用于在襯底上沉積抗蝕劑薄層的設(shè)備和工藝相關(guān)文獻(xiàn)本文要求2011年10月12日提交的名稱為“APPARATUSANDPROCESSFORDEPOSITINGATHINLAYEROFRESISTONASUBSTRATE”(用于在襯底上沉積抗蝕劑薄層的設(shè)備和工藝)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.61/546,384的權(quán)益，并且該申請(qǐng)的整個(gè)公開內(nèi)容以引用方式全部并入本文中。指定美國(guó)的PCT申請(qǐng)No.PCT/US2012/056769以EmanuelM.Sachs的名義于2012年9月22日提交，名稱為“TECHNIQUESFORIMPROVEDIMPRINTINGOFSOFTMATERIALONSUBSTRATEUSINGSTAMPINCLUDINGUNDERFILLINGTOLEAVEAGAPANDPULSINGSTAMP”(用于利用包括不填滿以留下間隙的印模和脈動(dòng)印模在襯底上改進(jìn)壓印軟材料的技術(shù))，該P(yáng)CT申請(qǐng)要求2011年9月23日提交的相同標(biāo)題的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.61/538,489的優(yōu)先權(quán)。該P(yáng)CT申請(qǐng)?jiān)谙挛闹斜环Q為PCT/US2012/056769申請(qǐng)，并且它及其相關(guān)聯(lián)的優(yōu)先權(quán)臨時(shí)申請(qǐng)以引用方式全文并入本文中。指定美國(guó)的第二PCT申請(qǐng)No.PCT/US2012/056770以EmanuelM.Sachs等人的名義于2012年9月22日提交，名稱為“METHODSANDAPPARATIFORHANDLING,HEATINGANDCOOLINGASUBSTRATEUPONWHICHAPATTERNISMADEBYATOOLINHEATFLOWABLEMATERIALCOATING,INCLUDINGSUBSTRATETRANSPORT,TOOLLAYDOWN,TOOLTENSIONING,ANDTOOLRETRACTION”(用于處理、加熱和冷卻襯底的方法和設(shè)備，在該襯底上由工具在熱可流動(dòng)材料涂層中制得圖案，包括襯底輸送、工具擱置、工具張緊以及工具退回)，該P(yáng)CT申請(qǐng)要求2011年9月23日提交的相同標(biāo)題的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.61/538,542的優(yōu)先權(quán)。第二PCT申請(qǐng)?jiān)谙挛闹斜环Q為PCT/US2012/056770申請(qǐng)，并且它及其相關(guān)聯(lián)的優(yōu)先權(quán)臨時(shí)申請(qǐng)以引用方式全文并入本文中。
背景技術(shù)：
：在2008年2月15日以EmanuelM.Sachs、JamesF.Bredt和麻省理工學(xué)院的名義提交的名稱為“SOLARCELLWITHTEXTUREDSURFACES”(“帶有紋理表面的太陽(yáng)能電池”)的指定美國(guó)的專利合作條約申請(qǐng)No:PCT/US2008/002058中公開了某些處理機(jī)制和架構(gòu)，其國(guó)家階段是2012年9月4日以美國(guó)專利No.8257998發(fā)布的美國(guó)專利申請(qǐng)No.12/526,439，并且還要求兩個(gè)2007年2月15日提交的臨時(shí)美國(guó)申請(qǐng)No.US60/901,511以及于2008年1月23日提交的No.US61/011,933的優(yōu)先權(quán)。所有的PCT申請(qǐng)、美國(guó)專利、專利申請(qǐng)和兩個(gè)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)都以引用方式全文并入本文中。這些申請(qǐng)中所公開的技術(shù)在本文中被總稱為自對(duì)準(zhǔn)電池(SAC)技術(shù)。在2009年4月17日以BenjaminF.Polito、HollyG.Gates和EmanuelM.Sachs以及麻省理工學(xué)院和1366工業(yè)公司的名義提交的名稱為“WEDGEIMPRINTPATTERNINGOFIRREGULARSURFACE”(“不規(guī)則表面的楔形壓印圖案形成”)的指定美國(guó)的專利合作條約申請(qǐng)No.PCT/US2009/002423中公開了某些另外的處理方法和設(shè)備，其國(guó)家階段是美國(guó)專利申請(qǐng)No.12/937,810，并且還要求兩個(gè)于2008年4月18日提交的臨時(shí)美國(guó)申請(qǐng)No.US61/124,608以及于2008年12月12日提交的No.US61/201,595的優(yōu)先權(quán)。所有的PCT申請(qǐng)、美國(guó)專利申請(qǐng)和兩個(gè)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)都以引用方式全文并入本文中。在該段落提及的申請(qǐng)中所公開的技術(shù)在本文中被總稱為楔形壓印技術(shù)或楔壓(wedging)技術(shù)，但在某些情況下可使用具有不同于楔形的形狀的突部。相關(guān)申請(qǐng)?jiān)谙挛闹斜环Q為楔壓申請(qǐng)。簡(jiǎn)要地說(shuō)，這種楔形壓印技術(shù)包括方法。用于光伏和其它用途的帶有特定紋理的形成圖案的襯底被制成。如參照楔壓申請(qǐng)的圖1、2、3、4和5及6所示，襯底通過將柔性印模的突部壓印到抗蝕劑材料的薄層上而制成，薄層覆蓋襯底晶片。使用的印模工具具有足夠軟的材料(通常為彈性體)，使得工具在與襯底或晶片接觸時(shí)變形，之前已在襯底或晶片上涂敷了抗蝕劑涂層?？刮g劑在加熱時(shí)軟化，并在熱量和壓力的條件下移離突部處的壓印位置，從而揭露突部附近的襯底區(qū)域。(抗蝕劑可在突部接觸抗蝕劑之前或之后被加熱，或者在之前和之后，以及在工藝中)。襯底然后隨印模一起就地冷卻，并且除去印模，從而留下襯底暴露于孔下面的區(qū)域，抗蝕劑已從該孔移走。襯底可進(jìn)一步經(jīng)受某些成型處理，通常是蝕刻處理。襯底的暴露部分通過例如蝕刻作用除去，并且由抗蝕劑保護(hù)的襯底部分保留下來(lái)。典型的襯底是硅，并且典型的抗蝕劑是蠟或蠟、樹脂和松香的混合物。印模可一再重復(fù)使用。印模的突部可為離散的、間隔開的，例如所示的錐體元件?；蛘撸鼈兛蔀閿U(kuò)展的楔形元件，例如在楔壓申請(qǐng)中所示。或者，它們可為其組合或任何其它合適的形狀，其可造成抗蝕劑材料從原始覆蓋條件移走。因而，印模用于對(duì)工件上的抗蝕劑層形成圖案，其然后經(jīng)受不同的成型步驟而使工件成型。工件然后可用于光伏或其它用途?？商峁┙o工件的紋理包括延伸的槽、離散的間隔開的凹坑和其組合、以及其中間體。基于壓板的技術(shù)可用于對(duì)工件形成圖案。粗糙且不規(guī)則的工件襯底可通過利用擴(kuò)展的印模元件來(lái)適應(yīng)，以確保印模的成型部分接觸工件的表面。在楔壓申請(qǐng)和上文中描述的方法在此被稱為楔形壓印或楔壓。因而，通常希望在襯底上涂布非常薄的聚合物膜。上文討論的特定的一組申請(qǐng)是在限定圖案的領(lǐng)域中，例如在聚合物抗蝕劑中，該抗蝕劑接著用來(lái)阻擋蝕刻。較薄的膜有助于限定較小的特征。例如，對(duì)于2-5微米的特征，小于5微米厚且通常小于3微米的膜是期望的。通常，這種薄聚合物膜作為溶于有機(jī)溶劑中或細(xì)微分散在載液中的聚合物而沉積。厚度大于期望的聚合物厚度的膜被沉積，并且該膜隨溶劑或載體流體蒸發(fā)而減薄至期望厚度。然而，使用溶劑對(duì)設(shè)備造成負(fù)擔(dān)。使用溶劑需要在車間內(nèi)更昂貴的設(shè)備：以便為工人提供安全的呼吸環(huán)境，以避免和抑制火災(zāi)，以及從進(jìn)入外部環(huán)境的排氣流除去溶劑。使用溶劑或分散體固有地增加將涂層干燥至其最終厚度的工藝步驟，這向工藝增加了復(fù)雜性和成本。當(dāng)使用遠(yuǎn)超出功能聚合物含量的量的液體材料時(shí)運(yùn)輸成本增加，并且危險(xiǎn)溶劑的運(yùn)輸涉及另外的成本。最后，溶于溶劑中或在分散體中載送的聚合物的儲(chǔ)存壽命常常是有限的，因而造成物流問題和浪費(fèi)。因而，可能希望沉積薄的聚合物膜，而不使用溶劑或載體流體。需要這樣的工藝和用于執(zhí)行這樣的工藝的設(shè)備。參照附圖，將容易理解本發(fā)明的這些和其它目的，附圖為。附圖的簡(jiǎn)要描述圖1是根據(jù)本發(fā)明的用于靜電涂布的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的用于抗蝕劑加熱、抗蝕劑流體遞送和氣溶膠生成的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的用于氣溶膠的顆粒定徑和過濾的擋板的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖；圖4是示意圖，顯示了用于根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的用于形成電離氣體分子并使氣溶膠顆粒帶電的機(jī)構(gòu)；圖5是根據(jù)本發(fā)明的用于形成電離氣體分子同時(shí)防止電暈電極污染的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的用于高沉積效率涂布室的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖；圖7是坐標(biāo)圖，顯示了在根據(jù)本發(fā)明的高沉積效率涂布室的一個(gè)實(shí)施例的擴(kuò)展收集區(qū)域上的收集速率；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明的用于靜電沉積的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的框圖和局部剖視圖。簡(jiǎn)要概括本文所公開的發(fā)明的一個(gè)方面是使用諸如充滿材料的塊、團(tuán)或桶的呈固體形式的聚合物。這種形式的材料可由其制造商提供且以該形式運(yùn)輸給用戶。聚合物然后以具有等于和小于期望聚合物層的厚度的尺寸范圍的小顆粒呈現(xiàn)。顆粒被夾帶在氣體流中以形成氣溶膠，并且在待涂布的襯底的表面上輸送。顆粒借助于靜電被迫沉積在襯底上。沉積顆粒的層被加熱，以便流入具有期望的厚度和厚度均勻度的聚合物膜中。一種用于形成聚合物的細(xì)顆粒的可用方法是使聚合物熔融并使用霧化技術(shù)。在這樣的情況下，有利的是聚合物可被加熱至其中粘度很低的點(diǎn)，因?yàn)檫@使得能夠使用霧化器技術(shù)。一種用于靜電介導(dǎo)沉積的可用方法是使用電離氣體分子使聚合物顆粒帶電。帶電的抗蝕劑顆粒然后由所建立的電場(chǎng)吸引到襯底，并且顆粒粘附到襯底。希望將所有或幾乎所有聚合物顆粒收集到襯底上。這有助于聚合物的更經(jīng)濟(jì)利用，并且也使處理包含細(xì)顆粒的流出物流的成本和復(fù)雜性最小化。此外，高效的沉積確保沒有聚合物可供沉積在不需要其的機(jī)器的表面上。這可以例如通過沿承載待涂布襯底的襯底支撐件的長(zhǎng)度提供一系列充電裝置而實(shí)現(xiàn)。連續(xù)的充電裝置可接著處理未被此前的充電裝置捕集到襯底上的顆粒，從而可實(shí)現(xiàn)非常高的沉積效率。待涂布的襯底可以承載在紙帶上。紙帶提供了表面，該表面捕集超出襯底邊界且在前進(jìn)到沉積區(qū)內(nèi)的襯底之間沉積的顆粒。該紙帶可接著被處置。與襯底下側(cè)的電接觸可通過將少量水涂敷到紙帶以建立到下面的金屬板的導(dǎo)電路徑而實(shí)現(xiàn)。紙帶為襯底的下側(cè)提供保護(hù)性覆蓋物，從而防止在該表面上發(fā)生沉積。具體實(shí)施方式希望通過首先形成氣載顆粒形式的聚合物或氣溶膠來(lái)沉積聚合物材料，其可通過各種方法來(lái)完成。為了形成薄層，希望形成非常細(xì)的顆粒，并避免過大顆粒的沉積。例如，考慮形成2微米厚的聚合物層的目標(biāo)。雖然100微米顆粒的均勻稀疏的涂層可能具有合適量的材料以形成2微米的涂層，但是各個(gè)顆粒將分開得太遠(yuǎn)，使得它們不會(huì)充分流動(dòng)以形成均勻厚度的連續(xù)層。在其它極端情況下，如果每個(gè)顆粒在尺寸上比層厚更小，并且均勻地分布在襯底的表面上，那么在流動(dòng)之后當(dāng)然能夠制成均勻厚度的連續(xù)膜。然而，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，顆粒尺寸的要求并不像該條件所建議的那樣嚴(yán)格。這是有利的，因?yàn)槿绻墒褂寐源蟮念w粒，則可達(dá)到更高的顆粒體積流率。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，即使多達(dá)大部分顆?？删哂懈哌_(dá)五倍于期望層厚度的尺寸，它們也不會(huì)在流動(dòng)的膜中形成缺陷。然而，優(yōu)選的是，大多數(shù)顆粒小于期望層厚度的兩倍，并且氣溶膠中的顆粒的最大尺寸應(yīng)總體受限于目標(biāo)膜厚度的大約五倍，以便避免在涂層中形成不均勻性，該不均勻性在工藝中不可能通過后面的熱流步驟來(lái)抹平。然而，可容忍大于期望膜厚度的五倍的某些顆粒，這樣的顆粒即使在流動(dòng)之后也可導(dǎo)致局部較高的膜厚度，并且因此大部分顆粒應(yīng)該小于該閾值。下面研究和討論的用于形成氣溶膠的合適方法是射流霧化，其在結(jié)合合適的過濾時(shí)可產(chǎn)生從小于1微米至10微米的顆粒尺寸的分布。該范圍適合于2微米的熱塑性抗蝕聚合物的期望目標(biāo)膜厚度。公開的實(shí)施例設(shè)計(jì)為用于均勻地涂敷于太陽(yáng)能硅晶片襯底上。一旦獲得固體聚合物的氣溶膠和夾帶的氣體，就期望將氣溶膠顆粒均勻地沉積到襯底上。已經(jīng)研究出來(lái)的一種方法是利用電離氣體供應(yīng)器使顆粒帶電，并利用電場(chǎng)將顆粒沉積到襯底上。利用若干聚合物執(zhí)行這個(gè)工藝的經(jīng)驗(yàn)已經(jīng)指出該工藝是足夠靈活的，以沉積任何可能帶電荷的細(xì)顆粒氣溶膠，并且適合于0.1-10微米厚度范圍內(nèi)的熱塑性聚合物膜的涂層，其中能夠產(chǎn)生的涂層厚度的優(yōu)選范圍是1-5微米。整體描述在圖1中示意性地顯示了作為本發(fā)明的設(shè)備的實(shí)施例，其用于將聚合物薄層從固體源涂布到襯底上。熱塑性聚合物材料在本例中是由蠟、樹脂和松香組成的在室溫下為固體的抗蝕劑，其在聚合物供應(yīng)模塊101中被加熱至液態(tài)。當(dāng)材料通過沉積被消耗時(shí)，聚合物供應(yīng)器為氣溶膠發(fā)生器102提供周期性的補(bǔ)充。氣溶膠發(fā)生器使用來(lái)自氣溶膠發(fā)生器氣體供應(yīng)器103的受控制的氣溶膠發(fā)生器氣體源，其在一優(yōu)選實(shí)施例中是不與抗蝕劑起反應(yīng)的非反應(yīng)性氣體。氣溶膠發(fā)生器氣體用于形成稱為氣溶膠104的抗蝕劑的細(xì)氣載顆粒，其接下來(lái)通過氣體103的作用而被推入分布歧管105中。如接下來(lái)將描述的，氣溶膠發(fā)生器依賴于聚合物的使用，該聚合物可轉(zhuǎn)變成低粘性液體，以形成用于形成薄的均勻涂層所需的小直徑顆粒。優(yōu)選實(shí)施例中的氣溶膠中的顆粒在離開氣溶膠發(fā)生器102時(shí)冷卻至足夠的程度，使得它們?cè)谄湟苿?dòng)通過分布歧管時(shí)變成固體。然而，顆粒在氣溶膠形式下是穩(wěn)定的，并且能夠保持液態(tài)達(dá)足夠的時(shí)間，以便在液態(tài)下沉積，這是所期望的工藝。一旦形成，氣溶膠便可利用來(lái)自氣溶膠稀釋氣體供應(yīng)器106的氣溶膠稀釋氣體的二級(jí)受控源進(jìn)行稀釋。在優(yōu)選實(shí)施例中，氣溶膠稀釋氣體通過稀釋氣體引進(jìn)端口107供應(yīng)至分布歧管105，然而，氣溶膠稀釋氣體可在氣溶膠發(fā)生器102和涂布室109之間的任何點(diǎn)處供應(yīng)。在優(yōu)選實(shí)施例中，稀釋氣體是與由氣溶膠氣體供應(yīng)器103提供的氣體為相同類型的非反應(yīng)性氣體，但其還可以是與來(lái)自氣溶膠氣體供應(yīng)器以及來(lái)自后面討論的電離器氣體供應(yīng)器115的氣體為不同類型的氣體。稀釋氣體的重要功能是維持分布歧管中的壓力，并在遞送歧管108的入口處的狹窄槽上形成均勻壓力。有益的是將未涂布的襯底引入到高效率顆粒累積(HEPA)工藝封罩124中，其利用HEPA過濾器將優(yōu)選為空氣的干凈氣體供應(yīng)到工藝封罩。HEPA封罩124維持潔凈度，并且使可造成后續(xù)工藝缺陷的污染最小化。襯底沿第一維度行進(jìn)到涂布室109中，并由襯底支撐件117傳送，襯底支撐件可攜帶襯底穿過整個(gè)設(shè)備。襯底支撐件使襯底移動(dòng)通過工藝，并且在涂布工藝期間提供過度噴涂掩模。其從襯底支撐件退繞器118供應(yīng)，并且收集到襯底支撐件重繞器123上。為了獲得襯底的全部覆蓋，優(yōu)選地，遞送歧管108沿大致垂直于第一維度的第二維度寬于待涂布的襯底120。由于獲得目標(biāo)膜厚度所需的顆粒尺寸范圍，使用靜電產(chǎn)生所需的涂層是有利的。小顆粒尺寸和低質(zhì)量密度導(dǎo)致非常低的斯托克斯沉降速度，并且顆粒將不會(huì)在有用裝置所需要的短時(shí)間內(nèi)沉降和沉積。顆粒還容易被空氣流攜帶，并且由于它們的低慣性而不能被空氣流迫使沉積。靜電的使用克服了這些問題。因此，優(yōu)選的涂布工藝使用靜電使由遞送歧管引入到涂布室中的氣溶膠帶電，并且隨后將氣溶膠中的帶電顆粒沉積到襯底110上。為了形成薄的均勻涂層，重要的是，這個(gè)區(qū)域中的顆粒沉積是高度均勻的，因?yàn)樵诔练e之后沒有簡(jiǎn)單的方式將涂層物質(zhì)顯著地重新分布在宏觀面積上。電暈放電可通過從高電壓發(fā)生器113向電暈電極111供應(yīng)高電壓來(lái)建立，電暈電極附連至高電壓發(fā)生器，并且通過電暈電極安裝板112制成為電共通。通過使可電離氣體從受控制的電離器氣體供應(yīng)器115流過電離器氣體引入端口116，可使氣溶膠104帶電的電離氣體被引進(jìn)涂布室109中。高電壓發(fā)生器113在電暈電極111和對(duì)電極114之間建立電場(chǎng)，導(dǎo)致帶電荷的離子和后來(lái)帶電的氣溶膠顆粒沿電場(chǎng)線朝對(duì)電極移動(dòng)。襯底120可以是導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料，其可通過襯底支撐件117建立電接觸而被保持在接近對(duì)電極的電勢(shì)。在優(yōu)選實(shí)施例中，廉價(jià)的紙構(gòu)成襯底支撐件117，并且可在襯底120和對(duì)電極114之間通過施加來(lái)自電導(dǎo)率增強(qiáng)分配器119的少量水而建立電接觸，從而在襯底支撐件上建立低電阻區(qū)域。因?yàn)橐r底保持在接近對(duì)電極電勢(shì)的電勢(shì)下，所以帶電的氣溶膠顆粒沿電場(chǎng)線移動(dòng)，并且在襯底穿過涂布室109時(shí)收集到襯底110上。在優(yōu)選實(shí)施例中，用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的硅晶片構(gòu)成襯底。襯底支撐件還可能是可再次使用的介質(zhì)環(huán)，其可在沉積之后清洗，使得清潔部分指向裝置入口，以便重復(fù)地用于另外的襯底。為了從均勻分布的收集顆粒形成連續(xù)的均勻的膜，如110所示，襯底和顆粒膜被加熱，導(dǎo)致顆粒熔融、流動(dòng)并融合成連續(xù)層。因?yàn)樽詈髮拥哪繕?biāo)厚度為約2微米，所以流水工藝不能將來(lái)自沉積工藝的涂層物質(zhì)顯著地重新分布在大區(qū)域上，而是僅僅融合已經(jīng)沉積就位的材料。用于流動(dòng)所需要的溫度可通過若干種方法來(lái)確立，但在圖1的優(yōu)選實(shí)施例中是通過穿過襯底支撐件的傳導(dǎo)加熱來(lái)完成的。流動(dòng)臺(tái)121保持在足夠高的溫度下，以便使抗蝕劑層流入到連續(xù)膜涂層122中，在這個(gè)實(shí)施例中，處于大約40℃至大約90℃之間的溫度。暴露于流動(dòng)溫度下的持續(xù)時(shí)間可通過襯底支撐件的速度、流動(dòng)臺(tái)的尺寸或兩者的組合來(lái)確立?？缌鲃?dòng)臺(tái)分布的受控制真空可用于使襯底支撐件和襯底進(jìn)入與流動(dòng)臺(tái)更好的熱連通。襯底連續(xù)地從襯底支撐件上的設(shè)備中出來(lái)，用于進(jìn)一步處理。為流提供熱量的備選方法包括紅外加熱、對(duì)流空氣加熱和激光加熱。紅外加熱可通過燈源來(lái)完成，使得燈波長(zhǎng)被襯底或抗蝕劑材料吸收。激光加熱可類似地利用是激光源而非紅外線燈的源來(lái)完成。對(duì)流加熱可通過使襯底支撐件穿過爐來(lái)完成，爐具有所需溫度下的循環(huán)空氣。在完成流動(dòng)工藝時(shí)還可能希望冷卻襯底，以使膜硬化以用于進(jìn)一步處理，并且這在優(yōu)選的實(shí)施例中通過被動(dòng)的空氣對(duì)流冷卻來(lái)完成。冷卻襯底的備選方法包括提供另外冷卻的空氣對(duì)流冷卻，或者通過以與流動(dòng)臺(tái)121相似的方式利用到冷卻臺(tái)的傳導(dǎo)來(lái)除去熱量。在所有情況下，可能希望加熱或冷卻多個(gè)區(qū)域，以提供所需的膜性質(zhì)。在自身沉積期間還可能將襯底維持在高溫下，使得通過上述其中一種方法，通過具有對(duì)電極而使沉積和流動(dòng)同時(shí)被保持在高溫下。為了增加吞吐量，系統(tǒng)可由更高輸出的氣溶膠發(fā)生器或從協(xié)作操作的多個(gè)氣溶膠發(fā)生器獲得供應(yīng)，這將允許襯底以更快的速率移動(dòng)穿過相同的涂布室，同時(shí)接收相同量的涂層。整個(gè)設(shè)備還可沿第二維度加寬，第二維度大致垂直于襯底沿第一維度的行程，從而允許多路襯底穿過單個(gè)涂布室。更快的吞吐量還可通過操作沿第一維度串聯(lián)的多個(gè)涂布室來(lái)獲得，使得各個(gè)更快移動(dòng)的襯底將接收若干顆粒沉積以形成涂層，其可在完成所有沉積之后流動(dòng)。由若干個(gè)串聯(lián)的涂布室組成的設(shè)備還將允許通過第一和第二等等聚合物的連續(xù)顆粒沉積來(lái)制成合金化聚合物涂層，之后是流動(dòng)和融合以形成膜。合金化膜還可通過混合兩個(gè)或更多氣溶膠發(fā)生器的輸出而成形，氣溶膠發(fā)生器被供應(yīng)不同的聚合物原料。所述的方法可擴(kuò)展以形成由兩層或更多層材料組成的涂層，包括層具有不同材料且還可能具有不同厚度的情況。第一材料可沉積和流動(dòng)，然后第二材料可沉積和流動(dòng)，包括在與第一材料所用不同的溫度下流動(dòng)的可能性。例如，沉積的第二材料可能能夠在低于沉積的第一材料所需要的溫度下流動(dòng)。在這種情況下，層將保持相當(dāng)獨(dú)特。如果材料在流動(dòng)期間具有相似的性能，那么在流動(dòng)期間，在材料之間可能存在某些互混或擴(kuò)散。在某些情況下，層之間的界面的模糊化可能是有用的，例如在最大限度地增加層之間的附著力時(shí)。兩個(gè)或更多材料層還可作為顆粒進(jìn)行沉積，且然后在單個(gè)流動(dòng)步驟中流動(dòng)。這可導(dǎo)致界面處的材料的增加混合，這同樣可能是所期望的；并且它在生產(chǎn)上更為經(jīng)濟(jì)。多層沉積的實(shí)用性，尤其是對(duì)不同層使用不同材料的情況，可理解為在任何給定的應(yīng)用中，沉積的材料必須執(zhí)行各種功能。例如，在聚合物層是抗蝕劑且通過楔壓施加方法壓印圖案、然后浸入蝕刻溶液中的應(yīng)用中，僅以幾個(gè)期望的特性為例，層應(yīng)該有益地對(duì)襯底具有優(yōu)良的附著力，在其被加熱時(shí)合適的軟化和流動(dòng)特性，必須抗酸性，而且應(yīng)該容易在工藝結(jié)束時(shí)進(jìn)行剝離。例如，多材料層可使用對(duì)襯底特別粘合的下層以及對(duì)酸性蝕刻特別有抗性的上層。另一期望的組合將是粘合性下層和帶有流動(dòng)性質(zhì)的上層，其防止區(qū)域被脫去抗蝕劑。更容易溶解于水中的下層和更抗酸性的上層將是另一應(yīng)用。氣溶膠的形成為了以下討論的帶電、沉積和流動(dòng)，希望形成小顆粒的聚合物材料源。顆粒的目標(biāo)尺寸是約2微米及圍繞這個(gè)值的狹窄分布，并且霧化很適合這個(gè)任務(wù)。霧化產(chǎn)生了許多小于5微米的顆粒。然而，在室溫下為固體且適合形成圖案(例如通過阻擋蝕刻)的聚合物抗蝕劑配方并不直接適合如水基藥物所使用的作為形成小顆粒的方法的霧化。本發(fā)明的一方面是可合適地配制出由臘、樹脂和松香組成的一些熱塑性聚合物抗蝕劑，使得通過增加抗蝕劑溫度，造成固體抗蝕劑熔融并形成液體，在進(jìn)一步加熱聚合物抗蝕劑至足夠高的溫度時(shí)，液體抗蝕劑的粘性可達(dá)到小于100cP，因而使材料能夠被霧化。本發(fā)明的一個(gè)重要方面是將固體材料制成帶有足夠低粘性的液體，使得霧化可有效地產(chǎn)生所需要的顆粒。在優(yōu)選實(shí)施例中，霧化所需要的粘性的降低是在沒有添加溶劑或載體流體的條件下完成的，因?yàn)檎承缘慕档蛢H僅通過將抗蝕劑熔融成液態(tài)來(lái)完成。因而，本發(fā)明的工藝和裝置可為無(wú)溶劑的，意味著不需要使用溶劑。合適的粘性通過將抗蝕劑加熱至70-150℃的溫度來(lái)獲得。為了將合適體積的包含聚合物的氣溶膠傳遞給系統(tǒng)，優(yōu)選的方法是用于生成顆粒的射流霧化(也被稱為沖擊霧化)。因?yàn)橹匾氖蔷酆衔餅橛糜陟F化的低粘性液體，所以希望設(shè)備對(duì)于與聚合物接觸的所有表面維持高溫，直到形成氣溶膠之后，并且熔融的顆粒已經(jīng)充分冷卻而再次變成固體(圖2)。圖2中所描繪的組件的有用輸出是隨后將描述的氣溶膠，并且組件可被稱為氣溶膠發(fā)生器或霧化器。本說(shuō)明中用于生成顆粒的技術(shù)的常用術(shù)語(yǔ)是霧化，而且該術(shù)語(yǔ)用于表示形成氣溶膠的組件的部件(206-209)。射流霧化的操作原理(圖2中的細(xì)節(jié)A)是，被加熱以實(shí)現(xiàn)足夠低粘性的液體聚合物205被傳送至孔口210附近，高壓力氣體流從該孔口210出現(xiàn)，將流體打碎成小的微滴，其具有較寬尺寸范圍的顆粒213。來(lái)自受控制的霧化器氣體供應(yīng)器207的氣流穿過受控制的氣體加熱器208(在其它地方描述)，并被引入到霧化器內(nèi)部體積209，由此其可進(jìn)入氣體噴射孔口210。顆粒流213指向固體表面201，由此導(dǎo)致氣流突然改變方向(圖2的細(xì)節(jié)B)。具有高動(dòng)量的大顆粒224不能改變方向而跟隨氣流，并造成對(duì)固體表面的沖擊。重要的是沖擊表面維持在高溫下，以保持聚合物處于流體狀態(tài)，并將受沖擊的材料傳送至容器的底部，用于再循環(huán)，如226處所示。具有低動(dòng)量的小顆粒225跟隨氣流并逃離對(duì)固體表面的沖擊。帶有小顆粒的氣流穿過沖擊板214，并變成將要傳送到分布歧管105、620的氣溶膠215、104。在優(yōu)選的實(shí)施例中，液體聚合物流體可通過由離開的射流氣體210所形成的文丘里吸力而傳送至噴射孔口，其造成流體從液體入口端口212中收集起來(lái)，并被拉上液體吸收通道211而進(jìn)入到噴射孔口。希望噴射孔口和通道由作為良好熱導(dǎo)體的材料制成，便利地為鋁或不銹鋼。噴射孔口和通道成形于霧化器主體206中，也由導(dǎo)熱介質(zhì)制成。氣溶膠發(fā)生器主體201的內(nèi)壁可以是用于沖擊的固體表面。為了傳送用于沉積所需體積的顆粒，多對(duì)噴射孔口/通道可放置在單個(gè)容器中以提高傳送速率。圖2描繪了具有24對(duì)噴射孔口/通道的霧化器主體206。氣溶膠發(fā)生器主體201可通過加熱元件202結(jié)合熱控制系統(tǒng)203而維持在高溫下。粘性減少的熔融聚合物205、霧化器主體206和沖擊板214都可通過等溫環(huán)境而維持在相同的高溫下，等溫環(huán)境通過溫度受控的氣溶膠發(fā)生器主體201的周圍壁來(lái)建立。當(dāng)材料在沉積期間被消耗時(shí)，應(yīng)該傳送聚合物流體以補(bǔ)充氣溶膠發(fā)生器容器。這可通過若干種方法來(lái)完成。圖2示出了液體材料219保持在單獨(dú)的聚合物供應(yīng)模塊體216中，期望地通過加熱元件217和熱控制系統(tǒng)203而被保持在比氣溶膠發(fā)生器更低的溫度下。通過簡(jiǎn)單地將來(lái)自受控加壓氣體源220的壓力增加至聚合物供應(yīng)模塊內(nèi)部體積218，其迫使熔融的聚合物沿輸出立管221上升穿過供應(yīng)通道222和供應(yīng)孔口223并進(jìn)入氣溶膠發(fā)生器內(nèi)部體積204中，從而可將聚合物流體傳送至霧化容器。在供應(yīng)通道中可能存在止回閥，以防止回流，或者通道布置可對(duì)輸出立管中的流體使用重力，以防止回流，如在圖2的優(yōu)選實(shí)施例中所示。重要的是，在聚合物供應(yīng)模塊和氣溶膠發(fā)生器之間的供應(yīng)通道的元件也維持在高溫下，以保持聚合物處于其液態(tài)。在圖2所示的設(shè)備中，這通過從相鄰的熱受控物質(zhì)201和216到供應(yīng)通道222中的傳導(dǎo)來(lái)完成。備選地，通過利用合適的流量限制或合適的質(zhì)量流控制器對(duì)聚合物供應(yīng)模塊內(nèi)部體積施加壓力，從而可提供精確地平衡從氣溶膠發(fā)生器到沉積的損失的連續(xù)補(bǔ)充源。備選地，聚合物材料可熔融并維持在較低溫度(導(dǎo)致較高的粘性)，并通過受熱、加壓的軟管(例如用于熱膠水的桶裝機(jī))進(jìn)行抽送。備選地，聚合物可維持為固體棒形式，并且在傳送到氣溶膠發(fā)生器之前通過推送棒穿過熔融孔口而被熔融(例如棒料熱膠水槍)。另外，可通過本領(lǐng)域中已知的其它方法來(lái)供應(yīng)聚合物材料重要的是維持恒定的霧化器輸出，以產(chǎn)生一致的涂層厚度。水平檢測(cè)系統(tǒng)可完成此任務(wù)。水平檢測(cè)立管228中的流體通過穿過入口孔的流體連通而維持在與氣溶膠發(fā)生器內(nèi)部體積204中的流體相同的水平，入口孔定位在這兩個(gè)特征的底部。在水平檢測(cè)體227的頂部的孔允許在水平檢測(cè)氣體通道229和氣溶膠發(fā)生器內(nèi)部體積204之間的氣體壓力平衡。這種布置還防止了氣溶膠發(fā)生器內(nèi)部體積中的湍流液體干擾水平檢測(cè)組件中的流體水平。水平檢測(cè)組件的溫度通過氣溶膠發(fā)生器主體的良好熱傳導(dǎo)而維持。水平檢測(cè)立管中的流體水平可通過合適的水平檢測(cè)傳感器230來(lái)監(jiān)測(cè)，在這個(gè)實(shí)施例中是貫通梁激光傳感器，其依賴于在聚合物流體和氣體之間的折射率的差異。傳感器還可能是機(jī)械的或電容式的。從聚合物供應(yīng)模塊至氣溶膠發(fā)生器的新材料的添加通過來(lái)自該傳感器的信號(hào)進(jìn)行調(diào)整，使得在連續(xù)操作期間，恒定的流體水平在氣溶膠發(fā)生器中維持延長(zhǎng)時(shí)段。由于射流氣體和循環(huán)液體的大體積，大顆粒偶爾會(huì)形成，并逃逸出霧化器。這是不期望的，因?yàn)槠湓谕繉雍穸确矫嫘纬闪司植康牟痪鶆蛐?。如本文其它地方所述，這種薄層不可能充分地流動(dòng)以吸收大顆粒并取得所需的膜均勻性，所以從氣溶膠除去這種大顆粒是很重要的。一系列沖擊板214防止這些大顆粒逸出氣溶膠發(fā)生器(圖3)。第一沖擊板301可由金屬板組成，其具有放置在氣溶膠發(fā)生器201中的噴射孔口/通道區(qū)域上面的孔。帶孔的第二沖擊板302可放置在第一板的上面，并且該孔不與第一沖擊板對(duì)準(zhǔn)。由霧化器產(chǎn)生的寬顆粒尺寸分布?xì)馊苣z307被迫穿過第一板301中的孔305，并且該流垂直于初始流而突然受迫壓。大顆粒沖擊第二沖擊板，并且作為液體向下排出以進(jìn)行再循環(huán)。小顆粒跟隨氣體流，并且能夠通過第二沖擊板中的孔逃逸，造成更小顆粒尺寸分布?xì)馊苣z307?？稍黾拥谌龥_擊板303作為用于第二沖擊板的沖擊板，其輸出是最終顆粒尺寸分布?xì)馊苣z308。如果需要甚至更小的顆粒尺寸分布，可增加第四沖擊板作為用于第三板的沖擊板，等等?？壮叽绾桶彘g距可變化，以改變擋板結(jié)構(gòu)的尺寸過濾特性。該板在優(yōu)選實(shí)施例中可由鎖定芯軸304保持就位。芯軸也設(shè)定從第一板到第二板的間距(dl)以及從第二板到第三板的間距(d2)。這些距離被設(shè)定為約等于相關(guān)的下板中的孔尺寸。在優(yōu)選的實(shí)施例中，第一板中的孔尺寸為5.7mm，其中dl也等于5.7mm。第二和第三板中的孔為3mm，其中d2也等于該距離。希望使聚合物的熱輻射的持續(xù)時(shí)間最小化以避免熱降解。通過減小霧化器主體周圍的液體聚合物的體積，流體通過沉積而被更迅速地消耗，從而減小總的熱輻射。在優(yōu)選的實(shí)施例中，多個(gè)圓柱體的孔口/通道對(duì)被置于氣溶膠發(fā)生器主體201內(nèi)部的井凹中，氣溶膠發(fā)生器主體201也是圓柱形的并且僅僅略大于霧化器主體206。霧化器主體移置井凹的大部分體積，從而僅僅霧化器主體周圍的少量液體被維持。在多個(gè)殼/噴嘴之間制出通道，以便在所有位置維持相同的流體高度。通過將聚合物供應(yīng)模塊或其它遞送系統(tǒng)中的流體219維持在比氣溶膠發(fā)生器中的工作流體205更低的溫度下，可進(jìn)一步減小熱輻射。流體可少量地遞送，使得它可被迅速地加熱并結(jié)合到浴槽中的液體內(nèi)。氣體的選擇和用于噴射和顆粒遞送的氣體處理顯著地影響氣溶膠生成。氬氣具有高密度并在孔口處形成更多剪力。較高的剪力導(dǎo)致在相同溫度下遞送的顆粒質(zhì)量的大約兩倍增加。對(duì)于具有高密度的任何氣體，也同樣如此。由于較低操作成本的原因，氮可以在優(yōu)選實(shí)施例中使用。存在著離開噴射孔口的氣體的焦耳-湯姆遜冷卻，這導(dǎo)致在噴射孔口處局部較低的溫度、增加的抗蝕劑粘度，從而降低在形成顆粒時(shí)剪力的有效性，并最終降低顆粒產(chǎn)量。氣溶膠發(fā)生器氣體208的預(yù)熱通過將熱輻射集中在需要低粘度的噴射孔口上來(lái)抵消焦耳-湯姆遜效應(yīng)。受熱氣體的使用使得浴槽能夠維持在較低溫度，從而減少高溫下氧化的損害。使用無(wú)活性氣體而不是空氣也減少了氧化。射流或沖擊霧化是一種用于從低粘度液體形成氣溶膠的技術(shù)。存在氣溶膠領(lǐng)域中已知的其它方法。Laskin(羅徹斯特大學(xué)，Laskin,S.:“SubmergedAerosolUnit”,A.E.C.ProjectQuarterlyReportUR-45,1948年9月，第77-90頁(yè))描述了具有孔口和液體進(jìn)入端口的一種形式的射流霧化器，但孔口/進(jìn)入端口浸入液位以下。在這種情況下，大顆粒的移除不是通過用固體材料沖擊而是通過與來(lái)自射流氣體的氣泡的內(nèi)壁碰撞而發(fā)生。小顆粒在氣泡上浮到表面并破裂時(shí)被釋放。Babington(1986年3月4日發(fā)布的Babington,R.S.的美國(guó)專利No.4,573,904，“LiquidDeliveryApparatusandMethodforLiquidFuelBurnersandLiquidAtomizers”)描述了一種霧化器，其中待霧化的液體的薄膜在球面上流動(dòng)，并且噴射孔口被水平地導(dǎo)向以使膜破裂成小滴?？梢栽黾記_擊以減小用這種球形霧化器制備的顆粒的尺寸分布。還存在同心霧化器(例如，1999年3月23日發(fā)布的Tan,H.S.的美國(guó)專利No.5,884,846，“PneumaticConcentricNebulizerwithAdjustableandCapillaries”)，其中待霧化的流體和氣體流過同心孔口，使得氣體流提供文丘里抽吸并將流體分裂成小顆粒?？梢栽黾記_擊以減小用這樣的同心霧化器制備的顆粒的尺寸分布。最后，存在旋轉(zhuǎn)式霧化器(例如，1959年9月1日發(fā)布的Nyrop,J.E.的美國(guó)專利No.2,902,223，“LiquidAtomizers”；以及1986年5月20日發(fā)布的Robisch,H.的美國(guó)專利No.4,589,597，“RotaryAtomizerSprayPaintingDevice”)，其通過使流體的薄膜或通道在徑向方向上向外加速而形成顆粒，造成所得到的流破裂成小滴。液體流率和旋轉(zhuǎn)速度以及其它因素決定在這類裝置中的小滴尺寸。氣溶膠的帶電氣溶膠顆粒的帶電可通過來(lái)自電離氣體的電荷的傳遞而實(shí)現(xiàn)，如圖4所示。高電壓源(通常±30-120kV，在圖中顯示為正電)被施加到導(dǎo)電的電暈電極。優(yōu)選的實(shí)施例為電暈點(diǎn)401，但電暈電離源也可以是細(xì)線。電暈電極附近的高電壓梯度將所示氣體分子405、408中的電荷分離為氣體離子和電子。這些電離事件可在每個(gè)電暈電極周圍的擴(kuò)展的電離區(qū)域404中發(fā)生。離子和顆粒的許多類型的相互作用可發(fā)生在涂布室中，但兩種相互作用對(duì)于設(shè)備的操作是重要的。在第一種相互作用中，在電離區(qū)域中形成的帶正電離子被吸引到對(duì)電極402。聚合物顆粒與對(duì)電極附近的帶電的一個(gè)或多個(gè)離子碰撞，并且電荷被傳遞以形成帶電的聚合物顆粒406和中性氣體分子407。一旦帶電，顆粒就沿從電暈電極到對(duì)電極的電場(chǎng)403移動(dòng)。襯底(圖4中未顯示)與對(duì)電極電接觸，并且在帶電的聚合物顆粒接觸襯底時(shí)發(fā)生沉積。在要考慮的第二種重要的相互作用中，在電離氣體區(qū)域404中分離的正電荷和負(fù)電荷可以在電場(chǎng)403的影響下移動(dòng)。在前面的段落中描述的工藝中，負(fù)電荷朝電暈電極401遷移并且被傳導(dǎo)離開，而正離子朝對(duì)電極402遷移，在這里它們?cè)诔练e之前使氣溶膠顆粒帶電。在電離氣體區(qū)域中，由于電子在被電暈電極傳導(dǎo)離開之前與氣體分子碰撞，也可能形成帶負(fù)電的氣體離子409。萬(wàn)一氣溶膠顆粒進(jìn)入存在負(fù)氣體離子的混合電荷區(qū)域，則在與離開中性氣體分子411的負(fù)氣體離子409碰撞之后可能使氣溶膠顆粒帶負(fù)電410。結(jié)果是帶負(fù)電的顆粒被吸引到電暈電極，最終導(dǎo)致電暈電極的污染。這種污染將累積并削弱帶電系統(tǒng)的性能。因而，這是要避免的。本發(fā)明(圖5中顯示)在連續(xù)操作期間維持電極的清潔度。電暈電極501顯示為附連到導(dǎo)電電極安裝板503。高電壓發(fā)生器502附連到電暈電極和安裝板。受控的電離器氣體供應(yīng)器506附連到電暈安裝板中的進(jìn)入端口(端口未顯示)，這允許氣體流入電暈電極周圍的電暈氣體腔505中。電暈氣體腔是一個(gè)或多個(gè)電暈電極周圍的空間，其成形于平坦的不導(dǎo)電涂布室蓋504中?？呻婋x的氣體流入電暈氣體腔中并通過電暈氣體孔口507流出到涂布室中。該設(shè)備執(zhí)行至少兩種有益功能。第一種功能是電暈電極周圍的氣體由電離器氣體供應(yīng)器506確定并可針對(duì)氣體多么容易被電離或其它性質(zhì)來(lái)選擇。氣體也可被選擇成與通過其它途徑進(jìn)入涂布室的其它氣體相同或不同，并且氣體可以針對(duì)諸如電離的容易性、電擊穿強(qiáng)度、介電常數(shù)的性質(zhì)或其它對(duì)工藝有益的性質(zhì)來(lái)選擇。第二種功能是電暈氣體腔505相對(duì)于涂布室維持在正壓下。氣體流率可維持成使得力被施加到可能獲得與預(yù)期電荷相反的電荷并被吸引到電暈電極的排斥顆粒。該功能消除了電暈電極的污染并防止帶電系統(tǒng)的削弱。通過在電暈電極501和對(duì)電極114、606之間建立電勢(shì)而生成離子的備選方案是在電暈電極501和相鄰但電隔離的表面之間建立電勢(shì)。這樣的表面可置于電暈氣體孔口507或電暈氣體腔505的壁的區(qū)域中，并且可以是絲線、環(huán)、帶孔口的板或類似結(jié)構(gòu)。電離器氣體供應(yīng)器506可使氣體流過該高電場(chǎng)區(qū)域，像之前那樣生成離子，該離子接著被迫通過孔口507進(jìn)入涂布室中。對(duì)如上所述從遠(yuǎn)處的電暈電極提供電離氣體分子的備選方案將是使用電暈電極(絲線、針或兩者)和氣體流，使得氣溶膠在緊鄰電暈電極處經(jīng)過而不妨礙氣體層，如圖8所示。氣溶膠803如此前那樣提供并且被迫流入電暈電極801的附近。高電壓發(fā)生器804在電暈電極801和對(duì)電極805之間提供足夠高的電勢(shì)，以造成氣溶膠自身中的氣體的電離。電離氣體區(qū)域808與氣溶膠803接觸并且在混合時(shí)在顆粒上賦予電荷。為了使在電暈電極和帶錯(cuò)誤極性電荷的顆粒之間的接觸最小化(由于在該實(shí)施例中氣溶膠進(jìn)入混合極性電荷的電離氣體區(qū)域中)，在電暈電極上放置擴(kuò)散器802，以迫使氣溶膠遠(yuǎn)離電極自身流動(dòng)。這減小但不消除電極污染問題。帶正確極性電荷的顆粒接著沿電場(chǎng)線朝對(duì)電極移動(dòng)并且在襯底807上形成顆粒層806。在該實(shí)施例中，電場(chǎng)將如此前那樣維持在電暈電極之間，并且獲得正確電荷極性的顆粒將朝對(duì)電極遷移，以沉積在襯底上。襯底顯示在襯底支撐件809上，其類似于圖1中起作用，以將襯底移動(dòng)通過設(shè)備并提供過度噴涂保護(hù)。襯底支撐件可將襯底連續(xù)地移動(dòng)通過圖8中所示設(shè)備，或者可以移動(dòng)至圖中所示位置并停止固定的時(shí)間，在該時(shí)間內(nèi)發(fā)生沉積。顆粒層的流動(dòng)和熔融可如別處所述那樣發(fā)生。沉積涂布室利用用于使所描述的氣溶膠帶電的機(jī)構(gòu)，帶電氣溶膠的流被朝襯底導(dǎo)向。通過將帶電氣溶膠的多個(gè)源適當(dāng)?shù)夭贾靡蕴峁?duì)靜止襯底的均勻覆蓋，可以實(shí)現(xiàn)均勻的沉積。備選方案將是造成帶電氣溶膠的單個(gè)或多個(gè)供應(yīng)源在靜止的襯底上移動(dòng)，以提供襯底的均勻覆蓋。重要的是建立氣溶膠顆粒沿在運(yùn)動(dòng)方向上的第一方向并沿垂直于第一方向的第二方向橫跨襯底的均勻遞送。在靜止的涂布設(shè)備中建立的顆粒的連續(xù)穩(wěn)態(tài)流是實(shí)現(xiàn)氣溶膠顆粒的均勻遞送的便利方法。還希望以因過度噴涂或排放而浪費(fèi)的最少量的抗蝕劑材料實(shí)現(xiàn)期望的涂層厚度。如隨后將討論的，來(lái)自單個(gè)靜止的顆粒源的擴(kuò)展收集區(qū)域?qū)τ趯?shí)現(xiàn)高收集效率是有利的。本發(fā)明是圖6中所示的沉積涂布室。希望沿適合覆蓋襯底120、611的寬度的第二維度在第二維度上均勻地遞送顆粒。為了實(shí)現(xiàn)這一目的，顆粒氣溶膠經(jīng)由氣溶膠入口622通過管遞送到大直徑的分配歧管620內(nèi)。分配歧管充滿氣溶膠613并且在遞送歧管621的入口處形成均勻的壓力。重要的是分配歧管比遞送歧管寬一定量(在遞送歧管的每一側(cè)上大約2-20cm)，以消除分配歧管的端部附近的空氣流的影響。重要的是均勻地遞送來(lái)自狹槽或孔口的顆粒，該狹槽或孔口略寬于期望的涂層寬度(沿第二維度的襯底寬度)，以便將不均勻的邊緣沉積效應(yīng)隔絕在期望的涂層寬度之外。這通過將遞送歧管制造成在每一側(cè)上比期望的涂布寬度寬1-10cm而實(shí)現(xiàn)。有利的是使遞送歧管在大致垂直于第一和第二維度的第三維度上較窄，以便橫跨遞送歧管維持足夠的壓力并且提供橫跨遞送歧管長(zhǎng)度的恒定流率。沿第三維度的寬度可取決于氣溶膠和氣流的速率，但在一實(shí)施例中，0.5-5cm是優(yōu)選的。在優(yōu)選的實(shí)施例中，遞送歧管614中的氣溶膠進(jìn)入涂布室到高密度沉積區(qū)615內(nèi)。當(dāng)來(lái)自受控的電離器氣體供應(yīng)器609的氣體流過電暈氣體連接點(diǎn)608、經(jīng)過電暈電極601并通過電離器氣體孔口607離開時(shí)，形成帶電離子，從而在涂布室內(nèi)部體積618中形成電離氣體區(qū)域623。電暈電極附連到電暈安裝板603，電暈安裝板603附連到涂布室蓋604。電離氣體區(qū)域623形成在涂布室蓋附近且剛好低于涂布室蓋。如上所述，在電離氣體區(qū)域中存在混合極性的離子，這可以使氣溶膠顆粒帶上任一極性的電荷。在電離氣體區(qū)域之外，僅單一極性的離子朝對(duì)電極605遷移。希望使氣溶膠在電離氣體區(qū)域之外的區(qū)域中被遞送，使得所有氣溶膠顆粒僅帶有一種極性的電荷。高密度沉積區(qū)615是這樣的區(qū)域：其中來(lái)自遞送歧管614的氣溶膠與單一極性離子接觸并且變得帶電，并且實(shí)現(xiàn)在進(jìn)入沉積室的襯底611上的高沉積速率。圖6所示氣溶膠從襯底進(jìn)入的相同側(cè)進(jìn)入涂布室，但它也可以從涂布室的中部或離開側(cè)引入，這樣可能適合實(shí)現(xiàn)高速率的均勻沉積。希望在高密度沉積區(qū)615中實(shí)現(xiàn)在時(shí)間上穩(wěn)定的沉積速率，以便橫跨各個(gè)襯底和在不同襯底之間提供均勻的沉積。這部分地通過提供足夠的電離電流以在離開遞送歧管621時(shí)使氣溶膠迅速地帶電并沉積來(lái)實(shí)現(xiàn)。可能影響沉積速率的穩(wěn)定性的另一個(gè)因素是通過分配歧管來(lái)自氣溶膠氣體供應(yīng)器103和稀釋氣體供應(yīng)器106的氣體流率，使得該氣體流可以將顆粒強(qiáng)制移出歧管?？赡苡绊懗练e速率的穩(wěn)定性的另一個(gè)因素是來(lái)自電離器氣體供應(yīng)器115、609以提供用于使氣溶膠帶電的合適離子的流率。為了在橫跨遞送歧管的寬度的沉積區(qū)中實(shí)現(xiàn)高度的沉積均勻度，優(yōu)選的實(shí)施例可具有均連接到高電壓發(fā)生器602的帶有均勻間距的一系列電暈點(diǎn)。電暈點(diǎn)跨越涂布室和遞送歧管的寬度。襯底進(jìn)入在襯底支撐件612上的涂布室并且與對(duì)電極605電接觸，從而使其對(duì)帶電顆粒有吸引力，并且在高密度沉積區(qū)中實(shí)現(xiàn)高的沉積速率。然而，由于不完全帶電、湍流或其它效應(yīng)，一些氣溶膠顆粒可逸出高密度沉積區(qū)，并且將不得不在別處收集，從而導(dǎo)致相當(dāng)多的浪費(fèi)和費(fèi)用。通過沿第一維度進(jìn)一步遠(yuǎn)離遞送歧管入口引入另外的電暈電極601，有機(jī)會(huì)在較低密度沉積區(qū)域616中捕集并使另外的氣溶膠顆粒帶電。此外，除了用于襯底進(jìn)入和離開的小開口之外在所有側(cè)上封閉的涂布室109的結(jié)構(gòu)限制了氣溶膠和電離氣體區(qū)域。該室防止未帶電的氣溶膠逸出，從而增加了其將與帶電離子接觸并沉積的可能性。將離子限制到該室防止了電荷積累在諸如HEPA封罩124的其它表面上。沉積617隨襯底移動(dòng)遠(yuǎn)離遞送歧管入口而繼續(xù)，直到幾乎所有顆粒都被捕集。高電壓發(fā)生器602可在電暈電極601和對(duì)電極606之間提供在時(shí)間上穩(wěn)定的恒定電壓，或者可以提供恒定的平均電壓，其具有疊加于在時(shí)間上穩(wěn)定的分量之上的隨時(shí)間變化的分量。這可能可用于提高沉積的均勻性和穩(wěn)定性。應(yīng)用此前所述的方法，可以實(shí)現(xiàn)足夠高以支持各種應(yīng)用的均勻度，其由(最大厚度-最小厚度)/2除以橫跨襯底的平均厚度來(lái)限定，通常為20%。為了測(cè)試這里所述設(shè)備的收集效率，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果在圖7中顯示。該實(shí)驗(yàn)是將一系列金屬條置于沉積室內(nèi)部的對(duì)電極605上。出于實(shí)驗(yàn)?zāi)康?，襯底支撐件612被移除，并且金屬條是靜止的。金屬條沿第二維度橫跨沉積室的寬度覆蓋沉積室的對(duì)電極，并且沿第一維度在沉積室的長(zhǎng)度上是狹窄的(約24.5mm)。條沿第一維度放置在沉積室的整個(gè)長(zhǎng)度上，并且每個(gè)條在沉積之前稱重并在沉積120秒后再次稱重。將為每個(gè)條收集的質(zhì)量與從遞送歧管入口測(cè)量的條的中心位置的關(guān)系繪成圖。在一個(gè)實(shí)施例中，電暈電極的行601形成于沉積室蓋604中，如在圖6中那樣。圖中描繪了電暈電極的行701的近似位置(從遞送歧管入口測(cè)量)。用電暈電極行收集的每個(gè)條的質(zhì)量以空心正方形符號(hào)702顯示。每個(gè)條的質(zhì)量在高密度沉積區(qū)域615中的遞送歧管入口附近最高。每個(gè)條的質(zhì)量在移入較低密度沉積區(qū)616時(shí)減小，但聚合物仍在該區(qū)中收集。在另一個(gè)實(shí)施例中，在電極安裝板上形成電暈電極的三角形網(wǎng)格，而不是行。圖中描繪了電暈陣列703的近似位置。對(duì)于陣列實(shí)施例所收集的每個(gè)條的質(zhì)量用空心三角形符號(hào)704繪出。結(jié)果類似于電暈行。在兩種情況中，據(jù)目視觀察，沒有顆粒氣溶膠從沉積室的端部出現(xiàn)，這證明擴(kuò)展的電暈電極組導(dǎo)致幾乎100%的收集效率。本公開描述和揭示了不止一個(gè)發(fā)明。在本發(fā)明的權(quán)利要求和相關(guān)文獻(xiàn)(不僅僅提交的，還有在基于本公開的任何專利申請(qǐng)的申訴過程中所形成的)中陳述了本發(fā)明。在現(xiàn)有技術(shù)所允許的限制范圍內(nèi)，本發(fā)明人想要主張接下來(lái)待確定的所有各發(fā)明。這里所述的特征對(duì)于這里公開的各個(gè)發(fā)明不是必需的。因而，本發(fā)明人打算這里所述的特征并不應(yīng)當(dāng)合并到任何這種權(quán)利要求中，而且不在基于本公開的任何專利的任何特定權(quán)利要求中主張。備選地，在某些實(shí)施例中，可以設(shè)想單獨(dú)的特征可以被組合，以便受益于每個(gè)特征的有益效果和優(yōu)點(diǎn)。例如，以下不同特征各自均可能地彼此分離，并且可以單獨(dú)使用，或與任何單個(gè)其它特征或所提及的特征的任何子組合結(jié)合：使用由其生成氣溶膠顆粒的固體聚合物的供應(yīng)源；使用多個(gè)彼此間隔開的電離器，以便在相對(duì)于離子所沉積到的襯底的不同位置處形成該離子；使襯底保持靜止，或移動(dòng)襯底，特別是在多個(gè)電離器沿其分布的方向上；將電離器保持在電離器氣體腔中，該腔可供以在防止任何顆粒進(jìn)入電離器氣體腔的壓力下的電離器氣體；將待電離的氣溶膠顆粒提供到氣體分子被電離的電離區(qū)的外部，從而防止電離器被充電顆粒污染；加熱沉積在襯底上的顆粒以使它們流動(dòng)成薄層；沉積小于期望層厚度的五倍的顆粒；將目標(biāo)襯底、電離區(qū)和氣溶膠顆粒限制在涂布室內(nèi)，在涂布室中還提供電場(chǎng)，以借助于電離器的分布性質(zhì)和襯底經(jīng)過全部受電場(chǎng)影響的多個(gè)分布式電離器的運(yùn)動(dòng)而將基本上所有顆粒導(dǎo)向至襯底；使用紙輥，在其上輸送移動(dòng)的襯底；潤(rùn)濕紙輥，以便與其上的襯底建立導(dǎo)電；使用不同的氣體以用于電離氣體和氣溶膠氣體；使用兩種或更多種不同的聚合物來(lái)生成兩種或更多種不同的氣溶膠顆粒，其可在沉積到襯底上之前混雜，或者可以在相鄰層中沉積在襯底上，該襯底可被加熱并依次或同時(shí)流動(dòng)，從而在層之間建立混雜區(qū)或者在層之間維持分離；在不同的電離器附近建立不同水平的電場(chǎng)；使電離器沿襯底的運(yùn)動(dòng)方向相等地或不等地間隔開；以及相對(duì)于移動(dòng)襯底的運(yùn)動(dòng)方向在涂布室內(nèi)的任何位置處提供氣溶膠顆粒。某些硬件組件或步驟組在這里被稱為發(fā)明。然而，這并非承認(rèn)任何這種組件或組必然是可申請(qǐng)專利的獨(dú)特發(fā)明，尤其是當(dāng)通過關(guān)于發(fā)明數(shù)量的法律和條例所設(shè)想時(shí)，其將在一個(gè)專利申請(qǐng)或發(fā)明整體中進(jìn)行審查。它用簡(jiǎn)短的話說(shuō)是本發(fā)明的實(shí)施例。隨之提交了摘要。要強(qiáng)調(diào)的是，提供該摘要遵循了需要摘要的規(guī)則，其將允許檢查員和其它調(diào)查員快速查明本技術(shù)公開的主題。提交意味著理解，其將不會(huì)用于解釋或限制專利局的規(guī)則所允諾的權(quán)利要求的范圍或涵義。前面的討論應(yīng)被理解為是說(shuō)明性的，而不應(yīng)被認(rèn)為在任何意義上是限制性的。雖然已參照其優(yōu)選的實(shí)施例具體顯示并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將懂得，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可在形式和細(xì)節(jié)方面做出各種變化。所有方法或步驟的相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)、材料、作用和等效物加上功能元件在以下權(quán)利要求中都意圖包括用于結(jié)合其它主張的元件一起執(zhí)行這些功能的特別主張的任何結(jié)構(gòu)、材料或作用。本發(fā)明的方面本發(fā)明的以下方面打算在此描述，并且該部分用以確保提到了它們。它們按方面進(jìn)行型式化，并且雖然它們看起來(lái)似乎類似于權(quán)利要求，但它們不是權(quán)利要求。然而，在未來(lái)的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)，本申請(qǐng)人保留在本文和任何相關(guān)申請(qǐng)中主張任何和所有這些方面的權(quán)利。1.一種用于在襯底上沉積在室溫下為固體的聚合物層的設(shè)備，該層具有指定厚度，所述設(shè)備包括：a.固體聚合物供應(yīng)器；b.第一加熱器，其聯(lián)接到聚合物供應(yīng)器并且被構(gòu)造成使固體聚合物熔融以變?yōu)橐后w；c.氣溶膠顆粒的氣溶膠供應(yīng)器，氣溶膠顆?？捎梢后w聚合物形成，大部分顆粒在尺寸上小于所述指定厚度的五倍；d.電離氣體分子的供應(yīng)器，其在下文中稱為電離器；e.氣溶膠供應(yīng)器和電離器被布置成使得電離的氣體分子和氣溶膠顆粒可以靠近，使得顆粒的至少一部分可以變得帶電；f.襯底支撐件，襯底可被支撐在其上；g.電場(chǎng)發(fā)生器，在該處可以生成電場(chǎng)，該電場(chǎng)可將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底支撐件上的襯底；以及h.第二加熱器，由襯底支撐件支撐的襯底可在該處被加熱至軟化與襯底接觸的顆粒的程度、使顆粒熔融并形成具有指定厚度的聚合物層的程度。2.根據(jù)方面1所述的設(shè)備，還包括至少一個(gè)另外的電離器，其與第一電離器沿第一維度間隔開，使得所有電離器構(gòu)成多個(gè)電離器。3.根據(jù)方面1或2所述的設(shè)備，還包括涂布室，其聯(lián)接到氣溶膠供應(yīng)器和電離器，使得電離的氣體分子和氣溶膠顆?？梢跃S持靠近，使得基本上所有顆?？梢宰兊脦щ?。4.根據(jù)方面1-3中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，襯底支撐件包括可沿第一維度移動(dòng)的可移動(dòng)支撐件，電場(chǎng)在量值上足夠大以將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底，并且相對(duì)于可移動(dòng)支撐件的運(yùn)動(dòng)沿第一維度定位在電離器中的至少兩個(gè)的下游。5.一種用于在襯底上沉積顆粒的設(shè)備，所述設(shè)備包括：a.氣溶膠顆粒的氣溶膠供應(yīng)器；b.沿第一維度排列的多個(gè)電離氣體分子的供應(yīng)器，其在下文中稱為多個(gè)電離器；c.涂布室，其聯(lián)接到氣溶膠供應(yīng)器和電離器，使得電離的氣體分子和氣溶膠顆?？梢跃S持靠近，使得基本上所有顆?？梢宰兊脦щ姡籨.可移動(dòng)襯底支撐件，襯底可置于其上并沿第一維度移動(dòng)；以及e.電場(chǎng)發(fā)生器，在該處可生成電場(chǎng)，該電場(chǎng)可將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底支撐件上的襯底，電場(chǎng)在量值上足夠大以將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底，并且電場(chǎng)相對(duì)于可移動(dòng)支撐件的運(yùn)動(dòng)沿第一維度定位在電離器中的至少兩個(gè)的下游。6.根據(jù)方面5所述的設(shè)備，還包括：a.固體聚合物供應(yīng)器，其被構(gòu)造成將作為固體的聚合物材料保持在室溫下；以及b.第一加熱器，其聯(lián)接到聚合物供應(yīng)器并且被構(gòu)造成使固體聚合物熔融以變?yōu)橐后w。7.根據(jù)方面6所述的設(shè)備，進(jìn)一步地，其中顆粒在襯底上形成為具有小于或等于指定厚度的厚度的聚合物層；所述設(shè)備還包括：a.氣溶膠顆粒的供應(yīng)器，其可由液體聚合物形成，大部分顆粒在尺寸上小于所述指定厚度的五倍；b.第二加熱器，由襯底支撐件支撐的襯底可在該處被加熱至使與襯底接觸的任何顆粒軟化的程度、使顆粒熔融并形成具有指定厚度的聚合物層的程度。8.根據(jù)方面4和7中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，還包括冷卻臺(tái)，任何熔融的聚合物都在該處凝固。僅僅方面。9.根據(jù)方面8所述的設(shè)備，冷卻臺(tái)在小于室溫約10℃和大于室溫約10℃之間下操作。10.根據(jù)方面1-4和7-9中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，指定層厚度在大約0.1微米和大約10微米之間。11.根據(jù)方面1-4和7-9中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，指定層厚度在大約1微米和大約4微米之間。12.根據(jù)前述方面中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，襯底包括平表面。13.根據(jù)前述方面中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，襯底包括硅晶片。14.根據(jù)方面1-3和7-13中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，軟化顆粒層具有帶有小于約平均值+/-20%的(最大值-最小值)/2厚度偏差的層。15.根據(jù)前述方面中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，至少一個(gè)電離器包括電暈點(diǎn)充電器。16.根據(jù)方面15所述的設(shè)備，還包括鄰近點(diǎn)充電器的擴(kuò)散器。17.根據(jù)方面1-15中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，至少一個(gè)電離器包括擴(kuò)展的電暈充電器。18.根據(jù)方面17所述的設(shè)備，擴(kuò)展的電暈充電器包括絲線。19.根據(jù)方面17所述的設(shè)備，擴(kuò)展的電暈充電器包括沿第二維度間隔開的多個(gè)電暈點(diǎn)，第二維度大致垂直于第一維度。20.根據(jù)方面2-14和17-19中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，多個(gè)電離器包括沿第一維度間隔開的離散的裝置。21.根據(jù)方面2-14和17-19中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，多個(gè)電離裝置包括沿第一維度延伸的連續(xù)裝置。22.根據(jù)方面4-21中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，可移動(dòng)支撐件包括紙張。23.根據(jù)方面4-22中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，可移動(dòng)支撐件布置成沿第一維度輸送襯底，使得整個(gè)襯底鄰近每個(gè)電離器傳送。24.根據(jù)方面23所述的設(shè)備，電離器沿第一維度布置有第一和至少一個(gè)另外的電離器，氣溶膠供應(yīng)器被布置成將氣溶膠顆粒提供到第一電離器附近的襯底。25.根據(jù)方面4-24中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，涂布室容納可移動(dòng)襯底支撐件的至少一部分、電離器和聯(lián)接到氣溶膠供應(yīng)器的端口，使得氣溶膠顆?？商峁┰谕坎际覂?nèi)。26.根據(jù)方面2、5-14和17-25中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，電離器被布置成使得在相應(yīng)的電離器和襯底之間的電場(chǎng)從一個(gè)電離器到另一電離器變化。27.根據(jù)方面20所述的設(shè)備，電離器沿第一維度不均勻地分布，使得越靠近氣溶膠提供至襯底的位置，相鄰電離器之間的間距越小。28.根據(jù)前述方面中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，每個(gè)電離器具有與其相關(guān)聯(lián)的電離區(qū)，進(jìn)一步地，其中氣溶膠供應(yīng)器相對(duì)于相應(yīng)的電離器布置，使得顆粒可以靠近電離區(qū)之外的電離氣體分子。29.根據(jù)前述方面中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，氣溶膠供應(yīng)器被構(gòu)造成供應(yīng)氣溶膠氣體，電離器被構(gòu)造成供應(yīng)不同于氣溶膠氣體的電離器氣體。30.根據(jù)方面29所述的設(shè)備，電離器氣體包括惰性氣體。31.根據(jù)方面29所述的設(shè)備，惰性氣體包括氬氣。32.根據(jù)方面1-4和7-31中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，還包括第二固體聚合物供應(yīng)器、聯(lián)接到第二聚合物供應(yīng)器的加熱器、以及第二聚合物的氣溶膠顆粒的氣溶膠供應(yīng)器，它們?nèi)坎贾贸墒沟玫诙酆衔镱w粒的氣溶膠也可被充電并導(dǎo)向至襯底、軟化并熔融以形成具有指定厚度的聚合物層。33.根據(jù)方面32所述的設(shè)備，第二氣溶膠供應(yīng)器布置成將第二氣溶膠與第一氣溶膠混合，使得聚合物層在單個(gè)層內(nèi)包括第一聚合物的熔融顆粒和第二聚合物的熔融顆粒。34.根據(jù)方面32所述的設(shè)備，第二氣溶膠供應(yīng)器布置成在第一氣溶膠的顆粒被導(dǎo)向至襯底之后將第二氣溶膠的顆粒在某時(shí)和某位置導(dǎo)向至襯底，使得第二聚合物的層覆蓋第一聚合物的層。35.根據(jù)方面32-34中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，第一聚合物和第二聚合物在組成上彼此不同。36.根據(jù)方面32-34中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，第一聚合物和第二聚合物具有彼此相同的組成。37.一種用于在氣溶膠顆粒的存在下電離氣體分子的設(shè)備，所述設(shè)備包括：a.電暈電極；b.涂布室，其包括：i.蓋，其包括：A.室面和觀察面，電暈電極從觀察面安裝；B.電暈電極延伸進(jìn)入的電暈氣體腔，其聯(lián)接到電暈氣體孔口，電暈氣體孔口從電暈氣體腔行進(jìn)到室面；ii.其中可提供氣溶膠顆粒的腔，電暈電極不延伸到其中；c.與電暈氣體腔聯(lián)接的管道，電暈氣體可通過該管道以足夠防止任何顆粒通過電暈氣體孔口進(jìn)入電暈氣體腔的速度供應(yīng)；以及d.到電極的電偶，電壓源可聯(lián)接到其，以便在電極處建立電壓以在電暈氣體腔內(nèi)部形成離子，并且與電暈氣體協(xié)作以將離子通過電暈氣體孔口排出。38.一種用于在襯底上沉積在室溫下為固體的聚合物層的方法，該層具有指定厚度，所述方法包括：a.提供一定量的固體聚合物；b.加熱固體聚合物，使得其變成液體；c.由液體聚合物形成聚合物顆粒的氣溶膠，大部分顆粒在尺寸上小于所述指定厚度的五倍；d.使氣體分子電離，以生成電離的氣體分子；e.使電離的氣體分子足夠靠近氣溶膠顆粒，使得顆粒中的至少一些變得帶電；f.在支撐件上提供襯底；g.生成電場(chǎng)并且將電場(chǎng)布置和構(gòu)造成將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底支撐件上的襯底；以及h.將襯底加熱至軟化與襯底接觸的顆粒的程度、使顆粒熔融并形成具有指定厚度的聚合物層的程度。39.根據(jù)方面38所述的方法，使氣體分子電離的步驟包括利用在沿第一維度彼此間隔開的多個(gè)位置處的多個(gè)電離器使氣體分子電離。40.根據(jù)方面38和39中的任一項(xiàng)所述的方法，使電離的分子靠近氣溶膠顆粒的步驟在涂布室中進(jìn)行，使得幾乎所有顆粒變得帶電。41.根據(jù)方面38-40中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括在使用電場(chǎng)將顆粒導(dǎo)向至襯底的同時(shí)沿第一維度移動(dòng)襯底的步驟，該電場(chǎng)在量值上足夠大以將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底，并且相對(duì)于可移動(dòng)支撐件的運(yùn)動(dòng)沿第一維度定位在發(fā)生顆粒變得帶電的步驟的至少兩個(gè)位置的下游。42.一種用于在襯底上沉積顆粒的方法，所述方法包括：a.在氣溶膠氣體中供應(yīng)氣溶膠顆粒；b.使用沿第一維度排列的多個(gè)靜電電離器將電離器氣體的氣體分子電離以生成電離的氣體分子；c.在涂布室中，將電離的分子導(dǎo)向至靠近氣溶膠顆粒，使得顆粒中的至少一些變得帶電；d.在可移動(dòng)支撐件上提供襯底并且沿第一維度移動(dòng)襯底；以及e.生成將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底的電場(chǎng)，該電場(chǎng)在量值上足夠大以將帶電顆粒導(dǎo)向至襯底，并且相對(duì)于可移動(dòng)支撐件的運(yùn)動(dòng)沿第一維度定位在電離器中的至少兩個(gè)的下游，由此在襯底上沉積顆粒。43.根據(jù)方面42所述的方法，供應(yīng)氣溶膠顆粒的步驟包括：a.提供一定量的固體聚合物；b.加熱固體聚合物，使得其變成液體；以及c.由液體聚合物形成聚合物顆粒的氣溶膠。44.根據(jù)方面43所述的方法，進(jìn)一步地，其中顆粒在襯底上形成為具有小于或等于指定厚度的厚度的聚合物層；a.形成聚合物顆粒的氣溶膠的步驟包括形成顆粒的氣溶膠，大部分顆粒在尺寸上小于指定厚度的五倍；并且b.還包括將與襯底接觸的任何顆粒加熱至使該顆粒熔融并形成具有指定厚度的聚合物層的程度的步驟。45.根據(jù)方面38-41和44中的任一項(xiàng)所述的方法，指定層厚度在大約0.1微米和大約10微米之間。46.根據(jù)方面38-41和44中的任一項(xiàng)所述的方法，指定層厚度在大約1微米和大約4微米之間。47.根據(jù)方面38-46中的任一項(xiàng)所述的方法，襯底包括平表面。48.根據(jù)方面38-47中的任一項(xiàng)所述的方法，襯底包括硅晶片。49.根據(jù)方面38-41和44-48中的任一項(xiàng)所述的方法，軟化顆粒層具有帶有小于約平均值+/-20%的(最大值-最小值)/2厚度偏差的層。50.根據(jù)方面38-49中的任一項(xiàng)所述的方法，至少一個(gè)電離器包括電暈點(diǎn)充電器。51.根據(jù)方面38-49中的任一項(xiàng)所述的方法，至少一個(gè)電離器包括擴(kuò)展的電暈充電器。52.根據(jù)方面51所述的方法，擴(kuò)展的電暈充電器包括絲線。53.根據(jù)方面51所述的方法，擴(kuò)展的電暈充電器包括沿第二維度間隔開的多個(gè)電暈點(diǎn)，第二維度大致垂直于第一維度。54.根據(jù)方面39-53中的任一項(xiàng)所述的方法，多個(gè)電離器包括沿第一維度間隔開的離散的裝置。55.根據(jù)方面41-54中的任一項(xiàng)所述的方法，沿第一維度移動(dòng)襯底的步驟包括移動(dòng)襯底使得整個(gè)襯底鄰近每個(gè)電離器傳送。56.根據(jù)方面41-55中的任一項(xiàng)所述的方法，涂布室容納可移動(dòng)襯底支撐件的至少一部分、電離器和聯(lián)接到氣溶膠供應(yīng)器的端口，使得提供氣溶膠顆粒的步驟在涂布室內(nèi)進(jìn)行。57.根據(jù)方面39-56中的任一項(xiàng)所述的方法，提供電場(chǎng)的步驟包括在相應(yīng)的電離器和襯底之間提供電場(chǎng)，該電場(chǎng)從一個(gè)電離器到另一個(gè)電離器變化。58.根據(jù)方面39-57中的任一項(xiàng)所述的方法，電離器沿第一維度不均勻地分布，使得越靠近氣溶膠提供至襯底的位置，相鄰電離器之間的間距越小。59.根據(jù)方面39-58中的任一項(xiàng)所述的方法，電離發(fā)生在電離器處，每個(gè)電離器具有與其相關(guān)聯(lián)的電離區(qū)，進(jìn)一步地，其中使顆?？拷婋x氣體分子的步驟在電離區(qū)之外進(jìn)行。60.根據(jù)方面38-59中的任一項(xiàng)所述的方法，使氣體分子電離的步驟包括使與氣溶膠氣體不同的氣體的分子電離。61.根據(jù)方面60所述的方法，電離器氣體包括惰性氣體。62.根據(jù)方面60所述的方法，電離器氣體包括氬氣。63.根據(jù)方面38-41和44-62中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括提供第二聚合物的第二聚合物帶電顆粒的氣溶膠，并且將它們導(dǎo)向至襯底，使第二聚合物的顆粒軟化和熔融以形成具有指定厚度的聚合物層。64.根據(jù)方面63所述的方法，進(jìn)行提供第二氣溶膠的步驟以將第二氣溶膠與第一氣溶膠混合，使得聚合物層在單個(gè)層內(nèi)包括第一聚合物的熔融顆粒和第二聚合物的熔融顆粒。65.根據(jù)方面63所述的方法，進(jìn)行提供第二氣溶膠的步驟以在第一聚合物的顆粒被導(dǎo)向至襯底之后將第二氣溶膠在某時(shí)和某位置提供至襯底，使得第二聚合物的層覆蓋第一聚合物的層。66.根據(jù)方面63-65中的任一項(xiàng)所述的方法，第一聚合物和第二聚合物在組成上彼此不同。67.根據(jù)方面63-65中的任一項(xiàng)所述的方法，第一聚合物和第二聚合物具有彼此相同的組成。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3