一種蒸鍍用掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蒸鍍用掩模板的制作方法，包括貼膜步驟→曝光步驟→顯影步驟→一次電鑄步驟→后處理1步驟→二次電鑄步驟→后處理2步驟，一次電鑄層的厚度小于貼膜步驟中膜的厚度，兩次電鑄的電鑄層總厚度大于貼膜步驟中膜的厚度。利用本發(fā)明提供的方法制作的掩模板，在掩模板蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30～60°夾角，在蒸鍍過程中可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，蒸鍍孔在ITO面上設(shè)有凹槽區(qū)域可以防止掩模板蒸鍍孔的邊緣翹起劃傷沉積基板，從而提高顯示器的質(zhì)量，同時利用本方法制作掩模板，可以將小尺寸的蒸鍍孔的尺寸做到更小。
【專利說明】一種蒸鍍用掩模板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種蒸鍍用掩模板的制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用的掩模板的制作方法。
【背景技術(shù)】 [0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應速度可達到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]OLED結(jié)構(gòu)中的有機層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)通過蝕刻工藝制作掩模板，蒸鍍之前需要將掩模板拉網(wǎng)固定到掩?？蛏希W(wǎng)固定之后掩模板具有一定的張力。掩模板蒸鍍孔的截面示意圖如圖1所示，I為掩模板的ITO面(即與沉積基板接觸的一面)，2為掩模板的蒸鍍面(即面向蒸鍍源的一面)，11為掩模板的蒸鍍孔，蒸鍍孔11的截面為葫蘆狀，由于蒸鍍孔11的邊緣比較薄，掩模板具有一定的張力之后蒸鍍孔的邊緣容易翹起，如圖1中的翹起部分12所示，蒸鍍孔邊緣翹起的部分12在蒸鍍過程中會劃傷沉積基板，從而影響顯示器的質(zhì)量，而且通過蝕刻工藝制作的掩模板蒸鍍孔的尺寸不好控制，尤其在制作小尺寸的蒸鍍孔時很難將蒸鍍孔的尺寸做到更小。
[0004]本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種掩模板的制作方法，較好的解決以上所述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制作蒸鍍用掩模板的方法，使蒸鍍用的掩模板在蒸鍍過程中盡量減少蒸鍍孔壁對蒸鍍材料的遮擋，防止掩模板的蒸鍍孔邊緣翹起劃傷沉積基板，并盡量滿足小尺寸的蒸鍍孔的要求。
[0006]本發(fā)明提供了一種蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，包括:
51、芯模貼膜步驟:將膜壓貼或涂覆到芯模的一面；
52、曝光步驟:將所述芯模貼膜步驟中的所述膜按預設(shè)的曝光圖案進行曝光，形成曝光膜區(qū)域和未曝光膜區(qū)域；
53、顯影步驟:經(jīng)顯影步驟，顯影液與所述未曝光膜區(qū)域的膜反應，使所述未曝光膜區(qū)域的膜脫落露出芯模區(qū)域，所述曝光膜區(qū)域的膜繼續(xù)保留；
54、一次電鑄步驟:經(jīng)一次電鑄步驟后在所述露出的芯模區(qū)域形成一次電鑄層，所述一次電鑄層的厚度小于所述芯模貼膜步驟中所述膜的厚度；
55、后處理I步驟:一次電鑄步驟后，進行后處理I步驟，所述后處理I步驟包括靜置步驟或烘烤步驟；
56、二次電鑄步驟:經(jīng)二次電鑄步驟在所述一次電鑄層和所述曝光膜區(qū)域的基礎(chǔ)上形成二次電鑄層，在所述曝光膜區(qū)域形成通孔。
[0007]S7、后處理2步驟:后處理2步驟包括剝離步驟，經(jīng)剝離步驟將所述二次電鑄層從所述一次電鑄層上剝離下來。
[0008]其中，兩次電鑄的電鑄層總厚度大于所述貼膜步驟中所述膜的厚度，所述二次電鑄層對應掩模板的本體，所述通孔包括掩模板的蒸鍍孔。
[0009]進一步地，掩模板包括蒸鍍面和ITO面。
[0010]進一步地，蒸鍍孔在ITO面上設(shè)有凹槽區(qū)域，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀。
[0011]進一步地，凹槽區(qū)域?qū)坞婅T步驟中曝光膜區(qū)域。
[0012]進一步地，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
[0013]進一步地，貼膜步驟中膜的厚度為8~80 μ m。
[0014]進一步地，二次電鑄層厚度為10~80 μ m。
[0015]進一步地，一次電鑄層厚度為3~30 μ m。
[0016]進一步地，靜置的時間 為5~30min。
[0017]進一步地,一次電鑄和二次電鑄的電鑄材料為鎳基合金。
[0018]本發(fā)明的有益效果在于，利用本發(fā)明提供的方法制作的蒸鍍用掩模板，在蒸鍍孔軸方向的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，蒸鍍孔的ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域，可以防止掩模板的蒸鍍孔邊緣翹起劃傷沉積基板，并盡量滿足小尺寸的蒸鍍孔的要求。
[0019]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為傳統(tǒng)蝕刻工藝制作的掩模板蒸鍍孔的截面示意圖；
圖2所示為芯模貼膜后的截面示意圖；
圖3所示為曝光截面示意圖；
圖4所示為顯影后的截面示意圖；
圖5所示為一次電鑄后的截面示意圖；
圖6所示為圖5中50部分放大示意圖；
圖7所示為二次電鑄后的截面示意圖；
圖8所示為圖7中70部分的放大示意圖；
圖9所示為將二次電鑄層剝離后的截面示意圖；
圖10所示為圖9中90部分的放大示意圖；
圖11和圖12所示為掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖13所示為圖12中120部分的放大示意圖；
圖14所示為圖12中120部分的放大示意圖；
圖15所示為掩模組件平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖16所示為蒸鍍截面示意圖； 圖1中，I為ITO面，2為蒸鍍面，11為掩模板的蒸鍍孔，12為蒸鍍孔邊緣翹起部分； 圖2中，20為芯模，21為膜； 圖3中，30為曝光膜區(qū)域； 圖4中，40為顯影后露出的芯模區(qū)域； 圖5中，50為待放大觀測部分，51為一次電鑄層； 圖7中，70為待放大觀測部分，71為蒸鍍孔，72為二次電鑄層； 圖9中，90為待放大觀測部分； 圖10中，Θ為蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體板面的夾角； 圖11中，110代表掩模板整體，A-A為待解剖觀測方向； 圖12中，120為待放大觀測部分，121為掩模圖案； 圖13中，B-B為待解剖觀測方向； 圖14中，C-C為帶解剖觀測方向； 圖15中，150為掩?？颍? 圖16中，161為沉積基板，162為支撐架，163為蒸鍍源；
【具體實施方式】[0021]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。[0022]根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖2~圖9所示，本發(fā)明提供一種蒸鍍用掩模板的制作方法，包括: 51、芯模貼膜步驟:如圖2所示，將膜21壓貼或涂覆到芯模20的一面，芯模20在貼膜步前經(jīng)過噴砂、清洗等處理，使芯模貼膜的一面干凈平整； 52、曝光步驟:如圖3所示，將芯模貼膜步驟中的膜21按預設(shè)的曝光圖案進行曝光，形成曝光膜區(qū)域30和未曝光膜區(qū)域； 53、顯影步驟:如圖4所示，經(jīng)顯影步驟，顯影液與未曝光膜區(qū)域的膜反應，使未曝光膜區(qū)域的膜脫落露出芯模區(qū)域40，曝光膜區(qū)域30的膜繼續(xù)保留； 54、一次電鑄步驟:如圖5所示，經(jīng)一次電鑄步驟后在露出的芯模區(qū)域40形成一次電鑄層51，一次電鑄層51的厚度小于芯模貼膜步驟中膜21的厚度，50不分放大示意圖如圖6所示； 55、后處理I步驟:一次電鑄步驟后，進行后處理I步驟，所述后處理I步驟包括靜置步驟或烘烤步驟，通過后處理I步驟可以使兩次電鑄的電鑄層具有一定的結(jié)合力又能夠使二次電鑄的電鑄層從一次電鑄的電鑄層上剝離下來； 56、二次電鑄步驟:如圖7所示，經(jīng)二次電鑄步驟在一次電鑄層51和曝光膜區(qū)域30的基礎(chǔ)上形成二次電鑄層72，在曝光膜區(qū)域30形成通孔，70部分的放大示意圖如圖8所示。[0023]S7、后處理2步驟:后處理2步驟包括剝離步驟，如圖9所示，經(jīng)剝離步驟將二次電鑄層72從一次電鑄層51上剝離下來，圖9中90部分放大示意圖如圖10所示，3為ITO面，4為蒸鍍面，Θ為蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體板面的夾角。[0024]其中，兩次電鑄的電鑄層總厚度大于貼膜步驟中膜21的厚度，二次電鑄層72對應掩模板的本體，通孔包括掩模板的蒸鍍孔71。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，掩模板包括蒸鍍面和ITO面。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，蒸鍍孔71在ITO面上設(shè)有凹槽區(qū)域，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，凹槽區(qū)域?qū)坞婅T步驟中曝光膜區(qū)域(30)。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與板本體72的板面呈30~60°夾角。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，貼膜步驟中膜21的厚度為8~80μπι。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，二次電鑄層72厚度為10~80μπι。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一次電鑄層51厚度為3~30 μ m。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，后處理I為靜置或烘烤，靜置的時間為5~30min。
[0033]一次電鑄(S4)和二次電鑄(S6)步驟中電鑄液的濃度參數(shù)如下:
硫酸鎳220~260g/L
氯化鎳30~50g/L
硼酸40~50 g/L`
硫酸亞鐵 35~45g/L
電鑄材料為磁性鎳或鎳基合金材料。鎳基合金材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、鎳鐵鈷合金中的一種。
[0034]電鑄液的添加劑包括:
穩(wěn)定劑0.5~5ml/L
潤濕劑0.5~5ml/L
走位劑0.5~5ml/L
圖11所示為利用本發(fā)明提供的方法制作的掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，為大尺寸蒸鍍孔的掩模板，蒸鍍用掩模板110包括掩模板本體72及形成在掩模板本體上的蒸鍍孔71，所述蒸鍍孔71貫穿掩模板本體72，在蒸鍍孔71中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀，圖11中沿A-A方向的截面示意圖如圖9所示。
[0035]圖12所示為利用本發(fā)明提供的方法制作的另一種掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，蒸鍍用掩模板110包括掩模板本體72及掩模圖案121，掩模圖案121中設(shè)有蒸鍍孔。
[0036]圖13所示為圖12中120部分掩模圖案120部分的一種結(jié)構(gòu)放大示意圖，圖13中蒸鍍孔71為小開口以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體72上，沿B-B方向的截面放大示意圖如圖10所示。
[0037]圖14所示為圖12中120部分掩模圖案的另一種結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖14中蒸鍍孔71為長條狀的開口以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體72上，沿C-C方向的截面放大示意圖如圖10所示。
[0038]本發(fā)明還提供了一種掩模組件，如圖15所示，掩模組件包括掩?？?50和上述所述的蒸鍍用掩模板110,掩模板110固定于掩模框130上。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的實施例，掩模板110通過激光焊接或粘接方式固定于掩?？?50上。
[0040]圖16所不為蒸鍍不意圖,掩模組件固定于支撐架162上,將掩模板110的ITO面貼緊沉積基板161，蒸鍍源163發(fā)射的有機材料通過掩模板的蒸鍍孔沉積在沉積基板161上形成有機材料層。
[0041]通過本發(fā)明所提供的方法制作的掩模板110，在蒸鍍孔71中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體72的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，蒸鍍孔71在ITO面設(shè)有凹槽區(qū)域可以防止蒸鍍孔的邊緣翹起劃傷沉積基板，在制作如圖12~圖14所示小尺寸蒸鍍孔的掩模板時，利用本發(fā)明提供的方法可以將蒸鍍孔的尺寸做到更小。另外一次電鑄層51可以起到保護二次電鑄層的ITO面的作用，當芯模20貼膜的一面表面不平整時亦可以保證二次電鑄層的ITO面平整。
[0042]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進行了詳細的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。`
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，包括: 51、芯模貼膜步驟:將膜壓貼或涂覆到芯模的一面； 52、曝光步驟:將所述芯模貼膜步驟中的所述膜按預設(shè)的曝光圖案進行曝光，形成曝光膜區(qū)域和未曝光膜區(qū)域； 53、顯影步驟:經(jīng)顯影步驟，顯影液與所述未曝光膜區(qū)域的膜反應，使所述未曝光膜區(qū)域的膜脫落露出芯模區(qū)域，所述曝光膜區(qū)域的膜繼續(xù)保留； 54、一次電鑄步驟:經(jīng)一次電鑄步驟后在所述露出的芯模區(qū)域形成一次電鑄層，所述一次電鑄層的厚度小于所述芯模貼膜步驟中所述膜的厚度； 55、后處理I步驟:一次電鑄步驟后，進行后處理I步驟，所述后處理I步驟包括靜置步驟或烘烤步驟； 56、二次電鑄步驟:經(jīng)二次電鑄步驟在所述一次電鑄層和所述曝光膜區(qū)域的基礎(chǔ)上形成二次電鑄層，在所述曝光膜區(qū)域形成通孔； 57、后處理2步驟:后處理2步驟包括剝離步驟，經(jīng)剝離步驟將所述二次電鑄層從所述一次電鑄層上剝離下來； 其中，兩次電鑄的電鑄層總厚度大于所述貼膜步驟中所述膜的厚度，所述二次電鑄層對應掩模板的本體，所述通孔包括掩模板的蒸鍍孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的 蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述蒸鍍孔在所述ITO面上設(shè)有凹槽區(qū)域，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈外擴式喇叭狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述凹槽區(qū)域?qū)龆坞婅T步驟中所述曝光膜區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30~60°夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述貼膜步驟中所述膜的厚度為8~80 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述二次電鑄層厚度為10~80 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述一次電鑄層厚度為3~30 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述靜置的時間為5 ~30min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制作方法，其特征在于，所述一次電鑄和所述二次電鑄的電鑄材料為鎳基合金。
【文檔編號】C23C14/04GK103589993SQ201310464795
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 張煒平 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司