專利名稱：沉積源及包括這種沉積源的沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例的多個方面涉及一種沉積源和包括這種沉積源的沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
為形成用于電子裝置中的精細(xì)薄膜，采用了多種方法。尤其是，平板顯示裝置通過形成多個薄膜制造而成，因此改善薄膜的特性尤為重要。在平板顯示裝置當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于相比于其它平板顯示裝置具有諸如大視角、高對比度以及快響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)，而被視為下一代顯示裝置。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，發(fā)射可見光的有機(jī)發(fā)光層和接近有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層通過利用各種方法形成。尤其是，真空沉積方法由于其簡單的工藝而經(jīng)常被使用。在真空沉積方法中，將粉狀或固態(tài)的沉積材料填充到熔爐中，并通過對熔爐進(jìn)行加熱而在期望的區(qū)域上形成沉積膜。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多個方面，沉積源能夠提高宿主材料和摻雜劑材料的真空沉積區(qū)域的均勻性以及宿主材料和摻雜劑材料的真空沉積率，并且沉積設(shè)備包括這種沉積源。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，一種沉積源包括摻雜劑蒸發(fā)源；第一宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的一側(cè)的第一蒸發(fā)源單元和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的另一側(cè)的第二蒸發(fā)源單元；以及第二宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述一側(cè)且與所述第一蒸發(fā)源單元平行布置的第三蒸發(fā)源單元，和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述另一側(cè)且與所述第二蒸發(fā)源單元平行布置的第四蒸發(fā)源單元。所述摻雜劑蒸發(fā)源可包括線性蒸發(fā)源。所述線性蒸發(fā)源的多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向可彼此交叉。所述線性蒸發(fā)源的所述多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向可彼此垂直。所述摻雜劑蒸發(fā)源可包括點(diǎn)狀源。所述摻雜劑蒸發(fā)源可包括位于所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元之間的第一點(diǎn)狀源；以及位于所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元之間的第二點(diǎn)狀源。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元可關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元可關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。
所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元可包括線性蒸發(fā)源。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元中的每一個均可包括沿與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元中的每一個均可包括沿與所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向與所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元被布置的方向可彼此平行。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元可具有相同的尺寸和形狀。 所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元可具有相同的尺寸和形狀。所述第一宿主蒸發(fā)源可進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第一蒸發(fā)源單元的第一坩堝和所述 第二蒸發(fā)源單元的第二坩堝的第一加熱單元，所述第一加熱單元被配置為對所述第一坩堝和所述第二坩堝進(jìn)行加熱。所述第二宿主蒸發(fā)源可進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第三蒸發(fā)源單元的第三坩堝和所述第四蒸發(fā)源單元的第四坩堝的第二加熱單元，所述第二加熱單元被配置為對所述第三坩堝和所述第四坩堝進(jìn)行加熱。所述第一宿主蒸發(fā)源可進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第一蒸發(fā)源單元的第一坩堝且被配置為對所述第一坩堝進(jìn)行加熱的第一加熱單元，和環(huán)繞所述第二蒸發(fā)源單元的第二坩堝且被配置為對所述第二坩堝進(jìn)行加熱的第二加熱單元。所述第二宿主蒸發(fā)源可進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第三蒸發(fā)源單元的第三坩堝且被配置為對所述第三坩堝進(jìn)行加熱的第三加熱單元，和環(huán)繞所述第四蒸發(fā)源單元的第四坩堝且被配置為對所述第四坩堝進(jìn)行加熱的第四加熱單元。根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例，一種沉積設(shè)備包括室和用于將沉積材料沉積到被傳送至所述室內(nèi)的沉積目標(biāo)材料上的沉積源，且所述沉積源包括摻雜劑蒸發(fā)源；第一宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的一側(cè)的第一蒸發(fā)源單元和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的另一側(cè)的第二蒸發(fā)源單元；以及第二宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述一側(cè)且與所述第一蒸發(fā)源單元平行布置的第三蒸發(fā)源單元，和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述另一側(cè)且與所述第二蒸發(fā)源單元平行布置的第四蒸發(fā)源單元。所述摻雜劑蒸發(fā)源可包括線性蒸發(fā)源。所述摻雜劑蒸發(fā)源可包括位于所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元之間的第一點(diǎn)狀源；以及位于所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元之間的第二點(diǎn)狀源。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元可關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱，并且所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元可關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元可包括線性蒸發(fā)源。


通過參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和方面將變得更加明顯，在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括沉積源的沉積設(shè)備的示意性主視圖；圖2是圖I中的沉積設(shè)備的示意性側(cè)視圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖I中的沉積源的平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源的平面圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源的平面圖。
具體實(shí)施例方式在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例；然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用不同的形式來具體實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所闡述和列舉的示例性實(shí)施例。更確切地說，以示例方式提供這些示例性實(shí)施例是為了理解本發(fā)明，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，可以以均不背離本發(fā)明的精 神或范圍的各種方式修改所描述的實(shí)施例。圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括沉積源100的沉積設(shè)備1000的示意性主視圖。圖2是圖I所示的沉積設(shè)備1000的示意側(cè)視圖。例如，圖2可為沉積設(shè)備1000的左側(cè)視圖或右側(cè)視圖。參照圖I和圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，沉積設(shè)備1000包括基板20和位于室10中的沉積源100。為了維持真空或低壓狀態(tài)，一個或多個泵(未示出)可被連接至室10。而且，一個或多個進(jìn)口和/或出口(未示出)可形成于室10的側(cè)面上，使得基板20可被移入室10中或從室10中移出。基板20是即將在其上沉積期望材料的目標(biāo)，且可被夾具或支撐物固定。在將基板20固定之后，可執(zhí)行沉積工藝。沉積源100被布置為面向室10中的基板20。沉積源100可沿基板20的長度方向線性延伸。雖然如圖I所示，沉積源100沿一個方向線性延伸，但如圖2所示，沉積源100的沿另一個方向的寬度小于基板20的長度。由于沉積源100沿一個方向線性延伸，因此沉積源100可移動，以使材料沉積在基板20的整個表面上。在一個實(shí)施例中，如圖2所示，沿一個方向或多個方向移動的移動單元30被置于沉積源100之下。由于移動單元30，沉積源100可直線移動，且均勻地或基本均勻地將材料沉積在基板20上。圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖I中的沉積源100的平面圖。沉積源100包括第一宿主蒸發(fā)源110、第二宿主蒸發(fā)源130以及摻雜劑蒸發(fā)源150。第一宿主蒸發(fā)源110蒸發(fā)第一宿主材料。第二宿主蒸發(fā)源130蒸發(fā)第二宿主材料。摻雜劑蒸發(fā)源150蒸發(fā)摻雜劑材料。第一宿主蒸發(fā)源110可包括第一蒸發(fā)源單元IlOa和第二蒸發(fā)源單元110b。第一蒸發(fā)源單元IlOa可包括坩堝111和第一加熱單元113。第二蒸發(fā)源單元IlOb可包括坩堝121和第一加熱單元113。坩堝111和121填充有用于沉積的沉積材料。在一個實(shí)施例中，用于形成包括在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中的有機(jī)材料的第一宿主材料可以以固態(tài)或粉狀填充到坩堝111和121中。不過，本發(fā)明不限于此，而是可以將多種狀態(tài)的多種沉積材料填充到坩堝111和121中。
坩堝111和121可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。坩堝111和121的長度方向可對應(yīng)于圖I中所示的將在其上沉積沉積材料的基板20的長度方向。多個噴嘴112和122形成在坩堝111和121的頂面，即面向基板20的表面中。當(dāng)填充到坩堝111和121中的第一宿主材料被加熱時，第一宿主材料通過噴嘴112和122移動到基板20。噴嘴112和122的形狀、尺寸和數(shù)量可基于基板20的尺寸、沉積材料的屬性以及沉積工藝的條件而改變。第一加熱單元113可繞(例如環(huán)繞)坩堝111和121被布置。第一加熱單元113可包括例如正弦波或鋸齒形圖案的線圈，且線圈可被連接至一個或多個外部電源(未示出)。第一加熱單元113通過向坩堝111和121提供熱能而使填充到坩堝111和121中的第一宿主材料蒸發(fā)。第一加熱單元113可被置于坩堝111和121的外周上，以環(huán)繞坩堝111和121。在一個實(shí)施例中，第一加熱單元113被連接至外部電源。在一個實(shí)施例中，兩個坩堝111和121由單個第一加熱單元113加熱，由此可將熱能均勻地或基本均勻地供給 坩堝111和121。第二宿主蒸發(fā)源130可包括第三蒸發(fā)源單元130a和第四蒸發(fā)源單元130b。第三蒸發(fā)源單元130a可包括坩堝131和第二加熱單元115。第四蒸發(fā)源單元130b可包括坩堝141和第二加熱單元115。坩堝131和141填充有用于沉積的沉積材料。在一個實(shí)施例中，用于形成包括在OLED中的有機(jī)材料的第二宿主材料可以以固態(tài)或粉狀被填充到坩堝131和141中。不過，本發(fā)明不限于此，而是可以將多種狀態(tài)的多種沉積材料填充到坩堝131和141中。對第一宿主材料和第二宿主材料以及摻雜劑材料執(zhí)行真空沉積。坩堝131和141可像坩堝111和121那樣沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。在一個實(shí)施例中，坩堝131和141以及坩堝111和121可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸，且可以彼此平行布置。坩堝131和141的長度方向可對應(yīng)于圖I中所示的將在其上沉積沉積材料的基板20的長度方向。多個噴嘴132和142形成在坩堝131和141的頂面，即面向基板20的表面中。當(dāng)填充到坩堝131和141中的第二宿主材料被加熱時，第二宿主材料通過噴嘴132和142移動到基板20。噴嘴132和142的形狀、尺寸和數(shù)量可基于基板20的尺寸、沉積材料的屬性以及沉積工藝的條件而改變。第二加熱單元115可繞(例如環(huán)繞)坩堝131和141被布置。第二加熱單元115可包括例如正弦波或鋸齒形圖案的線圈，且線圈可被連接至一個或多個外部電源(未示出)。第二加熱單元115通過向坩堝131和141提供熱能而使填充到坩堝131和141中的第二宿主材料蒸發(fā)。第二加熱單元115可被置于坩堝131和141的外周上，以環(huán)繞坩堝131和141。在一個實(shí)施例中，第二加熱單元115被連接至外部電源。在一個實(shí)施例中，兩個坩堝131和141由單個第二加熱單元115加熱，由此可將熱能均勻地或基本均勻地供給坩堝131和141。在一個實(shí)施例中，通過被連接至分立的電源，第一加熱單元113和第二加熱單元115可被單獨(dú)控制。在一個實(shí)施例中，第一宿主蒸發(fā)源110和第二宿主蒸發(fā)源130沿一個方向(例如沿X軸方向)彼此平行布置。分別由第一宿主蒸發(fā)源Iio和第二宿主蒸發(fā)源130蒸發(fā)的第一宿主材料和第二宿主材料，在與第一宿主蒸發(fā)源110和第二宿主蒸發(fā)源130被布置或被放置的方向垂直的方向(例如沿Y軸方向)上被均勻地混合。摻雜劑蒸發(fā)源150可為線性蒸發(fā)源。作為線性蒸發(fā)源的摻雜劑蒸發(fā)源150可包括坩堝151和加熱單元117。坩堝151填充有用于沉積的沉積材料。在一個實(shí)施例中，用于形成包括在OLED中的有機(jī)材料的摻雜劑材料可以以固態(tài)或粉狀被填充到坩堝151中。不過，本發(fā)明不限于此，而是可以將多種狀態(tài)的多種沉積材料填充到坩堝151中。坩堝151可沿與第一宿主蒸發(fā)源110被布置的方向成一角度的方向線性延伸，SP，沿與第一蒸發(fā)源單元IlOa和第二蒸發(fā)源單元IlOb被布置的方向(例如X軸方向)相交的方向線性延伸。根據(jù)一個實(shí)施例，坩堝151的長度方向(例如Y軸方向)可垂直于第一蒸發(fā)源單元IlOa和第二蒸發(fā)源單元IlOb中的至少一個被布置的方向(例如X軸方向)。在一個實(shí)施例中，多個噴嘴152形成在坩堝151的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴152被布置的方向可與坩堝151的長度方向(例如Y軸方向)相同。在一個實(shí)施例中，噴嘴152被布置的方向可垂直于第一蒸發(fā)源單元110a、第二蒸發(fā)源單元110b、第三蒸發(fā)源單元130a以及第四蒸發(fā)源單元130b的噴嘴112、122、132和142被布置的方向。
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摻雜劑蒸發(fā)源150被置于第一蒸發(fā)源單元I IOa和第二蒸發(fā)源單元IlOb之間以及第三蒸發(fā)源單元130a和第四蒸發(fā)源單元130b之間，且以使摻雜劑材料可在第一宿主蒸發(fā)源110和第二宿主蒸發(fā)源130被布置的方向(例如X軸方向)上、以及在與第一宿主蒸發(fā)源單元IlOa和第二宿主蒸發(fā)源單元IlOb被布置(或第三蒸發(fā)源單元130a和第四蒸發(fā)源單元140b被布置)的方向(例如Y軸方向)垂直的方向上與第一宿主材料和第二宿主材料混合的方式蒸發(fā)摻雜劑材料。例如，第一蒸發(fā)源單元IlOa和第二蒸發(fā)源單元IlOb可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源150彼此對稱，并且/或者第三蒸發(fā)源單元130a和第四蒸發(fā)源單元130b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源150彼此對稱。當(dāng)填充到坩堝151中的摻雜劑材料被加熱時，摻雜劑材料通過噴嘴152移動到基板20。噴嘴152的形狀、尺寸和數(shù)量可基于基板20的尺寸、沉積材料的屬性以及沉積工藝的條件而改變。加熱單元117可繞坩堝151被布置。第一加熱單元117可包括例如正弦波或鋸齒形圖案的線圈，且線圈可被連接至一個或多個外部電源(未示出)。加熱單元117通過向坩堝151提供熱能而使填充到坩堝151中的摻雜劑材料蒸發(fā)。加熱單元117可被置于坩堝151的外周上，以環(huán)繞坩堝151。加熱單元117可被連接至外部電源。如上所述，在一個實(shí)施例中，分別蒸發(fā)第一宿主材料和第二宿主材料的第一宿主蒸發(fā)源Iio和第二宿主蒸發(fā)源130彼此平行布置，蒸發(fā)摻雜劑材料的摻雜劑蒸發(fā)源150被置于蒸發(fā)第一宿主材料的第一蒸發(fā)源單元IlOa和第二蒸發(fā)源單元IlOb之間以及蒸發(fā)第二宿主材料的第三蒸發(fā)源單元130a和第四蒸發(fā)源單元130b之間，從而增大了第一宿主材料、第二宿主材料以及摻雜劑材料的真空沉積區(qū)域，且實(shí)現(xiàn)了它們的均勻或基本均勻的真空沉積速率。如上所述，第一宿主材料、第二宿主材料以及摻雜劑材料的真空沉積區(qū)域和速率是均勻或基本均勻的，從而使有機(jī)發(fā)光器件的室溫壽命得以延長。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源200的平面圖。為了說明起見，下面描述圖4所示的沉積源200和以上所述并在圖3中示出的沉積源100之間的區(qū)別。參照圖4，沉積源200包括第一宿主蒸發(fā)源210、第二宿主蒸發(fā)源230以及摻雜劑蒸發(fā)源250。在一個實(shí)施例中，第一宿主蒸發(fā)源210包括第一蒸發(fā)源單元210a、第二蒸發(fā)源單元210b以及第一加熱單元213。第一蒸發(fā)源單元210a和第二蒸發(fā)源單元210b可分別包括其中包含有第一宿主材料的坩堝211和221以及第一加熱單元213。坩堝211和221可沿一個方向(例如X軸方向)線性延伸。多個噴嘴212和222形成在坩堝211和221的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴212和222可沿坩堝211和221的長度方向(例如X軸方向)被布置。第一加熱單元213可被置于坩堝211和221的外周上。在一個實(shí)施例中，兩個坩堝211和221由單個第一加熱單元213加熱，由此可將熱能均勻地或基本均勻地供給坩堝211 和 221。在一個實(shí)施例中，第二宿主蒸發(fā)源230包括第三蒸發(fā)源單元230a、第四蒸發(fā)源單元230b以及第二加熱單元215。 第三蒸發(fā)源單元230a和第四蒸發(fā)源單元230b可分別包括其中包含有第二宿主材料的坩堝231和241以及第二加熱單元215。坩堝231和241可沿一個方向(例如X軸方向)線性延伸。多個噴嘴232和242形成在坩堝231和241的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴232和242可沿坩堝231和241的長度方向(例如X軸方向)被布置。第二加熱單元215可被置于坩堝231和241的外周上。在一個實(shí)施例中，兩個坩堝231和241由單個第二加熱單元215加熱，由此可將熱能均勻地或基本均勻地供給坩堝231 和 241。圖4的沉積源200與圖3所示的沉積源100的不同之處在于摻雜劑蒸發(fā)源250。更為具體地，圖3中的沉積源100的摻雜劑蒸發(fā)源150是線性蒸發(fā)源，而圖4中的沉積源200的摻雜劑蒸發(fā)源250是點(diǎn)狀源。摻雜劑蒸發(fā)源250可包括第一點(diǎn)狀源250a和第二點(diǎn)狀源250b。第一點(diǎn)狀源250a可被置于第一蒸發(fā)源單元210a和第二蒸發(fā)源單元210b之間。第二點(diǎn)狀源250b可被置于第三蒸發(fā)源單元230a和第四蒸發(fā)源單元230b之間。第一蒸發(fā)源單元210a和第二蒸發(fā)源單元210b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源250彼此對稱，并且/或者第三蒸發(fā)源單元230a和第四蒸發(fā)源單元230b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源250彼此對稱。第一點(diǎn)狀源250a和第二點(diǎn)狀源250b可分別包括其中包含有相同的摻雜劑材料的坩堝261和271。噴嘴262和272形成在坩堝261和271各自的頂面，即面向基板20的表面中。第一加熱單元217可被置于第一點(diǎn)狀源250a的坩堝261的外周上。第二加熱單元218可被置于第二點(diǎn)狀源250b的坩堝271的外周上。第一加熱單元217向第一點(diǎn)狀源250a的坩堝261供應(yīng)熱能。第二加熱單元218向第二點(diǎn)狀源250b的坩堝271供應(yīng)熱能。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源300的平面圖。為了說明起見，下面描述圖5中的沉積源300和以上所述并在圖3中示出的沉積源100之間的區(qū)別。參照圖5，沉積源300包括第一宿主蒸發(fā)源310、第二宿主蒸發(fā)源330以及摻雜劑蒸發(fā)源350。圖5中的沉積源300與圖3中的沉積源100的不同之處在于第一宿主蒸發(fā)源310和第二宿主蒸發(fā)源330。更為具體地，圖3中的沉積源100的第一宿主蒸發(fā)源110通過利用第一加熱單元113來供應(yīng)第一蒸發(fā)源單元IlOa的坩堝111和第二蒸發(fā)源單元IlOb的坩堝121中的熱能，并且圖3中的沉積源100的第二宿主蒸發(fā)源130通過利用第二加熱單元115來供應(yīng)第三蒸發(fā)源單元130a的坩堝131和第四蒸發(fā)源單元130b的坩堝141中的熱能，而圖5中的沉積源300的第一宿主蒸發(fā)源310的第一蒸發(fā)源單元310a和第二蒸發(fā)源單元310b分別包括分立的加熱單元313和314，并且圖5中的沉積源300的第二宿主蒸發(fā)源330的第三蒸發(fā)源單元330a和第四蒸發(fā)源單元330b包括分立的加熱單元315和316。在一個實(shí)施例中，第一加熱單元313被置于第一蒸發(fā)源單元310a的坩堝311的外周上，且向坩堝311供應(yīng)熱能，并且與第一加熱單元313分立的第二加熱單元314被置于第二蒸發(fā)源單元310b的坩堝321的外周上，且向坩堝321供應(yīng)熱能。進(jìn)一步地，第三加熱單元315被置于第三蒸發(fā)源單元330a的坩堝331的外周上，且向坩堝331供應(yīng)熱能，并且與第三加熱單元315分立的第四加熱單元316被置于第四蒸發(fā)源單元330b的坩堝341的外周上，且向坩堝341供應(yīng)熱能。第一至第四加熱單元313、314、315和316可被連接至分立的電源。
如上所述，分立的第一至第四加熱單元313、314、315和316分別向第一至第四蒸發(fā)源單元310a、310b、330a和330b供應(yīng)熱能，從而單獨(dú)控制第一至第四蒸發(fā)源單元310a、310b、330a 和 330b 的溫度。第一宿主蒸發(fā)源310的坩堝311和321可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。多個噴嘴312和322分別形成在坩堝311和321的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴312和322可沿坩堝311和321的長度方向(例如X軸方向)被布置。在坩堝311和321中包含有第一宿主材料。第二宿主蒸發(fā)源330的坩堝331和341可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。多個噴嘴332和342分別形成在坩堝331和341的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴332和342可沿坩堝331和341的長度方向(例如X軸方向)被布置。在一個實(shí)施例中，第一蒸發(fā)源單元310a和第二蒸發(fā)源單元310b被布置的方向平行于第三蒸發(fā)源單元330a和第四蒸發(fā)源單元330b被布置的方向。圖5中的沉積源300的摻雜劑蒸發(fā)源350可與圖3中的沉積源100的摻雜劑蒸發(fā)源150相同。在一個實(shí)施例中，摻雜劑蒸發(fā)源350為線性沉積源，且被置于第一蒸發(fā)源單元310a和第二蒸發(fā)源單元310b之間以及第三蒸發(fā)源單元330a和第四蒸發(fā)源單元330b之間。第一蒸發(fā)源單元310a和第二蒸發(fā)源單元310b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源350彼此對稱，并且/或者第三蒸發(fā)源單元330a和第四蒸發(fā)源單元330b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源350彼此對稱。在一個實(shí)施例中，多個噴嘴352形成在摻雜劑蒸發(fā)源350的坩堝351的頂面中。噴嘴352被布置的方向可與坩堝351的長度方向(例如Y軸方向)相同。在一個實(shí)施例中，噴嘴352被布置的方向可垂直于第一宿主蒸發(fā)源310和第二宿主蒸發(fā)源330的噴嘴312、322、332和342被布置的方向。加熱單元318可繞坩堝351被布置。加熱單元318通過向坩堝351提供熱能而使填充到坩堝351中的摻雜劑材料蒸發(fā)。加熱單元318可被置于坩堝351的外周上以環(huán)繞坩堝351，且可被連接至外部電源。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的沉積源400的平面圖。為了說明起見，下面描述圖6所示的沉積源400和以上所述并在圖4中示出的沉積源200之間的區(qū)別。參照圖6，沉積源400包括第一宿主蒸發(fā)源410、第二宿主蒸發(fā)源430以及摻雜劑蒸發(fā)源450。
圖6中的沉積源400與圖4中的沉積源200的不同之處在于第一宿主蒸發(fā)源410和第二宿主蒸發(fā)源430。更為具體地，圖4中的沉積源200的第一宿主蒸發(fā)源210通過利用第一加熱單元213來供應(yīng)第一蒸發(fā)源單元210a的坩堝211和第二蒸發(fā)源單元210b的坩堝221中的熱能，并且圖4中的沉積源200的第二宿主蒸發(fā)源230通過利用第二加熱單元215來供應(yīng)第三蒸發(fā)源單元230a的坩堝231和第四蒸發(fā)源單元230b的坩堝241中的熱能，而圖6中的沉積源400的第一宿主蒸發(fā)源410的第一蒸發(fā)源單元410a和第二蒸發(fā)源單元410b分別包括分立的加熱單元413和414，并且圖6中的沉積源400的第二宿主蒸發(fā)源430的第三蒸發(fā)源單元430a和第四蒸發(fā)源單元430b包括分立的加熱單元415和416。
在一個實(shí)施例中，第一加熱單元413被置于第一蒸發(fā)源單元410a的坩堝411的外周上，且向坩堝411供應(yīng)熱能，并且與第一加熱單元413分立的第二加熱單元414被置于第二蒸發(fā)源單元410b的坩堝421的外周上，且向坩堝421供應(yīng)熱能。進(jìn)一步地，第三加熱單元415被置于第三蒸發(fā)源單元430a的坩堝431的外周上，且向坩堝431供應(yīng)熱能，并且與第三加熱單元415分立的第四加熱單元416被置于第四蒸發(fā)源單元430b的坩堝441的外周上，且向坩堝441供應(yīng)熱能。第一至第四加熱單元413、414、415和416可被連接至分立的電源。如上所述，分立的第一至第四加熱單元413、414、415和416分別向第一至第四蒸發(fā)源單元410a、410b、430a和430b供應(yīng)熱能，從而單獨(dú)控制第一至第四蒸發(fā)源單元410a、410b,430a 和 430b 的溫度。第一宿主蒸發(fā)源410的坩堝411和421可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。多個噴嘴412和422分別形成在坩堝411和421的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴412和422可沿坩堝411和421的長度方向(例如X軸方向)被布置。在坩堝411和421中包含有第一宿主材料。第二宿主蒸發(fā)源430的坩堝431和441可沿一個方向(例如沿X軸方向)線性延伸。多個噴嘴432和442分別形成在坩堝431和441的頂面，即面向基板20的表面中。噴嘴432和442可沿坩堝431和441的長度方向(例如X軸方向)被布置。在一個實(shí)施例中，第一蒸發(fā)源單元410a和第二蒸發(fā)源單元410b被布置的方向平行于第三蒸發(fā)源單元430a和第四蒸發(fā)源單元430b被布置的方向。圖6中的沉積源400的摻雜劑蒸發(fā)源450可與圖4中的沉積源200的摻雜劑蒸發(fā)源250相同。即，摻雜劑蒸發(fā)源450可為點(diǎn)狀源。摻雜劑蒸發(fā)源450可包括第一點(diǎn)狀源450a和第二點(diǎn)狀源450b。第一點(diǎn)狀源450a可被置于第一蒸發(fā)源單元410a和第二蒸發(fā)源單元410b之間。第二點(diǎn)狀源450b可被置于第三蒸發(fā)源單元430a和第四蒸發(fā)源單元430b之間。第一蒸發(fā)源單元410a和第二蒸發(fā)源單元410b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源450彼此對稱，并且/或者第三蒸發(fā)源單元430a和第四蒸發(fā)源單元430b可以關(guān)于摻雜劑蒸發(fā)源450彼此對稱。第一點(diǎn)狀源450a和第二點(diǎn)狀源450b可分別包括其中包含有相同的摻雜劑材料的坩堝461和471。噴嘴462和472形成在坩堝461和471各自的頂面，即面向基板20的表面中。第一加熱單元417可被置于第一點(diǎn)狀源450a的坩堝461的外周上。第二加熱單元418可被置于第二點(diǎn)狀源450b的坩堝471的外周上。第一加熱單元417向第一點(diǎn)狀源450a的坩堝461供應(yīng)熱能。第二加熱單元418向第二點(diǎn)狀源450b的坩堝471供應(yīng)熱能。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例,對宿主材料和摻雜劑材料均勻或基本均勻地執(zhí)行真空沉積，從而延長了有機(jī)發(fā)光器件的室溫壽命，并改善了其發(fā)射效率。盡管參照本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員會理解，可以在不超出所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種沉積源,包括 摻雜劑蒸發(fā)源； 第一宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的一側(cè)的第一蒸發(fā)源單元和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的另一側(cè)的第二蒸發(fā)源單元；以及 第二宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述一側(cè)且與所述第一蒸發(fā)源單元平行布置的第三蒸發(fā)源單元，和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述另一側(cè)且與所述第二蒸發(fā)源單元平行布置的第四蒸發(fā)源單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述摻雜劑蒸發(fā)源包括線性蒸發(fā)源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積源，其中所述線性蒸發(fā)源的多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向彼此交叉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積源，其中所述線性蒸發(fā)源的所述多個噴嘴被布置的方向與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向彼此垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述摻雜劑蒸發(fā)源包括點(diǎn)狀源。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述摻雜劑蒸發(fā)源包括 位于所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元之間的第一點(diǎn)狀源；以及 位于所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元之間的第二點(diǎn)狀源。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元包括線性蒸發(fā)源。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積源，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元中的每一個均包括沿與所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元中的每一個均包括沿與所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元被布置的方向相同的方向而布置的多個噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元被布置的方向與所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元被布置的方向彼此平行。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元具有相同的尺寸和形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元具有相同的尺寸和形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一宿主蒸發(fā)源進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第一蒸發(fā)源單元的第一坩堝和所述第二蒸發(fā)源單元的第二坩堝的第一加熱單元，所述第一加熱單元被配置為對所述第一坩堝和所述第二坩堝進(jìn)行加熱。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其中所述第二宿主蒸發(fā)源進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第三蒸發(fā)源單元的第三坩堝和所述第四蒸發(fā)源單元的第四坩堝的第二加熱單元，所述第二加熱單元被配置為對所述第三坩堝和所述第四坩堝進(jìn)行加熱。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一宿主蒸發(fā)源進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第一蒸發(fā)源單元的第一坩堝且被配置為對所述第一坩堝進(jìn)行加熱的第一加熱單元，和環(huán)繞所述第二蒸發(fā)源單元的第二坩堝且被配置為對所述第二坩堝進(jìn)行加熱的第二加熱單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的沉積源，其中所述第二宿主蒸發(fā)源進(jìn)一步包括環(huán)繞所述第三蒸發(fā)源單元的第三坩堝且被配置為對所述第三坩堝進(jìn)行加熱的第三加熱單元，和環(huán)繞所述第四蒸發(fā)源單元的第四坩堝且被配置為對所述第四坩堝進(jìn)行加熱的第四加熱單元。
19.一種沉積設(shè)備，包括室和用于將沉積材料沉積到被傳送至所述室內(nèi)的沉積目標(biāo)材料上的沉積源，其中所述沉積源包括 摻雜劑蒸發(fā)源； 第一宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的一側(cè)的第一蒸發(fā)源單元和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的另一側(cè)的第二蒸發(fā)源單元；以及 第二宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述一側(cè)且與所述第一蒸發(fā)源單元平行布置的第三蒸發(fā)源單元，和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述另一側(cè)且與所述第二蒸發(fā)源單元平行布置的第四蒸發(fā)源單元。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，其中所述摻雜劑蒸發(fā)源包括線性蒸發(fā)源。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，其中所述摻雜劑蒸發(fā)源包括 位于所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元之間的第一點(diǎn)狀源；以及 位于所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元之間的第二點(diǎn)狀源。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱，并且所述第三蒸發(fā)源單元和所述第四蒸發(fā)源單元關(guān)于所述摻雜劑蒸發(fā)源彼此對稱。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，其中所述第一蒸發(fā)源單元和所述第二蒸發(fā)源單元包括線性蒸發(fā)源。
全文摘要
本發(fā)明提供一種沉積源及包括這種沉積源的沉積設(shè)備。所述沉積源包括摻雜劑蒸發(fā)源；第一宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的一側(cè)的第一蒸發(fā)源單元和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的另一側(cè)的第二蒸發(fā)源單元；以及第二宿主蒸發(fā)源，包括位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述一側(cè)且與所述第一蒸發(fā)源單元平行布置的第三蒸發(fā)源單元，和位于所述摻雜劑蒸發(fā)源的所述另一側(cè)且與所述第二蒸發(fā)源單元平行布置的第四蒸發(fā)源單元。
文檔編號C23C14/24GK102888589SQ20121010939
公開日2013年1月23日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者李鐘禹, 曹永秀 申請人:三星顯示有限公司