專利名稱：掩模組件及使用其制造的有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及掩模組件。更具體地，本發(fā)明涉及用于薄膜沉積的掩模組件和使用其制造的有機發(fā)光二極管顯示器。
背景技術：
有機發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性，并且顯示了高品質特性，例如低功耗、高亮度、高響應速度等。有機發(fā)光二極管顯示器具有有機發(fā)光層設置在像素電極和公共電極之間且每個子像素包括像素電極和有機發(fā)光層的結構。
有機發(fā)光層由使用掩模組件的沉積方法形成。掩模組件包括具有與有機發(fā)光層對應的多個沉積開口的帶形單元掩模和用于支撐單元掩模的框架。通過沿長度方向施加于單元掩模的拉力將單元掩模固定到框架上，由此防止了單元掩模因自重而產(chǎn)生的下垂。在制造大型有機發(fā)光二極管顯示器時，這種分裂式掩模組件是有利的。
在背景技術部分所公開的上述信息，僅僅是為了加強對背景技術的理解，因此，其可能包括沒有成為現(xiàn)有技術的信息，但是這些信息已經(jīng)被本國的本領域普通技術人員所了解。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了可以提高有機發(fā)光層的沉積質量的掩模組件和使用其制造的有機發(fā)光二極管顯示器。
本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種掩模組件，包括:框架，包括開口 ；以及多個單元掩模，包括多個沉積開口，所述單元掩模的兩個縱向端部固定到所述框架。所述多個單元掩模中的至少兩個相鄰的單元掩模具有形成在彼此面對的兩側上的沉積凹部；以及所述沉積凹部沿所述單元掩模的寬度方向的寬度不小于所述沉積開口沿所述單元掩模的所述寬度方向的寬度。
每個所述沉積開口可包括與所述單元掩模的所述寬度方向平行的長邊和與所述單元掩模的長度方向平行的短邊。沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口之間的間距可小于沿所述單元掩模的所述長度方向的所述沉積開口之間的間距。
所述沉積凹部可設置為沿所述單元掩模的所述寬度方向與所述多個沉積開口平行。在至少兩個單元掩模中形成的兩個沉積凹部可具有相同的形狀和相同的尺寸且可被設置為沿所述單元掩模的所述寬度方向彼此平行。
所述沉積開口和所述沉積凹部可被傾斜的側壁圍繞，并且沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積凹部的一個側壁的形狀可與沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口的所述側壁的形狀相同。
每個所述單兀掩?？砂嫦虺练e表面的一個表面和所述一個表面的相對表面，在所述一個表面上觀察的所述沉積開口和沉積凹部的尺寸大于在所述相對表面上觀察的所述沉積開口和沉積凹部的尺寸。
沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積凹部的寬度Wi可滿足下列條件:
w2<wl ^ w2+dl/2
其中，w2表示沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口的寬度，dl表示沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口之間的間距。
所述多個沉積開口和所述沉積凹部可被設置在與所述框架的所述開口對應的區(qū)域中。
所述單元掩?？捎糜诔练e與第一、第二和第三顏色的子像素對應的有機發(fā)光層，并且所述單元掩?？赏ㄟ^沿長度方向施加的拉力固定到所述框架，所述單元掩?？杀辉O置為使所述張力的方向與顏色相同的子像素的排列方向垂直。所述多個沉積開口和所述沉積凹部可被設置為與所述第一、第二和第三顏色中的任一顏色的子像素相對應。
本發(fā)明的一個不例性實施方式提供了一種有機發(fā)光二極管顯不器，包括:均設置在襯底上的像素電極、有機發(fā)光層和公共電極；所述有機發(fā)光層包括:第一有機發(fā)光層，被設置為與一個子像素對應；以及第二有機發(fā)光層，被設置為跨越兩個子像素。
所述有機發(fā)光層可實現(xiàn)多個不同顏色中的任一種顏色。顏色相同的有機發(fā)光層可沿第一方向成排地設置，顏色不同的有機發(fā)光層可沿與所述第一方向垂直的第二方向交替地設置。所述第二有機發(fā)光層的每個都可被設置為沿所述第一方向跨越兩個相鄰的子像素。
所述第二有機發(fā)光層的長度可大于所述第一有機發(fā)光層的長度的兩倍。所述第二有機發(fā)光層沿所述第一方向的長度L2可通過以下公式表示:
L2=2Ll+d3
其中，LI表不所述第一有機發(fā)光層沿所述第一方向的長度，d3表不沿所述第一方向的所述第一有機發(fā)光層之間的間距。
薄膜層可被設置在所述第二有機發(fā)光層沿所述第二方向的中央。
根據(jù)本示例性實施方式的掩模組件允許沉積開口的側壁和沉積凹部的側壁具有足夠的傾斜度。因此，可以改進整個有機發(fā)光二極管顯示器中的有機發(fā)光層的沉積質量。


通過參照附圖以及以下的詳細說明進行更加清楚地理解時，本發(fā)明的更加全面的理解和其許多伴隨的優(yōu)點將是顯而易見的，在附圖中，相同的參考符號表示相同的或類似的部件，其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的掩模組件的分解立體圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的掩模組件的平面圖3是示出圖1所示的掩模組件的兩個單元掩模和有機發(fā)光二極管顯示器的子像素的俯視圖4是圖3所示的單元掩模的俯視圖5是沿圖4 的線V-V得到的單元掩模的剖視圖6是不出了使用圖5的單兀掩模的有機發(fā)光層的沉積處理的不意圖7是示出比較實施例的單元掩模的局部放大視圖，其中僅提供沉積開口而沒有提供沉積凹部；
圖8是沿圖7的線VII1-VIII得到的單元掩模的剖視圖9是示出了使用圖1的掩模組件所制造的有機發(fā)光二極管顯示器的有機發(fā)光層的俯視圖；以及
圖10是包括圖9所示的第二有機發(fā)光層的有機發(fā)光二極管顯示器的示意性剖視圖。
具體實施方式
在下文中將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的實施方式，其中，示出了本發(fā)明的示例性實施方式。如本領域的技術人員將能實現(xiàn)的，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以以各種不同的方式對所述實施方式進行修改。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的掩模組件的分解立體圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的掩模組件的平面圖。
參照圖1和圖2，本示例性實施方式的掩模組件100包括具有開口部分15的框架10和帶形單元掩模20，帶形單元掩模20的兩端固定到框架10。每個單元掩模20具有多個沉積開口 21，并且通過沿長度方向施加于單元掩模20的拉力將每個單元掩模20固定到框架10，由此防止每個單元掩模20因自重而產(chǎn)生的下垂。
框架10包括彼此平行設置的一對第一支撐部分11和與第一支撐部分11垂直的一對第二支撐部分12。第一支撐部分11可以比第二支撐部分12長。在兩端固定到第一支撐部分11的情況下，單元掩模20被設置為與第二支撐部分12平行。因為處于拉緊狀態(tài)的單元掩模20固定到框架10，所以框架10需要足夠的剛性。
聚集單元掩模20，以形成用于沉積的一個掩模201。除了固定到框架10的兩個端部之外，單元掩模20的其它部分都位于框架10的開口部分15上。因此，在之后將要描述的沉積過程中，單元掩模20設置在襯底和沉積源之間，因此能夠利用沉積開口 21來沉積有機發(fā)光層。
單元掩模20與下面將要描述的沉積凹部一起形成。在圖1中和圖2中，為了便于說明，省略了沉積凹部的說明。
圖3是示出圖1所示的掩模組件的兩個單元掩模和有機發(fā)光二極管顯示器的子像素的俯視圖；圖4是圖3所示的單元掩模的俯視圖。
參照圖3和圖4，有機發(fā)光二極管顯示器包括多個像素，每個像素包括三種顏色的子像素30。三種顏色可以包括紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)。顏色相同的子像素沿第一方向(圖3的X軸方向)成排地設置，顏色不同的子像素30沿與第一方向垂直的第二方向(圖3的y軸方向)交替地設置。
通常，單元掩模20被設置為使它們的拉緊方向(長度方向)與顏色相同的子像素的排列方向一致。但是，如果必要的話，可以以相反的方式設置單元掩模20。在本示例性實施方式的掩模組件100中，單元掩模20被設置為使它們的拉緊方向與顏色相同的子像素30的排列方向(第一方向)垂直。
在圖3中，單元掩模20的拉緊方向是第二方向(y軸方向)，顏色相同的子像素30的排列方向是第一方向(X軸方向)。每個單元掩模20都具有與三種顏色的子像素30中一種顏色的子像素30相對應的沉積開口 21。
每個沉積開口 21都可以形成為具有長邊和短邊的大致矩形形狀。沉積開口 21的長邊與單元掩模20的寬度方向(X軸方向)相一致，沉積開口 21的短邊與單元掩模20的長度方向(y軸方向)相一致。此外，沿第一方向(X軸方向)的沉積開口 21之間的間距dl (參見圖4)小于沿第二方向(y軸方向)的沉積開口 21之間的間距d2 (參見圖4)。
多個單元掩模20中的至少兩個相鄰的單元掩模具有形成在彼此面對的兩側上的沉積凹部22。沉積凹部22沒有完全被單元掩模20所包圍，而是朝向單元掩模20的側面敞開。預定間隙可存在于兩個相鄰的單元掩模20之間。
沉積凹部22設置為沿第一方向(X軸方向)與沉積開口 21平行。此外，在一個單元掩模20中形成的沉積凹部22和在另一單元掩模20中形成的沉積凹部22具有相同的形狀和相同的尺寸，并且沿第一方向(X軸方向)彼此平行設置。
沿單元掩模20的寬度方向的沉積凹部22的寬度wl (參見圖4)等于或大于沿單元掩模20的寬度方向的沉積開口 21的寬度w2(參見圖4)。對此，兩個相鄰的單元掩模20無法彼此重疊。因此，沉積凹部22的寬度wl被設置成滿足以下條件(I):
w2〈wl ^ w2+dl/2---(I)
其中，dl表示沿單元掩模20的寬度方向的沉積開口 21之間的間距。
相應地，與沉積開口 21相同，一個沉積凹部22對應于一個子像素30，并且用于沉積與該子像素30對應的有機發(fā)光層。
當兩個單元掩模20各自具有在彼此面對的兩側上形成的沉積凹部22時，通過將這兩個沉積凹部22用作一個沉積開口，可以形成跨越兩個子像素30設置的一個有機發(fā)光層。
也就是說，掩模組件100能夠通過使用多個沉積開口 21形成與一個子像素30對應的有機發(fā)光層，同時，通過使用兩個沉積凹部22形成跨越兩個子像素設置的有機發(fā)光層。下面將要描述使用本不例性實施方式的掩模組件100形成的有機發(fā)光層的結構。
圖5是沿圖4的線V-V得到的單元掩模的剖視圖；圖6是示出了使用圖5的單元掩模的有機發(fā)光層的沉積處理的示意圖。
參照圖5和圖6，在沉積處理中，單元掩模20設置在沉積源41和襯底43之間，有機發(fā)光層42將沉積于襯底43。通過將沉積開口 21和沉積凹部22的側壁23形成為傾斜的，該類型的單元掩模20使得在單元掩模20的上表面和下表面上觀察到沉積開口 21和沉積凹部22具有彼此不同的尺寸。
具體地，在單元掩模20的上表面和下表面中，面向沉積源41的表面(圖5和6中的下表面)上觀察到的沉積開口 21和沉積凹部22的尺寸大于在面向襯底43的表面(圖5和6中的上表面)上觀察到的沉積開口 21和沉積凹部22的尺寸。
此外，就沿第一方向(X軸方向)的單元掩模20的截面形狀而言，沉積凹部的一個側壁23的形狀與沉積開口 21的側壁23的形狀相同。也就是說，沉積開口 21的側壁23的傾斜度與沉積凹部22的一個側壁23的傾斜度相同。
沉積開口 21和沉積凹部22的傾斜側壁23用于減小因以不均勻的厚度沉積的有機發(fā)光層42所引起的陰影效應。如果沉積開口 21和沉積凹部22的側壁23無法確保足夠的傾斜度，則從沉積源41發(fā)出的大部分材料碰撞側壁23，因此不能均勻地沉積在襯底43上。因此，對于側壁23來說，重要的是確保足夠的傾斜度。
圖7是示出比較實施例的單元掩模的局部放大視圖，其中僅提供沉積開口而沒有提供沉積凹部；圖8是沿圖7的線VII1-VIII得到的單元掩模的剖視圖。
參照圖7和圖8，在與示例性實施方式的單元掩模20相同的條件下(其中單元掩模的拉緊方向與顏色相同的子像素的排列方向垂直，沉積開口的長邊與單元掩模的寬度方向一致)，比較實施例的單元掩模205具有沉積開口 215和215a，而沒有沉積凹部。
就比較實施例的單元掩模205而言，很難確保單元掩模205的兩側和最外沉積開口 215a之間的足夠間距。因此，不可能在面對單元掩模205 —側的最外沉積開口 215的一側處獲得足夠的傾斜度。
在圖8中，面對單元掩模205的一側的最外沉積開口 215a的一個側壁235形成接近豎直的傾斜度。如此，比較實施例的單元掩模在最外沉積開口 215a中經(jīng)受陰影效應，因此降低了有機發(fā)光層425的沉積質量。在圖8中，以黑線示出了有機發(fā)光層425中出現(xiàn)陰影效應的區(qū)域。
再次參照圖5和圖6，通過形成沉積凹部22來代替比較實施例的最外沉積開口215a，本示例性實施方式的單元掩模20可以從根本上防止比較實施例中出現(xiàn)的陰影效應。也就是說，不是形成最外沉積開口 215a，而是可以通過使用兩個相鄰的沉積開口 22作為一個沉積開口，來形成均勻厚度的有機發(fā)光層42。
以這種方式，本示例性實施方式的單元掩模20使得沉積開口 21和沉積凹部22的側壁23能夠具有足夠的傾斜度。因此，可以改進整個有機發(fā)光二極管顯示器中的有機發(fā)光層42的沉積質量。
圖9是示出了使用圖1的掩模組件所制造的有機發(fā)光二極管顯示器的有機發(fā)光層的俯視圖。
參照圖3和圖9,掩模組件100用于在第一位置中沉積具有第一、第二和第三顏色中的任一顏色的有機發(fā)光層42，掩模組件100被移動到第二位置，然后用于沉積具有第一、第二和第三顏色中的另一顏色的有機發(fā)光層42。此外，掩模組件100被移動到第三位置，然后用于沉積第一、第二和第三顏色中的剩余一種顏色的有機發(fā)光層42。第一顏色可以是紅色(R)、第二顏色可以是綠色(G)、第三顏色可以是藍色(B)。
在有機發(fā)光二極管顯不器中，顏色相同的有機發(fā)光層42沿第一方向(X軸方向)成排地設置，顏色不同的有機發(fā)光層42沿第二方向(y軸方向)交替地設置。有機發(fā)光層42包括第一有機發(fā)光層421和第二有機發(fā)光層422,每個第一有機發(fā)光層421被設置為與一個子像素相對應，每個第二有機發(fā)光層422被設置為沿第一方向跨越兩個相鄰的子像素。
第二有機發(fā)光層422的長度L2(參見圖9)大于第一有機發(fā)光層421的長度LI (參見圖9)的兩倍。具體地，第二有機發(fā)光層422的長度L2可以表示為(2Ll+d3)，其中d3表示第一有機發(fā)光層421之間的間距。在這一點上，長度LI和L2和間距d3全部是相對于第一方向(X軸方向)的。第一有機發(fā)光層421沿第二方向(y軸方向)的寬度等于第二有機發(fā)光層422的寬度。
即便第二有機發(fā)光層422被設置為跨越兩個相鄰的子像素，仍然為每個子像素單獨地提供像素電極(未示出)和驅動電路部分(未示出)。因此，對于每個子像素，第二有機發(fā)光層422可以獨立地發(fā)光。
同時，在圖3所示的兩個單元掩模20之間可以存在預定間隙。因此，可以通過該間隙沉積有機發(fā)光層42。在圖9中示出了通過該間隙產(chǎn)生的薄膜層60。通過交疊三種顏色的有機發(fā)光層42而形成的薄膜層60被設置在與第二方向(y軸方向)平行的第二有機發(fā)光層422的中央處。
圖10是包括圖9所示的第二有機發(fā)光層的有機發(fā)光二極管顯示器的示意性剖視圖。
有機發(fā)光二極管顯示器200連接到多個信號線，并且包括以近似矩陣形式排列的多個子像素。圖10示出了多個子像素中的兩個子像素。雖然每個子像素包括多個薄膜晶體管，但是為了方便起見，在本文中僅示出了一個薄膜晶體管50。
參照圖10，緩沖層44形成在襯底43上，半導體層45設置在緩沖層44上。半導體層45包括溝道區(qū)451、源極區(qū)452和漏極區(qū)453。源極區(qū)452和漏極區(qū)453可以摻雜有P型雜質或η型雜質。
柵絕緣膜46形成在緩沖層44上，并覆蓋半導體層45，柵電極47與溝道區(qū)451對應地形成在柵絕緣膜46上。接著，夾層絕緣膜48形成在柵絕緣膜46上，并且覆蓋柵電極47。
暴露源極區(qū)452和漏極區(qū)453的接觸孔形成在夾層絕緣膜48和柵絕緣膜46上。經(jīng)由接觸孔連接至源極區(qū)452的源電極51和經(jīng)由接觸孔連接至漏極區(qū)453的漏電極52形成在夾層絕緣膜48上。
平坦化層49形成在夾層絕緣膜48上，并且覆蓋源電極51和漏電極52，暴露漏電極52的接觸孔形成在平坦化膜49上。連接至漏電極52的像素電極53形成在平坦化層49上，像素限定膜54形成在平坦化膜49上，并且覆蓋像素電極53。暴露像素電極53的一部分的開口形成在像素限定膜54中。
有機發(fā)光層422形成在像素限定膜54的開口中，公共電極55形成在整個像素限定膜54之上，并且覆蓋有機發(fā)光層422。圖10所示的有機發(fā)光層422是跨越兩個相鄰子像素設置的第二有機發(fā)光層。像素電極53和公共電極55中的任一個用作電子注入電極,另一個用作空穴注入電極。
有機發(fā)光層422可以由發(fā)紅光、綠光和藍光中的任一種光的有機材料形成、或者由有機材料和無機材料的混合物形成。用于改進有機發(fā)光層422的發(fā)光效率的輔助層可以形成在有機發(fā)光層422的頂部或底部。輔助層可以是空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層的至少一個。
像素電極53和公共電極55中的任一個可以由透明傳導膜形成，另一個可以由反射傳導膜形成。有機發(fā)光層422發(fā)出的光由反射傳導膜反射，穿過透明傳導膜，并且發(fā)射到有機發(fā)光二極管顯示器的外部。
雖然根據(jù)有機發(fā)光層42實現(xiàn)紅色、綠色和藍色的實施例做出了上述說明，但是有機發(fā)光層42的發(fā)光顏色并不限制于此。
雖然已經(jīng)連同實際的具體實施方式
描述了本發(fā)明，但是，應當理解，本發(fā)明不局限于公開的實施方式，而是相反地，本發(fā)明旨在包括在權利要求書的精神和范圍中所保護的各種修改和等效結構以及它們的等同物。
權利要求
1.一種掩模組件,包括: 框架，包括開口 ；以及 多個單元掩模，包括多個沉積開口，所述單元掩模的兩個縱向端部固定到所述框架； 其中，所述多個單元掩模中的至少兩個相鄰的單元掩模具有形成在彼此面對的兩側上的沉積凹部；以及 其中，所述沉積凹部沿所述單元掩模的寬度方向的寬度不小于所述沉積開口沿所述單元掩模的所述寬度方向的寬度。
2.如權利要求1所述的掩模組件，其中，每個所述沉積開口包括與所述單元掩模的所述寬度方向平行的長邊和與所述單元掩模的長度方向平行的短邊。
3.如權利要求2所述的掩模組件，其中，沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口之間的間距小于沿所述單元掩模的所述長度方向的所述沉積開口之間的間距。
4.如權利要求1所述的掩模組件，其中，所述沉積凹部設置為沿所述單元掩模的所述寬度方向與所述多個沉積開口平行。
5.如權利要求4所述的掩模組件，其中，在至少兩個單元掩模中形成的兩個沉積凹部具有相同的形狀和相同的尺寸且被設置為沿所述單元掩模的所述寬度方向彼此平行。
6.如權利要求4所述的掩模組件，其中，所述沉積開口和所述沉積凹部被傾斜的側壁圍繞，并且其中，沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積凹部的一個側壁的形狀與沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口的所述側壁的形狀相同。
7.如權利要求6所述的掩模組件，其中，每個所述單元掩模包括面向沉積表面的一個表面和所述一個表面的相對表面，在所述一個表面上觀察的所述沉積開口和沉積凹部的尺寸大于在所述相對表面上觀察的所述沉積開口和沉積凹部的尺寸。
8.如權利要求1所述的掩模組件，其中，沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積凹部的寬度wl滿足下列條件:w2<wl ^ w2+dl/2 其中，w2表示沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口的寬度，dl表示沿所述單元掩模的所述寬度方向的所述沉積開口之間的間距。
9.如權利要求1所述的掩模組件，其中，所述多個沉積開口和所述沉積凹部被設置在與所述框架的所述開口對應的區(qū)域中。
10.如權利要求1所述的掩模組件，其中，所述單元掩模用于沉積與第一、第二和第三顏色的子像素對應的有機發(fā) 光層，并且所述單元掩模通過沿長度方向施加的拉力固定到所述框架，所述單元掩模被設置為使所述張力的方向與顏色相同的子像素的排列方向垂直。
11.如權利要求10所述的掩模組件，其中，所述多個沉積開口和所述沉積凹部被設置為與所述第一、第二和第三顏色中的任一顏色的子像素相對應。
12.—種有機發(fā)光二極管顯不器,包括:均設置在襯底上的像素電極、有機發(fā)光層和公共電極； 所述有機發(fā)光層包括: 第一有機發(fā)光層，被設置為與一個子像素對應；以及 第二有機發(fā)光層，被設置為跨越兩個子像素。
13.如權利要求12所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機發(fā)光層實現(xiàn)多個不同顏色中的任一種顏色，顏色相同的有機發(fā)光層沿第一方向成排地設置，顏色不同的有機發(fā)光層沿與所述第一方向垂直的第二方向交替地設置。
14.如權利要求13所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二有機發(fā)光層的每個都被設置為沿所述第一方向跨越兩個相鄰的子像素。
15.如權利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二有機發(fā)光層的長度大于所述第一有機發(fā)光層的長度的兩倍。
16.如權利要求15所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二有機發(fā)光層沿所述第一方向的長度L2通過以下公式表不:L2=2Ll+d3 其中，LI表不所述第一有機發(fā)光層沿所述第一方向的長度，d3表不沿所述第一方向的所述第一有機發(fā)光層之間的間距。
17.如權利要求13所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，薄膜層被設置在所述第二有機發(fā)光層沿所述第二方 向的中央。
全文摘要
掩模組件包括形成開口的框架和形成多個沉積開口的多個單元掩模，單元掩模的縱向端部固定到框架。多個單元掩模的至少兩個相鄰的單元掩模具有在彼此面對的兩側上的形成的沉積凹部。所述沉積凹部沿單元掩模的寬度方向的寬度等于或大于沉積開口沿單元掩模的寬度方向的寬度。
文檔編號C23C14/04GK103137905SQ20121050092
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權日2011年11月30日
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