專利名稱：制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法。
背景技術(shù)：
相變存儲器(PCM)是一種新興的半導體存儲器，與目前已有的多種半導體存儲技術(shù)相比，包括常規(guī)的易失性技術(shù)，如靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存儲器(DRAM)等，和非易失性技術(shù)，如介電隨機存儲器(FeRAM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPR0M)、閃速存儲器(FLASH)等，具有非易失性、循環(huán)壽命長(>1013次)、元件尺寸小、功耗低、可多級存儲、高速讀取、抗輻照、耐高低溫(_55 125° C)、抗振動、抗電子干擾和制造工藝簡單(能和現(xiàn)有的集成電路工藝相匹配)等優(yōu)點。相變存儲器(PCM)以硫系化合物為存儲介質(zhì)，利用電能 (熱量)使材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)化實現(xiàn)信息的寫入和擦除，信息的讀出靠測量電阻的變化實現(xiàn)。相變存儲器(PCM)是最具競爭力的下一代非易失性半導體存儲器，當前已實現(xiàn)小批量產(chǎn)業(yè)化，其市場前景被廣為看好。隨著工藝節(jié)點的推進，PCM器件結(jié)構(gòu)由平板型轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂懈凸牡募{米限定孔型，器件尺寸的不斷縮小以及器件結(jié)構(gòu)深寬比的不斷加大使得相變材料的填充面臨巨大的困難。目前，相變材料的制備采用的是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)技術(shù)，但是當溝槽尺寸進一步縮小且深寬比進一步增大時，由于PVD方法在溝槽開口處沉積相變材料較快，而溝槽底部較慢，會導致溝槽底部的階梯覆蓋率不佳而造成器件失效。因此，開發(fā)新型的相變材料制備技術(shù)勢在必行。原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。制備過程中將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器，前軀體達到沉積基底表面后，會在其表面化學吸附并發(fā)生表面反應(yīng)形成沉積膜。由于這種反應(yīng)具有自我限制(self-limited)特性，使得每一次進氣循環(huán)的過程僅形成厚度為一層原子的薄膜，此項特性讓控制鍍膜厚度的精確性可達原子級(約十分之一納米)的尺度。相對于傳統(tǒng)薄膜制程，ALD技術(shù)同時具有大面積、高階梯覆蓋率、高厚度均勻性、低溫制程及原子級膜厚控制等優(yōu)點，能夠滿足微納尺度器件制備的要求。2010年，Samsung報道了采用ALD技術(shù)填充相變材料所制成的相變存儲單元器件，其相變材料(GeSbTe合金)填充在一個17nmX7. 5nmX30nm的溝槽中(sub_20nm工藝)，該器件SET時間僅為30ns，疲勞性能達到了 1015，數(shù)據(jù)保持力為85° C保存4.5年，其性能可以滿足DRAM的要求。綜上所述，采用化學方法制備相變材料是高密度PCRAM發(fā)展的必然方向，包括Samsung、IBM等在內(nèi)的大公司都在部署ALD、CVD制備相變材料方面的研發(fā)工作。目前研究最為普遍的相變材料是Ge2Sb2Te5(GST),但其結(jié)晶溫度較低，器件功耗較大，且數(shù)據(jù)保持力不強，開發(fā)新型的相變材料一直以來都是材料研究工作者的重要任務(wù)。鈦-銻-碲(TiSbTe)是一種新型的相變材料，具有相變速度快，數(shù)據(jù)保持力好、結(jié)晶溫度高的特點，目前的制備是采用濺射方法，國內(nèi)外還沒有關(guān)于該種材料化學制備方法的報道以及相關(guān)的專利。本發(fā)明提出了一種鈦-銻-碲相變材料的ALD化學工藝。該工藝的優(yōu)點是，制備出的薄膜厚度精確可控，成份均一，致密性好，而且有很強的填孔能力，可實現(xiàn)相變 材料的高密度填充。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，提出了一種鈦-銻-碲相變材料的原子層沉積工藝以實現(xiàn)薄膜厚度精確可控，成份均一，致密性好，且具有很強的填孔能力，使相變材料可進行高密度填充。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，包括以下步驟I)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，重復步驟1)、2)及3)中的一個或一個以上步驟，直至獲得所需厚度的鈦-銻-碲相變材料薄膜。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，通過控制步驟1)、2)及3)各自的重復次數(shù)以控制鈦-銻-碲相變材料薄膜的成分。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，所述鈦-銻-碲相變材料的沉積速率通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，所述鈦-銻-碲相變材料的成份通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，沉積溫度范圍為3(T350°C。作為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法的一種優(yōu)選方案，沉積壓力范圍為O. OOf IOTorr。本發(fā)明還提供一種相變存儲單元的制備方法，包括以下步驟I)提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面制備下電極；2)于所述下電極表面沉積氧化硅層；3)利用曝光-刻蝕工藝于所述氧化硅層上刻出直至所述下電極的沉積孔；4)依據(jù)權(quán)利要求Γ7任意一項所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法于所述沉積孔內(nèi)填充鈦-銻-碲相變材料；5)去除所述氧化硅層表面的鈦-銻-碲相變材料；
6)制作上電極結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明的相變存儲單元的制備方法的一種優(yōu)選方案，所述曝光-刻蝕工藝采用的曝光方法為電子束曝光，刻蝕方法為反應(yīng)離子刻蝕。作為本發(fā)明的相變存儲單元的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)中，去除相變材料的工藝采用刻蝕方法或者化學機械拋光方法。作為本發(fā)明的相變存儲單元的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟6)包括制作覆蓋所述鈦-銻-碲相變材料的氮化鈦層以及于所述氮化鈦層表面制作上電極的步驟。如上所述，本發(fā)明提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，包括1)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗 殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。采用本發(fā)明方法制備的TiSbTe相變材料具有厚度精確可控，薄膜致密性好，填孔能力強的特點。采用這種方法制備的相變薄膜應(yīng)用到存儲器中，可實現(xiàn)高密度存儲，同時可以獲得低功耗的器件。


圖廣圖3顯示為本發(fā)明的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法一具體實施過程中的步驟I) 步驟3)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖Γ圖9顯示為本發(fā)明的相變存儲單元的制備方法中的步驟I廣步驟6)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。元件標號說明201基底202Sb2Te3 薄膜203TiTe2 薄膜204Sb 薄膜101半導體襯底102下電極103氧化硅層104沉積孔105鈦-銻-碲相變材料106氮化鈦層107上電極
具體實施例方式以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式
加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。請參閱圖f圖9。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。實施例I如圖f圖3所示，本實施例提供一種采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，包括以下步驟I)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；
2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。本實施例可重復步驟1)、2)及3)中的一個或一個以上步驟，直至獲得所需厚度的鈦-銻-碲相變材料薄膜。進一步地，可通過控制步驟1)、2)及3)各自的重復次數(shù)以控制鈦-銻-碲相變材料薄膜的成分。 本實施例所述鈦-銻-碲相變材料的沉積速率通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。本實施例所述鈦-銻-碲相變材料的成份通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。在本實施例中，沉積溫度范圍為3(T350°C，沉積壓力范圍為O. OOf IOTorr。如圖I所示，在一個具體實施過程中，將一基底放置在沉積腔中之后，所述基底被加熱至沉積所需的溫度(90° C)。然后進行步驟1)，在基底上引入Sb前驅(qū)體SbCl3，脈沖長度為15s，然后清洗未被吸收的的SbCl3，時間為15s，接著引入Te前驅(qū)體(R3Si)2Te，脈沖長度為35s，最后清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物，時間為35s，上述兩種前驅(qū)體反應(yīng)后，在基底上形成Sb2Te3薄膜202 ；如圖2所示，接著進行步驟2)，在上述基底上引入Ti前驅(qū)體TiCl4，脈沖長度為25s，然后清洗未被吸收的TiCl4,時間為25s，接著引入Te前驅(qū)體(R3Si)2Te，脈沖長度為35s，最后清洗殘余的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物，時間為35s，上述兩種前驅(qū)體反應(yīng)后，在基底上形成TiTe2薄膜203 ；如圖3所示，最后進行步驟3)，在上述基底上引入Sb前驅(qū)體SbCl3，脈沖長度為15s，然后清洗未被吸收的的SbCl3,時間為15s，接著引入Sb前驅(qū)體(R3Si)3Sb,脈沖長度為35s，最后清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物，時間為35s，上述兩種前驅(qū)體反應(yīng)后，在基底上形成Sb薄膜204。重復步驟I)至3)，最終獲得TiSb3Te5薄膜。步驟I) 步驟3)中，因為襯底被加熱到用于沉積的合適溫度，所以提供的前驅(qū)體被吸收在襯底上，并相互發(fā)生化學反應(yīng)以獲得需要沉積的材料組份，剩余的前驅(qū)體以及反應(yīng)副產(chǎn)物被排放到腔體外部。
步驟I) 步驟3)中，通過流入惰性氣體將前驅(qū)體帶入沉積腔，通過惰性氣體帶走反應(yīng)剩余物。惰性氣體供應(yīng)速率維持在(TlOOOsccm (Islm),沉積腔中的沉積壓力維持在
O.OOf lOTorr，在本實施例中，所述惰性氣體為Ar。需要說明的是，在基底上沉積不僅包括直接在基底本身上沉積，還包括在三種反應(yīng)物中已經(jīng)沉積在基底上的一種之上沉積另一種。另外，可以重復沉積方法以制造多層膜?？梢栽?0 350° C實施膜沉積。依據(jù)本發(fā)明方法制備的鈦-銻-碲層可以得到極好的階梯覆蓋。因而，可以形成其中鈦-銻-碲層填充在具有IOOnm或更小直徑的通孔中的相變存儲器。這樣，器件的RESET電流減小。并且由于晶體管必須接受的最大電流減小，因此減小了晶體管的尺寸并增加了相變存儲器的集成度。
實施例2如圖Γ圖9所示，本實施例提供一種相變存儲單元的制備方法，所述相變存儲單元組成的相變存儲器可為各種采用相變原理而進行數(shù)據(jù)存儲的功能器件，如為采用電脈沖編程的硫系化合物隨機存儲器，或為采用激光脈沖編程的存儲光盤，或為采用電子束編程的存儲器，或為采用其它能量粒子編程的存儲器，所述相變存儲單元的制備方法包括以下步驟如圖4所示，首先進行步驟1)，提供一半導體襯底101，于所述半導體襯底101表面制備下電極102。具體地，先對所述半導體襯底101進行清洗，然后在其表面沉積下電極102，可以去除所述半導體襯底101表面的有機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，有利于提高器件的穩(wěn)定性。所述下電極為鶴電極，厚度為5(T200nm,在一具體的實施過程中為lOOnm。在本實施例中，所述半導體襯底201為(100)取向的硅襯底。如圖5所示，然后進行步驟2)，于所述下電極102表面沉積氧化硅層103。在本實施例中，所述氧化硅的厚度為5(T200nm，具體為lOOnm。如圖6所示，接著進行步驟3 )，利用曝光-刻蝕工藝于所述氧化硅層103上刻出直至所述下電極102的沉積孔104。在本實施例中，所述曝光-刻蝕工藝米用的曝光方法為電子束曝光，刻蝕方法為反應(yīng)離子刻蝕。所述沉積孔104可以是孔徑為IOOnm以下的小孔，當然，也可以是大于或等于IOOnm的通孔。在本實施例中，所述沉積孔的孔徑為5(T300nm，具體地，所述沉積孔的孔徑為260nm。還有另一種實施方案為,所述沉積孔的孔徑為50nnTl00nm,具體為90nm。如圖7所示，然后進行步驟4)，依據(jù)實施例I的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法所述的任意一項方案，于所述沉積孔104內(nèi)填充鈦-銻-碲相變材料105。根據(jù)本發(fā)明的TiSbTe層可以得到極好的階梯覆蓋。因而，可以形成其中TiSbTe層填充在具有IOOnm或更小直徑的通孔中的相變存儲器。這樣，器件的重置RESET電流減小。并且由于晶體管必須接受的最大電流減小，因此減小了晶體管的尺寸并增加了相變存儲器的集成度。需要說明的是，對于50nnTl00nm的沉積孔來說，本發(fā)明具有很好的填充效果。如圖8所示，接著進行步驟5)，去除所述氧化硅層103表面的鈦-銻-碲相變材料105。在本實施例中，采用刻蝕方法或者化學機械拋光方法去除所述氧化硅層103表面的鈦-銻-碲相變材料105。如圖9所示，最后進行步驟6)，制作上電極結(jié)構(gòu)。
在本實施例中，本步驟包括制作覆蓋所述鈦-銻-碲相變材料105的氮化鈦層106以及于所述氮化鈦層106表面制作上電極107的步驟。所述上電極為鋁電極。綜上所述，本發(fā)明提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，包括1)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。采用本發(fā)明方法制備的鈦-銻-碲相變材料具有厚度精確可控，薄膜致密性好，填孔能力強的特點。采用這種方法制備的相變薄膜應(yīng)用到存儲器中，可實現(xiàn)高密度存儲，同時可以獲得低功耗的器件。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完 成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于，包括以下步驟 1)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物； 2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物； 3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于重復步驟1)、2)及3)中的一個或一個以上步驟，直至獲得所需厚度的鈦-銻-碲相變材料薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于通過控制步驟1)、2)及3)各自的重復次數(shù)以控制鈦-銻-碲相變材料薄膜的成分。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于所述鈦-銻-碲相變材料的沉積速率通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于所述鈦-銻-碲相變材料的成份通過沉積壓力、沉積溫度、前驅(qū)體脈沖長度以及清洗時間控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于沉積溫度范圍為3(T350°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法，其特征在于沉積壓力范圍為O. OOf lOTorr。
8.—種相變存儲單元的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 O提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面制備下電極； 2)于所述下電極表面沉積氧化硅層； 3)利用曝光-刻蝕工藝于所述氧化硅層上刻出直至所述下電極的沉積孔； 4)依據(jù)權(quán)利要求f7任意一項所述的采用原子層沉積法制備鈦-銻-碲相變材料的方法于所述沉積孔內(nèi)填充鈦-銻-碲相變材料； 5)去除所述氧化硅層表面的鈦-銻-碲相變材料； 6)制作上電極結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲單元的制備方法，其特征在于所述曝光-刻蝕工藝采用的曝光方法為電子束曝光，刻蝕方法為反應(yīng)離子刻蝕。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲單元的制備方法，其特征在于步驟5)中，去除相變材料的工藝采用刻蝕方法或者化學機械拋光方法。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲單元的制備方法，其特征在于步驟6)包括制作覆蓋所述鈦-銻-碲相變材料的氮化鈦層以及于所述氮化鈦層表面制作上電極的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，包括1)在基底上引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；2)向上述基底引入Ti的前驅(qū)體TiCl4脈沖，清洗殘余的TiCl4，然后引入Te的前驅(qū)體(R3Si)2Te脈沖，清洗殘余(R3Si)2Te和反應(yīng)副產(chǎn)物；3)向上述基底引入Sb的前驅(qū)體SbCl3脈沖，清洗殘余的SbCl3，然后引入Sb的前驅(qū)體(R3Si)3Sb脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反應(yīng)副產(chǎn)物。采用本發(fā)明方法制備的鈦-銻-碲相變材料具有厚度精確可控，薄膜致密性好，填孔能力強的特點。采用這種方法制備的相變薄膜應(yīng)用到存儲器中，可實現(xiàn)高密度存儲，同時可以獲得低功耗的器件。
文檔編號C23C16/44GK102978588SQ201210537558
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋三年, 宋志棠, 吳良才, 饒峰, 劉波, 朱敏 申請人:中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所