置在PECVD系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0013]實(shí)施例1:
[0014]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置，PECVD系統(tǒng)的腔室內(nèi)設(shè)有基片臺(tái)3及用于支撐基片臺(tái)的支撐桿7，勻氣裝置包括設(shè)置在基片臺(tái)3的下方的第一勻氣盤4，第一勻氣盤4為圓盤狀結(jié)構(gòu)，第一勻氣盤的外緣與腔室的內(nèi)壁緊密貼合；第一勻氣盤4的中間設(shè)有通氣孔8，支撐桿7位于通氣孔8中，通氣孔8與支撐桿7同心設(shè)置，通氣孔8的直徑大于支撐桿7的直徑,通氣孔8與支撐桿7之間的間隙為1_~20_。第一勻氣盤的材料為不銹鋼、鋁或聚四氟等。第一勻氣盤4可為整體的一個(gè)圓盤，也可為兩個(gè)半圓拼接而成，也可為三個(gè)三分之一圓拼接而成等。
[0015]氣體從腔室的進(jìn)氣口 I進(jìn)入腔室，第一勻氣盤4上方的氣流分布是均勻的，氣流經(jīng)過通氣孔8后向出氣口 2的方向流動(dòng)，雖然第一勻氣盤4下方的氣流分布由于出氣口 2未設(shè)置在腔室正下方而分布不均勻，但是由于第一勻氣盤4設(shè)置在基片臺(tái)下方，并不影響基片臺(tái)上薄膜沉積的均勻性。本實(shí)施例通過第一勻氣盤控制腔室下半部分的氣流分布，從而使整個(gè)腔室中氣流分布更均勻，保證沉積薄膜均勻性。
[0016]實(shí)施例2:
[0017]如圖2所示，在圖1的基礎(chǔ)上，勻氣裝置還包括第二勻氣盤5，第二勻氣盤5設(shè)置在基片臺(tái)3與腔室的內(nèi)壁之間，第二勻氣盤5分別與基片臺(tái)3和腔室的內(nèi)壁緊密貼合。第二勻氣盤5根據(jù)實(shí)際需要，可以選擇具有均勻分布通氣孔的單層勻氣盤或多層勻氣盤。
[0018]氣體從腔室的進(jìn)氣口 I進(jìn)入腔室，依次經(jīng)過第二勻氣盤5和第一勻氣盤4后，向出氣口 2的方向流動(dòng)；第二勻氣盤5與第一勻氣盤4的配合使用，使得腔室內(nèi)氣流均勻分布的效果更佳。
[0019]實(shí)施例3:
[0020]如圖3所示，在圖2的基礎(chǔ)上，勻氣裝置還包括第三勻氣盤6，第三勻氣盤6設(shè)置在基片臺(tái)3的上方，第三勻氣盤6與腔室的內(nèi)壁緊密貼合。第三勻氣盤6根據(jù)實(shí)際需要，可以選擇具有均勻分布通氣孔的單層勻氣盤或多層勻氣盤。第三勻氣盤除了圖3所示的結(jié)構(gòu)，還可以是帶有通氣孔的筒狀結(jié)構(gòu)或者帶有通氣孔的空心環(huán)狀結(jié)構(gòu)，直接與進(jìn)氣口 I相連通。
[0021]氣體從腔室的進(jìn)氣口 I進(jìn)入腔室，依次經(jīng)過第三勻氣盤6、第二勻氣盤5和第一勻氣盤4后，向出氣口 2的方向流動(dòng)；第三勻氣盤6、第二勻氣盤5與第一勻氣盤4的配合使用，使得腔室內(nèi)氣流均勻分布的效果更佳。
[0022]本發(fā)明提供的用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0023](I)本發(fā)明中的第一勻氣盤可以控制腔室下半部分的氣流分布，從而使整個(gè)腔室中氣流分布更均勻，保證沉積薄膜均勻性；[0024](2)本發(fā)明中的第一勻氣盤與第二勻氣盤和第三勻氣盤配合使用，可以進(jìn)一步提升氣流分布的均勻性，從而提高沉積薄膜的均勻性。
[0025]以上所述為本發(fā)明的最優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等， 均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于PECVD系統(tǒng)的勻氣裝置，所述PECVD系統(tǒng)的腔室內(nèi)設(shè)有基片臺(tái)及用于支撐所述基片臺(tái)的支撐桿，其特征在于:所述勻氣裝置包括設(shè)置在所述基片臺(tái)的下方的第一勻氣盤，所述第一勻氣盤為圓盤狀結(jié)構(gòu)，所述第一勻氣盤的外緣與所述腔室的內(nèi)壁緊密貼合；所述第一勻氣盤的中間設(shè)有通氣孔，所述支撐桿位于所述通氣孔中，所述通氣孔的直徑大于所述支撐桿的直徑。
2.如權(quán)利要求1所述的勻氣裝置， 其特征在于:所述第一勻氣盤的材料為不銹鋼、鋁或聚四氟。
【文檔編號(hào)】C23C16/513GK103774120SQ201310751477
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉鍵, 劉杰 申請(qǐng)人:劉鍵