一種二極管加工用新型鈍化液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種二極管加工用新型鈍化液，鈍化液包含有磷酸，雙氧水和純水，磷酸，雙氧水和純水的體積比為1：1：3，在磷酸、雙氧水和純水的混合液中再添加少量的硫酸，磷酸、雙氧水和純水的混合液與硫酸的體積比為98：2，磷酸的濃度為85%，雙氧水的濃度為30-35%，硫酸的濃度為98%。本發(fā)明按照一定的體積比將磷酸、雙氧水和純水混合后在添加硫酸，少量的硫酸減少反應(yīng)的生成物，沒有雜質(zhì)，較以往的鈍化處理液成本低，抗腐蝕能力強(qiáng)。本發(fā)明的處理液配方簡單，成本低，使工件防腐性能提高的同時(shí)其他性能依然不變，延長了工件的使用壽命。
【專利說明】 一種二極管加工用新型鈍化液

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于二極管加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種二極管加工用的鈍化液。

【背景技術(shù)】
[0002]二極管是現(xiàn)代微電子工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，二極管已經(jīng)成熟并且大量的應(yīng)用于電子行業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域，隨著現(xiàn)在微電子工業(yè)的迅猛發(fā)展，二極管已經(jīng)成為企業(yè)利潤最多的一部分，二極管的芯片通過酸洗過后，臺面容易被污染，所以必須對二極管的芯片進(jìn)行鈍化處理，鈍化是使芯片臺面進(jìn)行化學(xué)氧化，使芯片得到保護(hù)。以往的鈍化液產(chǎn)生的衍生物多，使得工件質(zhì)量下降，影響企業(yè)的收益。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種即鈍化效果好又產(chǎn)生衍生物少的二極管用的鈍化液。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明是一種二極管加工用新型鈍化液，鈍化液包含有磷酸，雙氧水和純水，磷酸，雙氧水和純水的體積比為1:1:3，在磷酸、雙氧水和純水的混合液中再添加少量的硫酸。
[0005]本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于:磷酸、雙氧水和純水的混合液與硫酸的體積比為98:2。
[0006]本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于:磷酸的濃度為85%，雙氧水的濃度為30-35%，硫酸的濃度為98%。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明按照一定的體積比將磷酸、雙氧水和純水混合后在添加硫酸，少量的硫酸使得反應(yīng)的生成物減少，沒有雜質(zhì)，較以往的鈍化處理液成本低，鈍化效果好。
[0008]本發(fā)明的處理液配方簡單，成本低，使工件性能得以明顯提升。

【具體實(shí)施方式】
[0009]為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不對本發(fā)明的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。
[0010]本發(fā)明是一種二極管加工用新型鈍化液，所述鈍化液包含有磷酸，雙氧水和純水，其特征在于:所述磷酸，雙氧水和純水的體積比為1:1:3，在所述磷酸、雙氧水和純水的混合液中再添加少量的硫酸，所述磷酸、雙氧水和純水的混合液與所述硫酸的體積比為98:2，所述磷酸的濃度為85%，所述雙氧水的濃度為30-35%，所述硫酸的濃度為98%。
[0011]雙氧水具有強(qiáng)氧化性，在芯片表面鈍化成膜，它能在酸性條件下，使芯片成膜速度加快，溫度在60°c以上均可，提高成膜效率。如果雙氧水的含量太低，導(dǎo)致鈍化液氧化性太弱，芯片表面不易形成完整的鈍化膜。
[0012]本發(fā)明按照一定的體積比將磷酸、雙氧水和純水混合后在添加硫酸，少量的硫酸減少反應(yīng)的生成物減少，沒有雜質(zhì)，較以往的鈍化處理液成本低，可靠性好。
[0013]本發(fā)明的處理液配方簡單，成本低，使工件可靠性提高的同時(shí)其他性能依然不變。
【權(quán)利要求】
1.一種二極管加工用新型鈍化液,所述鈍化液包含有磷酸,雙氧水和純水,其特征在于:所述磷酸，雙氧水和純水的體積比為1:1:3，在所述磷酸、雙氧水和純水的混合液中再添加少量的硫酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二極管加工用新型鈍化液，其特征在于:所述磷酸、雙氧水和純水的混合液與所述硫酸的體積比為98:2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二極管加工用新型鈍化液，其特征在于:所述磷酸的濃度為85%，所述雙氧水的濃度為30-35%，所述硫酸的濃度為98%。
【文檔編號】C23C22/07GK104233245SQ201310251723
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月24日
【發(fā)明者】鄭欣 申請人:安徽中鑫半導(dǎo)體有限公司