專利名稱：工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置及其工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種エ業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置及其エ藝，屬于材料表面工程領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
離子滲氮技術(shù)是利用氣體輝光放電原理，將エ件置于陰極，爐壁為陽極，陰陽極之間加以數(shù)百伏直流/直流脈沖電壓，真空室內(nèi)放電導(dǎo)致低壓氮?dú)錃怏w電離，并在高壓電場(chǎng)的作用下荷能轟擊エ件表面，產(chǎn)生大量的熱量加熱エ件至滲氮溫度，同時(shí)放電產(chǎn)生的活性氮在エ件表面發(fā)生吸附、化合、擴(kuò)散等物理化學(xué)反應(yīng)，獲得一定深度的滲氮層。離子滲氮技術(shù)具有滲氮速度快、滲氮層組織易控制、脆性小、節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，有效提高金屬エ件的表面硬度、疲勞強(qiáng)度、耐磨和抗蝕等性能，在制造業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。但由于等離子體直接在エ件表面產(chǎn)生，使離子滲氮技術(shù)存在固有的缺陷，如エ件表面電弧燒損、邊緣效應(yīng)和空心陰 極效應(yīng)等，制約了離子滲氮技術(shù)的推廣應(yīng)用。1995 年，雷明凱等在 Journal of Vacuum Science and Technology A 上的文早《Plasma source ion nitriding a new low-temperature, low-pressure nitridingapproach》報(bào)道了等離子體離子滲氮技術(shù)，后進(jìn)ー步拓展成為等離子體基低能離子注入技木。等離子體基低能離子注入技術(shù)是將低能離子注入技術(shù)引入等離子體基離子注入，一方面利用1992年A. V. Byeli和1994年D. L. Williamson等分別報(bào)道的低能離子束線注入技術(shù)的“低能”優(yōu)勢(shì)，另ー方面結(jié)合1987年J. R. Conrad和1988年J. Tendys等分別提出的等離子體基離子注入技術(shù)的“全方位”優(yōu)勢(shì)，采用高密度、高電子溫度和高離化率的等離子體，結(jié)合施加脈沖負(fù)偏壓和輔助外熱源，通過0.4 3 keV的低能脈沖離子注入結(jié)合同歩擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)在200 ° C超低エ藝溫度下高傳質(zhì)效率的表面處理。等離子體基低能離子注入技術(shù)改善了全方位離子注入改性層的均勻性，同時(shí)降低了注入離子能量，大大降低裝置造價(jià)和加工成本。由于等離子體基低能離子注入エ藝是一個(gè)多參數(shù)的控制過程，等離子體密度、エ件施加的負(fù)偏壓、エ件滲氮溫度、工作氣壓和滲氮時(shí)間都直接影響“低能注入+同步擴(kuò)散”元素的劑量，采用輔助外熱源加熱エ件，對(duì)于形狀復(fù)雜的エ件很難保證加熱均勻。鄧新綠等發(fā)明的《用計(jì)算機(jī)控制的等離子體源離子滲氮エ藝及設(shè)備》專利(CN1262341A)，采用自熱式加熱エ件，即利用離子/電子轟擊エ件的能量加熱エ件，通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)調(diào)節(jié)エ件正負(fù)脈沖對(duì)的重復(fù)頻率、各自的占空比與幅值來實(shí)現(xiàn)對(duì)エ件溫度的控制，提供了一種無需安置加熱器而采用自熱式加熱エ件的方法，同時(shí)采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控エ藝過程。但是等離子體基低能離子注入技術(shù)存在的主要缺點(diǎn)，如(I)外置獨(dú)立等離子體源所產(chǎn)生的等離子體均勻性差，實(shí)現(xiàn)大面積等離子體源困難；(2)等離子體源離子滲氮低能離子轟擊產(chǎn)生的濺射作用仍然會(huì)導(dǎo)致滲氮效率的降低和表面質(zhì)量的相對(duì)惡化。20世紀(jì)90年代末，盧森堡工程師Georges等的美國(guó)發(fā)明專利(US5989363)介紹了一種新的等離子體源滲氮技術(shù)，亦稱為“活性屏離子滲氮技術(shù)”(Active screen plasmanitriding,或是Through cage plasma nitriding)。在滲氮真空室內(nèi)部增加一個(gè)金屬網(wǎng)罩陰極，網(wǎng)罩上可施加直流/脈沖電壓,在網(wǎng)罩與真空室爐體內(nèi)壁之間發(fā)生輝光放電,產(chǎn)生直流/脈沖等離子體，エ件處于懸浮電位置于金屬網(wǎng)罩內(nèi)，通過這種直流/脈沖等離子體源向網(wǎng)罩空間內(nèi)提供用于滲氮所需的均勻等離子體，同時(shí)，網(wǎng)罩上放電電流的加熱升溫作用，方便地將エ件表面輻射加熱，提供用于滲氮所需的エ藝溫度。等離子體源滲氮可以達(dá)到和傳統(tǒng)離子滲氮一祥的效果，并且可以克服傳統(tǒng)離子滲氮過程中エ件表面打弧、邊緣效應(yīng)和空心陰極效應(yīng)等固有缺陷。2001年，Li等在Surface Engineering上發(fā)表的文章《A studyof active screen plasma nitriding》研究了活性屏離子滲氮技術(shù)氮的傳質(zhì)過程,提出了“濺射沉積模型”，該模型是發(fā)展了 Edenhofer關(guān)于離子滲氮的模型，即離子轟擊金屬網(wǎng)罩，濺射出的Fe原子，在等離子壓降區(qū)與活性氮原子結(jié)合形成FeN，部分FeN沉積到エ件表面，然后按FeN-Fe2_3N-Fe4N逐漸分解釋放出活性氮原子，氮原子被エ件吸收，完成滲氮過程。等離子體源滲氮技術(shù)不僅克服了傳統(tǒng)離子滲氮的固有缺陷，而且取消了等離子體基低能離子注入設(shè)備中專門的輔助外加熱源，簡(jiǎn)化了設(shè)備，并且可以向エ件提供大面積的均勻等離子體，均勻加熱エ件。目前，エ業(yè)化等離子體源滲氮裝置采用的是常規(guī)的手動(dòng)操作方式，由于等離子體 源滲氮エ藝是ー個(gè)多參數(shù)控制過程，等離子體源滲氮過程中エ藝參數(shù)、等離子體狀態(tài)、濺射速率的變化都直接影響エ件的滲氮量和性能，手動(dòng)操作必然造成等離子體狀態(tài)波動(dòng)大、隨機(jī)性大、很難保證等離子體源滲氮エ藝的重復(fù)性和エ件滲層質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有エ業(yè)化等離子體源滲氮技術(shù)存在的(I)人工根據(jù)儀表顯示的溫度來調(diào)節(jié)電壓、電流大小，從而控制エ件的溫度，滲氮溫度波動(dòng)大，常常超過20-30 ° C，難以保證エ件滲層組織性能的穩(wěn)定；(2)工作氣壓很難通過調(diào)整蝶閥角度滿足等離子體源滲氮過程氣壓動(dòng)態(tài)平衡要求，爐內(nèi)氣壓的變化，使相同保溫溫度及時(shí)間條件下，很難獲得性能一致的エ件滲層；(3)由于手動(dòng)操作的隨機(jī)性，造成滲氮溫度和等離子體狀態(tài)的波動(dòng)，使得エ件滲氮?jiǎng)┝繜o法精確控制的不足，并提供エ業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮エ藝及裝置，實(shí)現(xiàn)等離子體源滲氮エ藝的完全自動(dòng)化，保證エ藝的可重復(fù)性和エ件滲層質(zhì)量，并實(shí)現(xiàn)エ件單位表面積滲氮?jiǎng)┝康木_控制，簡(jiǎn)化工藝流程，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種エ業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置，包括金屬真空室由頂端帶有進(jìn)氣ロ的圓柱形爐體、置有抽氣ロ的底座和密封圈構(gòu)成，金屬網(wǎng)罩置于金屬真空室內(nèi)，并與爐體同軸，等離子體源是由作為陽極的圓柱形爐體和作為陰極的金屬網(wǎng)罩構(gòu)成，設(shè)在爐體外部的直流脈沖電源向金屬網(wǎng)罩施加直流脈沖負(fù)偏壓，工作臺(tái)置于陶瓷架上與井底座絕緣，插人工件內(nèi)部的熱電偶檢測(cè)エ件處理溫度，電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)測(cè)試金屬真空室內(nèi)壓強(qiáng)。所述滲氮裝置采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)分別與熱電偶、電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)、直流脈沖電源、氣體質(zhì)量流量控制器相連，對(duì)等離子體源滲氮エ藝多參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄與自動(dòng)控制。所述的エ業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置的エ藝，用離子轟擊金屬網(wǎng)罩的功率轉(zhuǎn)換為熱輻射能量來加熱エ件，エ件在升溫、保溫和降溫過程中，エ件溫度通過調(diào)節(jié)直流脈沖電源的頻率、脈沖寬度與幅值控制；同時(shí)，計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)實(shí)時(shí)記錄等離子體源滲氮保溫階段金屬網(wǎng)罩的電流密度、脈沖頻率、脈沖寬度與保溫時(shí)間，通過公式計(jì)算獲得エ件單位表面積的滲氮?jiǎng)┝?。所述?jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)控制編程控制器、脈沖控制電路、溫度監(jiān)測(cè)電路、壓強(qiáng)監(jiān)測(cè)電路和氣體質(zhì)量流量控制器；計(jì)算機(jī)控制編程控制器將檢測(cè)到溫度變化信號(hào)、壓強(qiáng)變化信號(hào)與設(shè)定的エ藝參數(shù)比較，通過PID運(yùn)算提供給脈沖控制電路時(shí)間分配信號(hào)，調(diào)整脈沖頻率、脈沖寬度與幅值控制エ件溫度、提供給氣體質(zhì)量流量控制器控制信號(hào)，自動(dòng)調(diào)節(jié)滲氮?dú)怏w流量，達(dá)到等離子體源滲氮過程氣壓動(dòng)態(tài)平衡要求。所述計(jì)算機(jī)控制編程控制器控制等離子體源滲氮エ藝中的各種參數(shù)，其程序是按照設(shè)定的滲氮溫度曲線進(jìn)行多參數(shù)比例積分PID自動(dòng)控制，通過比較檢測(cè)溫度變化信號(hào)與設(shè)定エ藝參數(shù)值，進(jìn)而調(diào)節(jié)脈沖頻率、脈沖寬度與幅值，即調(diào)節(jié)金屬網(wǎng)罩上離子轟擊功率，使エ件實(shí)際滲氮溫度按設(shè)定的滲氮溫度曲線變化。
所述等離子體源滲氮保溫階段中，エ件單位表面積所獲得滲氮?jiǎng)┝?(t)，是計(jì)算機(jī)記錄滲氮保溫階段金屬網(wǎng)罩的電流密度、脈沖頻率與脈寬，及保溫時(shí)間，并按下述公式計(jì)算
N=aq5nRSputnr=a^ySput i-f rt
e式中，a為氮傳質(zhì)過程中損耗系數(shù)，為エ件表面有效氮吸收系數(shù)，計(jì)算機(jī)通過比較計(jì)算的滲氮?jiǎng)┝縉(t)與預(yù)定的滲氮?jiǎng)┝縉tl，直至N(t)ミNtl，即達(dá)到預(yù)定的滲氮?jiǎng)┝?，保溫階段完成，實(shí)現(xiàn)處理工件表面滲氮?jiǎng)┝康木_控制。采用上述技術(shù)方案的基本構(gòu)想是通過插人工件內(nèi)部的熱電偶檢測(cè)エ件溫度，電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)測(cè)試真空室內(nèi)壓強(qiáng)，計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)分別與熱電偶、電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)、直流脈沖電源、氣體質(zhì)量流量控制器相連；計(jì)算機(jī)根據(jù)比較設(shè)定的エ藝參數(shù)和檢測(cè)的反饋信號(hào)，通過PID運(yùn)算，提供給直流脈沖電源、氣體質(zhì)量流量控制器控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)等離子體源滲氮エ藝的完全自動(dòng)化；同吋，計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)記錄滲氮保溫階段金屬網(wǎng)罩的電流密度、脈沖頻率、脈沖寬度與保溫時(shí)間，通過公式計(jì)算獲得エ件單位表面積的滲氮?jiǎng)┝?，?shí)現(xiàn)對(duì)處理工件表面滲氮?jiǎng)┝康木_控制。エ業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置及其エ藝，實(shí)現(xiàn)等離子體源滲氮エ藝過程的全自動(dòng)化，包括(I)開始階段(弧光清理及金屬網(wǎng)罩的加熱)；(2)升溫階段(控制エ件升溫速度、真空爐內(nèi)工作氣壓自動(dòng)調(diào)節(jié)適應(yīng)升溫要求)；(3)保溫階段(控制エ件溫度和エ作氣壓，進(jìn)行恒溫滲氮)；(4)降溫階段(停止離子轟擊，エ件自然冷卻，到時(shí)停機(jī))。同吋，自動(dòng)調(diào)節(jié)供氣流量，已達(dá)到氣體流動(dòng)平衡，保證等離子體源滲氮エ藝要求。計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制等離子體源滲氮エ藝的基本原理根據(jù)分子運(yùn)動(dòng)學(xué)和統(tǒng)計(jì)物理理論可知，単位時(shí)間內(nèi)到達(dá)單位面積鞘層表面的離子數(shù)為
「 1 I 一-IliY1 4其中，Hi為離子數(shù)密度，為離子熱運(yùn)動(dòng)速度，所以，進(jìn)入金屬網(wǎng)罩表面的電流密度ji為:I 一 IIii = —eniVi = 一 eni(lく Ti/mi)2
44其中，e為單位電荷，Wi為離子溫度，Ini為離子質(zhì)量。由于建立鞘層的時(shí)間一般小于I U S，比負(fù)脈沖寬度小很多，故可以忽略鞘層形成過程中離子電流密度的變化，認(rèn)為在負(fù)脈沖期間，離子電流密度均為ji。設(shè)負(fù)脈沖頻率為f，脈寬為T，則平均離子電流密度$為
ji = jiOfDr = —emfr(kTi/mi)2
設(shè)脈沖負(fù)偏壓幅值為V，金屬網(wǎng)罩的表面積為S，則離子轟擊金屬網(wǎng)罩產(chǎn)生的功率Pi為
P1 = T V S = ^-en,frVS(kT,/m,)'-顯然，對(duì)ー個(gè)確定的金屬網(wǎng)罩，即S是一定的，特定的等離子體參數(shù)，即叫、Mn Ini一定，調(diào)節(jié)負(fù)脈沖的重復(fù)頻率、脈沖寬度與幅值，即可以控制輸入金屬網(wǎng)罩的總功率。(I)開始階段利用氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體加熱金屬網(wǎng)罩，金屬網(wǎng)罩升溫速率=(離子轟擊功率一熱輻射等造成的功率損失)/(金屬網(wǎng)罩質(zhì)量X比熱X熱功當(dāng)量)；(2)升溫階段設(shè)此時(shí)離子轟擊金屬網(wǎng)罩功率完全轉(zhuǎn)換為熱輻射能量，則，エ件升溫速率=(離子轟擊功率一熱輻射等造成的功率損失)パエ件總質(zhì)量X比熱X熱功當(dāng)量);(3)保溫階段離子轟擊金屬網(wǎng)罩功率=エ件熱輻射等造成的功率損失；(4)降溫階段エ件降溫速率=(熱輻射等造成的功率損失ー離子轟擊功率)/(エ件總質(zhì)量X比熱X熱功當(dāng)量)。顯然，エ件最大降溫速率是停止金屬網(wǎng)罩的離子轟擊，即自然冷卻速率。因此，整個(gè)等離子體源滲氮過程，可以通過調(diào)節(jié)負(fù)脈沖頻率、脈沖寬度與幅值來控制エ件的溫度，實(shí)現(xiàn)等離子體源滲氮過程溫度的控制。等離子體源滲氮過程是通過離子轟擊金屬網(wǎng)罩，濺射出的Fe原子，在等離子壓降區(qū)與活性氮原子結(jié)合形成FeN，部分FeN沉積到エ件表面，然后按FeN-Fe2_3N-Fe4N逐漸分解釋放出活性氮原子，氮原子被エ件吸收，完成滲氮過程。エ件單位表面積所獲得的滲氮?jiǎng)┝縉，可以通過控制保溫階段離子所濺射出鐵的原子數(shù)，即控制到達(dá)エ件表面的活性氮原子量。設(shè)Ysput為每ー個(gè)入射離子所產(chǎn)生的濺射原子數(shù)，則單位面積金屬網(wǎng)罩的濺射速率Rsput為RspHt=Ysput—fr
e由于氮在傳質(zhì)過程中存在失活過程和氮原子在エ件表面吸附、分解、解吸附損失概率，分別設(shè)為a和，為氮傳質(zhì)過程中損耗系數(shù)，0為エ件表面有效氮吸收系數(shù)，則單位面積上滲氮的劑量可以表達(dá)為
權(quán)利要求
1.一種工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置，包括金屬真空室(5)由頂端帶有進(jìn)氣口(6)的圓柱形爐體(2)、置有抽氣口(14)的底座(I)和密封圈(13)構(gòu)成，金屬網(wǎng)罩(9)置于金屬真空室(5)內(nèi)，并與爐體同軸，等離子體源是由作為陽極的圓柱形爐體(2)和作為陰極的金屬網(wǎng)罩(9)構(gòu)成，設(shè)在爐體外部的直流脈沖電源(8)向金屬網(wǎng)罩(9)施加直流脈沖負(fù)偏壓，工作臺(tái)(3)置于陶瓷架(15)上與并底座(I)絕緣，插入工件(10)內(nèi)部的熱電偶(12)檢測(cè)工件處理溫度，電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)(4)測(cè)試金屬真空室(5)內(nèi)壓強(qiáng)，其特征在于所述滲氮裝置采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)(11)分別與熱電偶(12)、電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)(4)、直流脈沖電源(8)、氣體質(zhì)量流量控制器(7)相連，對(duì)等離子體源滲氮工藝多參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄與自動(dòng)控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置的工藝，其特征在于用離子轟擊金屬網(wǎng)罩(9)的功率轉(zhuǎn)換為熱輻射能量來加熱工件(10)，工件(10)在升溫、保溫和降溫過程中，工件溫度通過調(diào)節(jié)直流脈沖電源(8)的頻率、脈沖寬度與幅值控制；同時(shí)，計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)(11)實(shí)時(shí)記錄等離子體源滲氮保溫階段金屬網(wǎng)罩(9 )的電流密度、脈沖頻率、脈沖寬度與保溫時(shí)間，通過公式計(jì)算獲得工件單位表面積的滲氮?jiǎng)┝俊?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置的工藝，其特征在于所述計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)(11)包括計(jì)算機(jī)控制編程控制器(16)、脈沖控制電路(17)、溫度監(jiān)測(cè)電路(18)、壓強(qiáng)監(jiān)測(cè)電路(19)和氣體質(zhì)量流量控制器(7);計(jì)算機(jī)控制編程控制器(16)將檢測(cè)到溫度變化信號(hào)、壓強(qiáng)變化信號(hào)與設(shè)定的工藝參數(shù)比較，通過PID運(yùn)算提供給脈沖控制電路時(shí)間分配信號(hào)，調(diào)整脈沖頻率、脈沖寬度與幅值控制工件溫度、提供給氣體質(zhì)量流量控制器(7 )控制信號(hào)，自動(dòng)調(diào)節(jié)滲氮?dú)怏w流量，達(dá)到等離子體源滲氮過程氣壓動(dòng)態(tài)平衡要求。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置的工藝，其特征在于所述計(jì)算機(jī)控制編程控制器(16)控制等離子體源滲氮工藝中的各種參數(shù)，其程序是按照設(shè)定的滲氮溫度曲線進(jìn)行多參數(shù)比例積分PID自動(dòng)控制，通過比較檢測(cè)溫度變化信號(hào)與設(shè)定工藝參數(shù)值，進(jìn)而調(diào)節(jié)脈沖頻率、脈沖寬度與幅值，即調(diào)節(jié)金屬網(wǎng)罩(9)上離子轟擊功率，使工件(10)實(shí)際滲氮溫度按設(shè)定的滲氮溫度曲線變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置的工藝，其特征在于所述等離子體源滲氮保溫階段中，工件(10)單位表面積所獲得滲氮?jiǎng)┝?(t)，是計(jì)算機(jī)記錄滲氮保溫階段金屬網(wǎng)罩(9)的電流密度、脈沖頻率與脈寬，及保溫時(shí)間，并按下述公式計(jì)算 式中，為氮傳質(zhì)過程中損耗系數(shù)，為工件表面有效氮吸收系數(shù)，計(jì)算機(jī)通過比較計(jì)算的滲氮?jiǎng)┝縉(t)與預(yù)定的滲氮?jiǎng)┝縉tl，直至N(t) SNtl，即達(dá)到預(yù)定的滲氮?jiǎng)┝浚仉A段完成，實(shí)現(xiàn)處理工件表面滲氮?jiǎng)┝康木_控制。
全文摘要
一種工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置及其工藝，屬于材料表面工程領(lǐng)域。這種工業(yè)化自動(dòng)控制的等離子體源滲氮裝置采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控滲氮系統(tǒng)分別與熱電偶、電容薄膜式絕對(duì)壓力真空計(jì)、直流脈沖電源、氣體質(zhì)量流量控制器相連，對(duì)等離子體源滲氮工藝多參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄與自動(dòng)控制。實(shí)現(xiàn)了等離子體源滲氮工藝過程的全自動(dòng)化及對(duì)工件單位表面積滲氮?jiǎng)┝康木_控制，簡(jiǎn)化工藝流程，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高生產(chǎn)效率，并且，計(jì)算機(jī)控制過程中反饋相應(yīng)快，控制精度高，保證工藝的可重復(fù)性和工件滲層質(zhì)量。
文檔編號(hào)C23C8/36GK102808146SQ201210334758
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月12日
發(fā)明者雷明凱, 李廣宇, 朱小鵬, 李昱鵬, 袁力江 申請(qǐng)人:大連理工大學(xué)