專利名稱：一種ic級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒ā?br> 背景技術(shù)：
目前，對EPI等級要求較高的產(chǎn)品，IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙葧?yán)重影響到后續(xù)加工過程的圖形良率。EPI過程后產(chǎn)生的副產(chǎn)物雖然經(jīng)HCl清洗后會使表面變得略粗糙，但如果所提供的原片表面粗糙度達(dá)不到要求，經(jīng)HCl清洗后表現(xiàn)尤為明顯，影響圖像良率。所以為滿足EPI廠商要求，使拋光片表面粗糙度達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)非常重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能使表面粗糙度符合標(biāo)準(zhǔn)，從而提高后續(xù)加工過程的圖形良率的一種IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒?。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒?，其特征在于它?jīng)過下列階段:A、在拋光機(jī)中加入PH值為10. 5 11的拋光液后，進(jìn)入第一階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0. 3 0. 5KN,時間控制在20 30秒；B、拋光液PH值保持在10. 5 11，進(jìn)入第二階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0. 5 1KN，時間控制在30 60秒；C、拋光液PH值保持在10. 5 11，進(jìn)入第三階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在2. 0 2. 5KN,時間控制在6 8分鐘；D、拋光液PH值保持在10. 5 11，進(jìn)入第四階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在0.1 0. 2KN,時間控制在2 3分鐘，并在該階段結(jié)束前20 25秒時將拋光液切換為高純表面活性劑；F、進(jìn)入第五階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0.1 0. 3KN，時間控制在30 60秒，即可完成拋光。采用本發(fā)明，可以有效控制化學(xué)與機(jī)械拋光的平衡度，從而防止拋光片表面容易因化學(xué)或機(jī)械作用過強(qiáng)而引起硅片表面粗糙，使IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙确蠘?biāo)準(zhǔn)，提高后續(xù)加工過程的圖形良率。
具體實施例方式下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。它包括下列階段
一、在拋光機(jī)中加入PH值為10.5 11的拋光液后，進(jìn)入第一階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0. 3 0. 5KN,時間控制在20 30秒；
二、拋光液PH值保持在10.5 11，進(jìn)入第二階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0. 5 IKN，時間控制在30 60秒；
三、拋光液PH值保持在10.5 11，進(jìn)入第三階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在2. 0 2. 5KN,時間控制在6 8分鐘；
四、拋光液PH值保持在10.5 11，進(jìn)入第四階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在0.1 0. 2KN,時間控制在2 3分鐘，并在該階段結(jié)束前20 25秒時將拋光液切換為高純表面活性劑；
五、進(jìn)入第五階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在0.1 0. 3KN,時間控制在30 60秒，即可完成拋光。
權(quán)利要求
1.一種IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒ǎ涮卣髟谟谒?jīng)過下列階段:A、 在拋光機(jī)中加入PH值為10. 5 11的拋光液后，進(jìn)入第一階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在O. 3 O. 5KN,時間控制在20 30秒；B、拋光液PH值保持在10. 5 11， 進(jìn)入第二階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在O. 5 1KN，時間控制在30 60 秒；C、拋光液PH值保持在10. 5 11，進(jìn)入第三階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在2. O 2. 5KN，時間控制在6 8分鐘；D、拋光液PH值保持在10. 5 11，進(jìn)入第四階段拋光，將溫度控制在25°C 30°C，壓力控制在O.1 O. 2KN,時間控制在2 3分鐘，并在該階段結(jié)束前20 25秒時將拋光液切換為高純表面活性劑；F、進(jìn)入第五階段拋光，將溫度控制在20°C 23°C，壓力控制在O.1 O. 3KN,時間控制在30 60秒，即可完成拋光。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙鹊目刂品椒?，該方法是將拋光分為五個階段，五個階段的拋光過程溫度控制到25℃-28℃；PH控制到10.5-11；在第三階段將拋光時間縮短為6-8分鐘；在第四階段將拋光時間延長到2-3分鐘，壓力從0.1KN提高到0.2KN，同時在拋光結(jié)束前添加高純表面活性劑至第五階段結(jié)束；采用本發(fā)明，可以有效控制化學(xué)與機(jī)械拋光的平衡度，從而防止拋光片表面容易因化學(xué)或機(jī)械作用過強(qiáng)而引起硅片表面粗糙，使IC級重?fù)缴楣钂伖馄砻娲植诙确蠘?biāo)準(zhǔn)，提高后續(xù)加工過程的圖形良率。
文檔編號B24B37/005GK103042463SQ20131002560
公開日2013年4月17日 申請日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月22日
發(fā)明者袁澤山, 郝美功, 詹玉峰 申請人:萬向硅峰電子股份有限公司