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鍍膜室及其形成方法

文檔序號:3255926閱讀:242來源:國知局
專利名稱:鍍膜室及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁控濺射成膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種鍍膜室及其形成方法。
背景技術(shù)
磁控濺射法是在高真空條件下充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極 (鍍膜室壁)之間施加幾百千伏的直流電壓,在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電,使氬氣發(fā)生電離。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面,將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間,便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點。目前, 磁控濺射法已經(jīng)普遍應(yīng)用在工業(yè)生產(chǎn)中,例如制備銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池的過程中薄膜的沉積一般需要采用磁控濺射法。目前市場上的鍍膜設(shè)備一律采用大體積、大腔體的鍍膜室。鍍膜室腔體間各模塊之間的接縫一律采用電焊或氬弧焊進(jìn)行焊接。方體鍍膜室的一個面為一個模塊,模塊較多, 現(xiàn)有技術(shù)中先將大板鋼板按照鍍膜室所要求的規(guī)格進(jìn)行切割,然后采用電弧焊或氬弧焊將拼合起來的板塊進(jìn)行焊接,圖1是現(xiàn)有技術(shù)的鍍膜室部分焊接結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,第一鋼板1和第二鋼板2分別為切割好的鋼板,其分別作為鍍膜室的不同的面,第一鋼板1和第二鋼板2直接具有焊縫3,現(xiàn)有技術(shù)中焊縫3采用電弧焊或氬弧焊將第一鋼板1和第二鋼板2拼合起來,圖1僅示出兩個鋼板的焊接結(jié)構(gòu)示意圖,實際中一個鍍膜室中需要多個鋼板采用多個焊縫焊接在一起而形成,不再贅述。多個焊接在一起的鋼板共同圍成鍍膜室腔體的空間。之后,對焊接好的鍍膜室使用拋光機對焊接處進(jìn)行打磨拋光,拋光后,再使用找漏設(shè)備進(jìn)行找漏或人工進(jìn)行找漏。圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)的鍍膜室的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,現(xiàn)有技術(shù)將銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池片生產(chǎn)線中的鍍膜室腔體的空間設(shè)計的相當(dāng)大, 因鍍膜室外殼采用焊接法,增加了漏氣源,降低了真空度。并且由于焊接只能保證鍍膜室板塊之間粘結(jié)的牢固性,并不能徹底杜絕漏氣現(xiàn)象,而鍍膜室真空度的要求是相當(dāng)高的,只要外界進(jìn)入極少量的空氣,就會對鍍膜室的真空度產(chǎn)生較大影響?,F(xiàn)有鍍膜室設(shè)備體積大,占用生產(chǎn)車間的空間較大,降低了車間的利用率。由于鍍膜室腔體大,造成抽氣時間長,生產(chǎn)效率低和產(chǎn)量小,抽氣往往要花費數(shù)個小時甚至一天的時間,不能及時投入生產(chǎn),大大降低了生產(chǎn)效率和產(chǎn)量。另外,由于設(shè)備體積大,相關(guān)儀器設(shè)備不夠精密,特別容易出現(xiàn)問題,少則三五天,多則一個星期就要小修一次;少則幾個星期,多則一個月就要大修次,維修次數(shù)多,不但需要人工量大,而且維修需要更換若干次機器零部件,維修成本相當(dāng)大。同時真空抽氣時間長,需要耗費大量的電能和用油。由于漏氣源增加真空度降低,勢必會影響產(chǎn)品的質(zhì)量,比如說膜層成分不純,透光率達(dá)不到要求,平整度、均勻性不夠等而影響了產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。傳統(tǒng)設(shè)備采用氬弧焊和電弧焊進(jìn)行焊接,這兩種焊接技術(shù)存在如下弊端氬弧焊工作效率低;電弧焊有藥皮,焊接產(chǎn)生的殘渣較多;兩種焊接方式都存在精確度低、滲透性不強的弊端;電弧焊和氬弧焊入熱量無法控制,容易造成鋼板板材變形,導(dǎo)致設(shè)備間對接不平衡;這兩種焊接在空間距離及障礙物間無法自由調(diào)節(jié),具有不靈活性等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種鍍膜室及其形成方法,其可以減少鍍膜室的空間,減小漏氣的風(fēng)險,節(jié)省成本,提高產(chǎn)能。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案具體是這樣實現(xiàn)的
一方面,本發(fā)明提供了一種鍍膜室,包括鍍膜室側(cè)壁及由鍍膜室側(cè)壁所圍成的鍍膜室腔體,其中,所述鍍膜室側(cè)壁由整體的一塊材料經(jīng)彎折并對唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接而形成。優(yōu)選地,所述鍍膜室側(cè)壁的材料為鋼板。優(yōu)選地,采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和彎折度對所述鋼板進(jìn)行彎折。優(yōu)選地,所述鍍膜室的高度為1. 5米,所述鍍膜室腔體的高度為0. 5米,所述鍍膜室的長度為6米。另一方面,本發(fā)明提供一種鍍膜室的形成方法,其包括步驟
a.提供一塊整體的材料;
b.對該塊整體的材料進(jìn)行彎折處理;
c.對彎折后形成的唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接,圍成鍍膜室腔體。優(yōu)選地,所述整體的材料為鋼板。優(yōu)選地,步驟b中采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和折彎度對所述鋼板進(jìn)行折彎。優(yōu)選地,所述鍍膜室的高度為1. 5米,所述鍍膜室腔體的高度為0. 5米,所述鍍膜室的長度為6米。優(yōu)選地,在步驟c之后還包括步驟d:對所述鍍膜室進(jìn)行找漏。采用本發(fā)明的鍍膜室及其形成方法,可以減少鍍膜室的空間,減小漏氣的風(fēng)險,節(jié)省成本,提高產(chǎn)能。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的鍍膜室部分焊接結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的鍍膜室的剖面結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室側(cè)壁部分彎折處的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖4是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的剖面結(jié)構(gòu)示意圖; 圖5是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的形成方法流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明,使本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖,重點在于示出本發(fā)明的主旨。下面結(jié)合圖3至圖5對本發(fā)明的鍍膜室及其形成方法的具體實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的鍍膜室,包括鍍膜室側(cè)壁10及由鍍膜室側(cè)壁10所圍成的鍍膜室腔體,其中,鍍膜室側(cè)壁10由整體的一塊材料經(jīng)彎折并對唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接而形成。圖3是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室側(cè)壁部分彎折處的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖3所示,鍍膜室側(cè)壁10為整體的一塊材料,其沿彎折處20彎折后圍成鍍膜室腔體,彎折后,邊緣處僅存在唯一的一個焊縫,對其進(jìn)行激光焊接而形成封閉的鍍膜室腔體。圖3僅示出部分彎折處的結(jié)構(gòu)示意圖,而本發(fā)明中存在多處彎折處20,根據(jù)不同的鍍膜室腔體的形狀可以有多種不同的彎折處20。本發(fā)明的鍍膜室,優(yōu)選地,鍍膜室側(cè)壁10的材料為鋼板,采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和彎折度對鋼板進(jìn)行彎折??紤]到實際生產(chǎn)的需要,鍍膜室的空間尺寸可以采用如下鍍膜室的高度為1. 5米,鍍膜室腔體的高度為0. 5米,鍍膜室的長度為6米,以應(yīng)用于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池片生產(chǎn)線中,圖4是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖4所示,其空間比現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜室空間減小很多。但本發(fā)明并不僅限于此,鍍膜室的實際尺寸可根據(jù)實際生產(chǎn)需求作彈性調(diào)節(jié)。本發(fā)明的鍍膜室不僅可以應(yīng)用于生產(chǎn)銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池中,還可以應(yīng)用在生產(chǎn)其他多種薄膜材料的設(shè)備中。圖5是本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的形成方法流程圖,本發(fā)明的鍍膜室的形成方法,其包括步驟
a.提供一塊整體的材料;
b.對該塊整體的材料進(jìn)行彎折處理;
c.對彎折后形成的唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接,圍成鍍膜室腔體。同樣,本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的形成方法中,多采用的整體的材料為鋼板。另外,步驟b中采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和折彎度對鋼板進(jìn)行折彎。考慮到實際生產(chǎn)需要,鍍膜室的空間尺寸可以采用如下鍍膜室的高度為1. 5米,鍍膜室腔體的高度為0. 5 米,鍍膜室的長度為6米。但本發(fā)明并不僅限于此,鍍膜室的實際尺寸可根據(jù)實際生產(chǎn)需求作彈性調(diào)節(jié)。本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的形成方法中,優(yōu)選地,在步驟c之后還包括步驟d: 對所述鍍膜室進(jìn)行找漏。本發(fā)明具體實施例的鍍膜室的形成方法中,步驟a可以先用切割機切割滿足需要的特定規(guī)格的鋼板以備用,但為了保持鍍膜室應(yīng)有的強度和支撐力,其外殼尺寸也可以保持與現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜室相同的標(biāo)準(zhǔn)。本發(fā)明的鍍膜室側(cè)壁的因由彎折的鋼板一體形成,杜絕了漏氣源,使得鍍膜室的真空度保持穩(wěn)定。本發(fā)明中的接縫處采用激光焊接,使得接縫處平整性、均勻性、相容性及密封性都達(dá)到了相當(dāng)高的水平,從根本上杜絕了漏氣的可能性。本發(fā)明的鍍膜室體積小,節(jié)省了生產(chǎn)車間的空間,提升了車間的利用率,增強了車間的整體功用。由于本發(fā)明鍍膜室腔體空間小巧緊湊,抽真空時間縮短,提高了生產(chǎn)效率,增加了產(chǎn)量,原來抽氣往往要花費數(shù)個小時甚至一天的時間,而現(xiàn)在只需花費十幾分鐘的時間就能將真空度提升至規(guī)定的工藝標(biāo)準(zhǔn),大大節(jié)約了抽真空的時間,一旦生產(chǎn)任務(wù)下達(dá)時,就能立即投入生產(chǎn),大大提高了生產(chǎn)效率和增加了生產(chǎn)線的產(chǎn)能,同時,也能及時兌現(xiàn)公司對客戶承諾的交貨期,增強了公司在客戶心目中的良好形象。同時,鍍膜室變得精制小巧后,出現(xiàn)問題的概率也會降低,維修次數(shù)少了,不但需要人工量減少了,而且節(jié)省了若干機器零部件,節(jié)省了一筆相當(dāng)可觀的維修成本以及工作中所需的水電油的成本,由于漏氣源減少,真空度增加并能保持穩(wěn)定,勢必會提升產(chǎn)品的質(zhì)量。例如當(dāng)鍍膜設(shè)備用于制作銅銦鎵硒薄膜時,膜層成分純度提高,透光率、平整度、均勻性都能完全達(dá)到工藝要求,提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。本發(fā)明采用激光焊接技術(shù),激光焊接具有如下的優(yōu)點(1)可將入熱量降到最低的需要量,熱影響區(qū)金相變化范圍小,且因熱傳導(dǎo)所導(dǎo)致的變形亦最低;(2) 32mm板厚單道焊接的焊接工藝參數(shù)業(yè)經(jīng)檢定合格,可降低厚板焊接所需的時間甚至可省掉填料金屬的使用;(3)不需使用電極,沒有電極污染或受損的顧慮。且因不屬于接觸式焊接制程,機具的耗損及變形皆口降至最低;(4)激光束易于聚焦、對準(zhǔn)及受光學(xué)儀器所導(dǎo)引,可放置在離工件適當(dāng)之距離,且可在工件周圍的機具或障礙間再導(dǎo)引,其他焊接法則因受到上述的空間限制而無法發(fā)揮;(5)工件可放置在封閉的空間(經(jīng)抽真空或內(nèi)部氣體環(huán)境在控制下);(6) 激光束可聚焦在很小的區(qū)域,可焊接小型且間隔相近的部件;(7)可焊材質(zhì)種類范圍大,亦可相互接合各種異質(zhì)材料;(8)易于以自動化進(jìn)行高速焊接,亦可以數(shù)位或電腦控制;(9) 焊接薄材或細(xì)徑線材時,不會像電弧焊接般易有回熔的困擾;(10)不受磁場所影響(電弧焊接及電子束焊接則容易),能精確的對準(zhǔn)焊件;(11)可焊接不同物性(如不同電阻)的兩種金屬;(12)不需真空,亦不需做X射線防護(hù);(13)若以穿孔式焊接,焊道深一寬比可達(dá) 10:1 ;(14)可以切換裝置將激光束傳送至多個工作站。采用本發(fā)明的鍍膜室及其形成方法,可以減少鍍膜室的空間,減小漏氣的風(fēng)險,節(jié)省成本,提高產(chǎn)能。在以上的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是以上描述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施,因此本發(fā)明不受上面公開的具體實施的限制。同時任何熟悉本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實施例。凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜室,包括鍍膜室側(cè)壁及由鍍膜室側(cè)壁所圍成的鍍膜室腔體,其特征在于,所述鍍膜室側(cè)壁由整體的一塊材料經(jīng)彎折并對唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接而形成。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜室,其特征在于,所述鍍膜室側(cè)壁的材料為鋼板。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜室,其特征在于,采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和彎折度對所述鋼板進(jìn)行彎折。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜室,其特征在于,所述鍍膜室的高度為1.5米,所述鍍膜室腔體的高度為0. 5米,所述鍍膜室的長度為6米。
5.一種鍍膜室的形成方法,其特征在于,包括步驟a.提供一塊整體的材料;b.對該塊整體的材料進(jìn)行彎折處理;c.對彎折后形成的唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接,圍成鍍膜室腔體。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜室的形成方法,其特征在于,所述整體的材料為鋼板。
7.如權(quán)利要求5所述的鍍膜室的形成方法,其特征在于,步驟b中采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和折彎度對所述鋼板進(jìn)行折彎。
8.如權(quán)利要求5所述的鍍膜室的形成方法,其特征在于,所述鍍膜室的高度為1.5米, 所述鍍膜室腔體的高度為0. 5米,所述鍍膜室的長度為6米。
9.如權(quán)利要求5所述的鍍膜室的形成方法,其特征在于,在步驟c之后還包括步驟d: 對所述鍍膜室進(jìn)行找漏。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種鍍膜室,包括鍍膜室側(cè)壁及由鍍膜室側(cè)壁所圍成的鍍膜室腔體,其中,所述鍍膜室側(cè)壁由整體的一塊材料經(jīng)彎折并對唯一的焊縫進(jìn)行激光焊接而形成。本發(fā)明另外提供一種鍍膜室的形成方法,采用本發(fā)明的鍍膜室及其形成方法,可以減少鍍膜室的空間,減小漏氣的風(fēng)險,節(jié)省成本,提高產(chǎn)能。
文檔編號C23C14/34GK102560385SQ201210052400
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月2日
發(fā)明者王進(jìn)東 申請人:江蘇宇天港玻新材料有限公司
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