專利名稱：一種反應(yīng)腔室以及應(yīng)用該反應(yīng)腔室的等離子體加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室及應(yīng)用該反應(yīng)腔室的等離子體加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化 學(xué)氣相淀積(MetalOrganic Chemical VaporDeposition,以下簡稱M0CVD)技術(shù)是使有機(jī)金屬原料氣體、氫化氣體或鹵化氣體熱分解而獲得薄膜的技術(shù)因其具有鍍膜成分易控、鍍膜均勻致密以及附著力優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛用于制備各種薄膜圖1為現(xiàn)有的一種MOCVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡圖。請參閱圖1，MOCVD設(shè)備包括反應(yīng)腔室I，反應(yīng)腔室I包括外腔室10以及設(shè)置在外腔室10內(nèi)部的內(nèi)腔室11，內(nèi)腔室11的外徑小于外腔室10的內(nèi)徑，從而在外腔室10與內(nèi)腔室11之間形成可供氣體流動(dòng)的氣體通道13，氣體通道13與位于外腔室10底部的排氣通道14連通。用于輸送工藝氣體的進(jìn)氣通道16自反應(yīng)腔室I的頂部伸入內(nèi)腔室11內(nèi)，并在進(jìn)氣通道16上設(shè)有用于承載基片等被加工工件18的多個(gè)托盤15，多個(gè)托盤15沿進(jìn)氣通道16的長度方向間隔設(shè)置且與進(jìn)氣通道16垂直。在進(jìn)氣管道16上緊靠托盤15的上表面的位置處設(shè)有進(jìn)氣口 17，工藝氣體通過進(jìn)氣口17進(jìn)入內(nèi)腔室11內(nèi)。在內(nèi)腔室11的室壁上設(shè)有多個(gè)排氣口 12，參與反應(yīng)后的工藝氣體自排氣口 12排出內(nèi)腔室11，然后通過氣體通道13匯聚至排氣通道14排出。在實(shí)際使用過程中，由于排氣孔12的大小固定，無法借助排氣孔12對被加工工件18的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，這使得現(xiàn)有的MOCVD設(shè)備對工藝參數(shù)的可調(diào)性差。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室以及應(yīng)用該反應(yīng)腔室的等離子體加工設(shè)備，其排氣口的大小可以調(diào)節(jié)，從而可以協(xié)助調(diào)節(jié)內(nèi)腔室的溫度分布，進(jìn)而可以提高等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種反應(yīng)腔室，包括外腔室、內(nèi)腔室以及氣體輸送管，所述內(nèi)腔室設(shè)置在所述外腔室內(nèi)，且在所述內(nèi)腔室和所述外腔室之間形成有氣體通道，所述氣體通道與外腔室的排氣通道連通，所述氣體輸送管設(shè)置在所述內(nèi)腔室內(nèi)，在所述氣體輸送管上設(shè)有向所述內(nèi)腔室輸送工藝氣體的進(jìn)氣口，在所述內(nèi)腔室的室壁上設(shè)有排氣口，其中，在所述排氣口位置設(shè)有用于調(diào)節(jié)所述排氣口大小的排氣口調(diào)節(jié)單元。其中，所述排氣口調(diào)節(jié)單元包括遮擋板和驅(qū)動(dòng)裝置，所述遮擋板緊貼所述內(nèi)腔室的室壁設(shè)置且位于所述排氣口位置，所述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述遮擋板移動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述遮擋板遮擋所述排氣口的大小。其中，所述內(nèi)腔室為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述遮擋板為圓環(huán)，所述驅(qū)動(dòng)裝置為直線電機(jī)，所述直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述遮擋板在所述內(nèi)腔室的軸向方向上運(yùn)動(dòng)。其中，所述內(nèi)腔室為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述遮擋板為圓環(huán)，在所述遮擋板上設(shè)有與所述排氣口尺寸相同的通孔，所述驅(qū)動(dòng)裝置為旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述遮擋板繞所述內(nèi)腔室的中心轉(zhuǎn)動(dòng)，從而調(diào)節(jié)所述通孔與所述排氣口的重合度。其中，在所述內(nèi)腔室的軸向方向上設(shè)有多排所述排氣口，而且遮擋板的數(shù)量與所述排氣口的排數(shù)對應(yīng)，多個(gè)所述遮擋板通過連接板連接在一起，所述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)遮擋板移動(dòng)。其中，所述遮擋板的厚度為I 2mm。其中，在所述內(nèi)腔室內(nèi)設(shè)有多個(gè)用于承載被加工工件的托盤，多個(gè)所述托盤在所述氣體輸送管的長度方向間隔設(shè)置且與所述氣體輸送管垂直，在所述氣體輸送管上設(shè)有與所述托盤數(shù)量對應(yīng)的進(jìn)氣口，在所述內(nèi)腔室的室壁上設(shè)有與所述托盤數(shù)量對應(yīng)的排氣口。優(yōu)選地，在所述內(nèi)腔室的軸向方向上，所述進(jìn)氣口高于所述托盤的上表面，所述排氣口低于所述托盤的下表面。其中，在所述外腔室的外側(cè)設(shè)有用于加熱所述外腔室內(nèi)部的感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈與交流電源連接。本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室、中央進(jìn)氣系統(tǒng)及排氣系統(tǒng)，其中，所述反應(yīng)腔室采用了本發(fā)明提供的上述反應(yīng)腔室，所述中央進(jìn)氣系統(tǒng)與所述氣體輸送管連接，所述排氣系統(tǒng)與所述外腔室的排氣口連接。本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，其通過在緊貼內(nèi)腔室的排氣口的位置設(shè)置排氣口調(diào)節(jié)單元，能夠調(diào)節(jié)排氣口的大小，從而調(diào)節(jié)了反應(yīng)腔室的熱損耗速率，進(jìn)而改變了反應(yīng)腔室的溫度分布，這實(shí)現(xiàn)了等離子體加工設(shè)備借助調(diào)節(jié)排氣口的大小來協(xié)助調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度分布的調(diào)節(jié)方式，進(jìn)而提高 了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，能夠借助調(diào)節(jié)排氣口的大小來協(xié)助調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度分布的調(diào)節(jié)方式，進(jìn)而提高了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。


圖1為現(xiàn)有的一種MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)簡圖；圖2a為本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)簡圖；圖2b為本發(fā)明第一實(shí)施例遮擋板的示意圖；圖2c為本發(fā)明多個(gè)遮擋板的連接示意圖；圖2d為排氣口處于全開狀態(tài)的局部示意圖；圖2e為排氣口處于關(guān)閉狀態(tài)的局部示意圖；圖3a為本發(fā)明第二實(shí)施例遮擋板的示意圖；以及圖3b為本發(fā)明第二實(shí)施例多個(gè)遮擋板的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室以及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)闡明。實(shí)施例一圖2a為本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)簡圖。請參閱圖2a，反應(yīng)腔室2包括圓筒形結(jié)構(gòu)的外腔室20和內(nèi)腔室21以及氣體輸送管28，其中，在外腔室20的外側(cè)設(shè)有感應(yīng)線圈29，其與交流電源(圖中未示出)連接，用以對外腔室20的內(nèi)部進(jìn)行加熱；內(nèi)腔室21設(shè)置在外腔室20內(nèi)，從而在內(nèi)腔室21和外腔室20之間形成有可供氣體流動(dòng)的氣體通道23，氣體通道23與設(shè)置于外腔室20底部的排氣通道201連通，用以使氣體通道23中的氣體匯聚至排氣通道201排出；在內(nèi)腔室21的室壁上且沿內(nèi)腔室21的軸向方向設(shè)有三排排氣口211，且每一排排氣口 211在內(nèi)腔室21的圓周方向上均勻分布，以將內(nèi)腔室21的氣體均勻排出；氣體輸送管28自反應(yīng)腔室2的頂部沿內(nèi)腔室21的軸線方向伸入內(nèi)腔室21內(nèi)，在氣體輸送管28上且沿其長度方向間隔設(shè)置有三層進(jìn)氣口 281，用于向內(nèi)腔室21內(nèi)輸送工藝氣體；并且，在內(nèi)腔室21中還設(shè)有用以承載被加工工件26的三個(gè)托盤27，三個(gè)托盤27沿氣體輸送管28的長度方向間隔設(shè)置在氣體輸送管28上,且與氣體輸送管28垂直。并且，設(shè)置在氣體輸送管28上的進(jìn)氣口 281的層數(shù)以及設(shè)置在內(nèi)腔室21的室壁上的排氣口 211的排數(shù)均與托盤27的數(shù)量對應(yīng)。作為本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案，進(jìn)氣口 281在氣體輸送管28上的位置緊靠相應(yīng)的托盤27的上表面，并且排氣口 211在內(nèi)腔室21的室壁上的位置緊靠相應(yīng)的托盤27的下表面。通過將進(jìn)氣口 281設(shè)置在緊靠相應(yīng)的托盤27的上表面的位置處，可以使工藝氣體沿托盤27的上表面向內(nèi)腔室21的四周擴(kuò)散，從而增加了參與反應(yīng)的工藝氣體的密度，進(jìn)而提高了工藝氣體的利用率，縮短了工藝時(shí)間，提高了工藝效率；通過將排氣口 211設(shè)置在緊靠相應(yīng)的托盤27的下表面，可以防止未反應(yīng)的工藝氣體直接自排氣口211排出內(nèi)腔室21，從而減少了工藝氣體的浪費(fèi)，進(jìn)而降低了生產(chǎn)成本。需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中并不局限于此，只要進(jìn)氣口 281在內(nèi)腔室21的軸向方向上高于相應(yīng)的托盤27的上表面，并且排氣口 211在內(nèi)腔室21的軸向方向上低于托盤27的下表面，均能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。還需要說明的是，在本實(shí)施例中，在內(nèi)腔室21內(nèi)沿內(nèi)腔室21的軸向方向設(shè)有三個(gè)托盤27。但在實(shí)際應(yīng)用中托盤27的數(shù)量并不局限于此，托盤27的數(shù)量還可以為一個(gè)、兩個(gè)以及四個(gè)以上，并且設(shè)置在氣體輸送管28上的進(jìn)氣口 281的層數(shù)以及設(shè)置在內(nèi)腔室21的室壁上的排氣口 211的排數(shù)均與托盤27的數(shù)量對應(yīng)。圖2b為本發(fā)明第一實(shí)施例遮擋板的示意圖。圖2c為本發(fā)明多個(gè)遮擋板的連接示意圖。請一并參閱圖2b和圖2c，在本實(shí)施例中，反應(yīng)腔室2還包括用于調(diào)節(jié)排氣口 211的大小的排氣口調(diào)節(jié)單元，排氣口調(diào)節(jié)單元包括遮擋板24和用以驅(qū)動(dòng)遮擋板24運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置(圖中未示出)，其中，遮擋板24為一圓環(huán)，其厚度為I 2mm，并且遮擋板24的高度不小于排氣口 211的大小，從而使遮擋板24可以完全遮擋排氣口 211。在本實(shí)施例中，在內(nèi)腔室21的室壁上且沿其軸向方向設(shè)有三排排氣口 211，對應(yīng)的，在內(nèi)腔室21內(nèi)沿內(nèi)腔室21的軸向間隔設(shè)有三個(gè)遮擋板24，并且，在相鄰的兩個(gè)遮擋板24之間還設(shè)有多個(gè)連接板25，用以將三個(gè)遮擋板24連接在一起，從而使三個(gè)遮擋板24同時(shí)動(dòng)作。如圖2a所示，每個(gè)遮擋板24緊貼內(nèi)腔室21的室壁設(shè)置且位于對應(yīng)的排氣口 211的位置，并且相鄰的兩個(gè)遮擋板24之間的間距與相鄰兩排排氣口 211的間距相等，從而可以均勻地調(diào)節(jié)排氣口 211的大小。可以理解，遮擋板24的數(shù)量與設(shè)置在內(nèi)腔室21上的排氣口 211的排數(shù)相等即可實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)排氣口大小的目的。
在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)裝置為直線電機(jī)，用以驅(qū)動(dòng)三個(gè)遮擋板24沿內(nèi)腔室21的軸線同時(shí)作直線升降運(yùn)動(dòng)。使用時(shí)，直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)遮擋板24沿內(nèi)腔室21的軸線方向上、下運(yùn)動(dòng)。圖2d為排氣口為最大時(shí)的局部不意圖。圖2e為排氣口為關(guān)閉時(shí)的局部不意圖。請一并參閱圖2d和圖2e，當(dāng)遮擋板24的下端高于排氣口 211時(shí)，排氣口 211為最大，此時(shí)內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量最多，從而反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率最大；在遮擋板24下降的過程中，排氣口 211逐漸減小，內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量逐漸減小，從而反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率逐漸減?。划?dāng)遮擋板24下降至其下端低于排氣口 211時(shí)，排氣口 211關(guān)閉，此時(shí)內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量最少，從而反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率最小。借助遮擋板24的上、下運(yùn)動(dòng)來調(diào)節(jié)排氣口 211的大小，能夠調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率，從而調(diào)節(jié)了反應(yīng)腔室2內(nèi)的溫度分布，進(jìn)而提高了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。需要說明的是，本實(shí)施例中，排氣口 211的排數(shù)為三排，遮擋板24的數(shù)量為三個(gè)。但本發(fā)明并不局限于此，排氣口 211的排數(shù)可以為任意數(shù)量，對應(yīng)的，遮擋板24的數(shù)量與排氣口 211的排數(shù)相等。還需要說明的是，在本實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)遮擋板24之間的間距與相鄰兩排排氣口 211的間距相同。但在實(shí)際應(yīng)用中并不局限于此，相鄰的兩個(gè)遮擋板24的間距也可以不同，同樣可以借助遮擋板24調(diào)節(jié)排氣孔211大小，從而達(dá)到調(diào)節(jié)內(nèi)腔室21的軸向方向上的溫度分布的目的。在本實(shí)施例中，遮擋板24的高度不小于排氣口 211的尺寸，但在實(shí)際應(yīng)用中并不局限于此，遮擋板24的高度也可以小于排氣口 211的尺寸。換言之，本實(shí)施例對遮擋板24的高度并沒有特別的限制，只要能夠達(dá)到調(diào)節(jié)排氣口 211大小的目的即可。需要說明的是，在本實(shí)施例中，直線電機(jī)借助連接板25驅(qū)動(dòng)三個(gè)遮擋板24同時(shí)動(dòng)作。但在實(shí)際應(yīng)用中，還可以為三個(gè)遮擋板24單獨(dú)設(shè)置三個(gè)直線電機(jī)，以分別獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)三個(gè)遮擋板24上、下運(yùn)動(dòng)，即獨(dú)立地對三排排氣口的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而調(diào)節(jié)內(nèi)腔室21的軸向方向上的溫度分 布。還需要說明的是，在本實(shí)施例中，外腔室20和內(nèi)腔室21均為圓筒形結(jié)構(gòu)，對應(yīng)的，遮擋板24為圓環(huán)，但在實(shí)際應(yīng)用中并不局限于此，外腔室20和內(nèi)腔室21的結(jié)構(gòu)還可以為方形、多邊形的箱體等其他環(huán)形結(jié)構(gòu)，并且遮擋板24的結(jié)構(gòu)與外腔室20和內(nèi)腔室21的結(jié)構(gòu)對應(yīng)，且緊貼內(nèi)腔室21的室壁設(shè)置。實(shí)施例二圖3a為本發(fā)明第二實(shí)施例遮擋板的示意圖。請參閱圖3a，本實(shí)施例中，遮擋板24為緊貼圓筒形的內(nèi)腔室21的室壁的圓環(huán)，并設(shè)有與排氣口 211的大小相同的通孔241。驅(qū)動(dòng)裝置為旋轉(zhuǎn)電機(jī)，用以驅(qū)動(dòng)遮擋板24繞內(nèi)腔室21的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。使用時(shí)，遮擋板24在旋轉(zhuǎn)電機(jī)的帶動(dòng)下進(jìn)行順時(shí)針或逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。在通孔241與排氣口 211完全重合時(shí)，排氣口211最大，此時(shí)內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量最多，從而反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率最大；在通孔241與排氣口 211相互交錯(cuò)的過程中，通孔241與排氣口 211的重合度逐漸減小，內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量逐漸減少，從而反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率逐漸減?。划?dāng)通孔241與排氣口 211完全錯(cuò)開時(shí)，排氣口 211關(guān)閉，此時(shí)內(nèi)腔室21自排氣口 211向外散出的熱量最少，反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率最小。這樣，借助遮擋板24的旋轉(zhuǎn)來調(diào)節(jié)排氣口 211的大小，能夠調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室2的熱量損耗速率，從而調(diào)節(jié)了反應(yīng)腔室2內(nèi)的溫度分布，這實(shí)現(xiàn)了等離子體加工設(shè)備借助調(diào)節(jié)排氣口的大小來調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度分布，從而提高了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。除此之外，第二實(shí)施例的其它特征與第一實(shí)施例相同，這里不再贅述。需要說明的是，遮擋板24可以為整體式的圓環(huán)，并且通孔241的數(shù)量與排氣口 211的數(shù)量相對應(yīng)；遮擋板24還可以為沿內(nèi)腔室21的軸向間隔設(shè)置的多個(gè)遮擋板24，如圖3b所示。多個(gè)遮擋板24可以通過連接板25連接在一起，從而使多個(gè)遮擋板24同時(shí)動(dòng)作，也可以分別設(shè)置旋轉(zhuǎn)電機(jī)，從而獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每個(gè)遮擋板24，進(jìn)而能夠調(diào)節(jié)內(nèi)腔室21的軸線方向上的溫度分布。并且，遮擋板24的數(shù)量與排氣口 211的排數(shù)相對應(yīng)，且每個(gè)遮擋板24上的通孔241的數(shù)量與每排排氣口 211的數(shù)量對應(yīng)。綜上所述，本實(shí)施例提供的上述反應(yīng)腔室，其通過在內(nèi)腔室內(nèi)緊貼室壁的排氣口的位置處設(shè)置排氣口調(diào)節(jié)單元，能夠調(diào)節(jié)排氣口的大小，從而能夠調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室的熱損耗速率，進(jìn)而調(diào)節(jié)了反應(yīng)腔室的溫度分布，這實(shí)現(xiàn)了等離子體加工設(shè)備借助調(diào)節(jié)排氣口的大小來協(xié)助調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度分布的方式，進(jìn)而提高了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室、中央進(jìn)氣系統(tǒng)及排氣系統(tǒng)，其中，中央進(jìn)氣系統(tǒng)與氣體輸送管連接；排氣系統(tǒng)與外腔室的排氣通道連接；反應(yīng)腔室采用了本實(shí)施例提供的上述反應(yīng)腔室。本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，能夠借助調(diào)節(jié)排氣口的尺寸來協(xié)助調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度分布的方式，進(jìn)而提高了等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以 做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種反應(yīng)腔室，包括外腔室、內(nèi)腔室以及氣體輸送管，所述內(nèi)腔室設(shè)置在所述外腔室內(nèi)，且在所述內(nèi)腔室和所述外腔室之間形成有氣體通道，所述氣體通道與外腔室的排氣通道連通，所述氣體輸送管設(shè)置在所述內(nèi)腔室內(nèi)，在所述氣體輸送管上設(shè)有向所述內(nèi)腔室輸送工藝氣體的進(jìn)氣口，在所述內(nèi)腔室的室壁上設(shè)有排氣口，其特征在于，在所述排氣口位置設(shè)有用于調(diào)節(jié)所述排氣口大小的排氣口調(diào)節(jié)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述排氣口調(diào)節(jié)單元包括遮擋板和驅(qū)動(dòng)裝置，所述遮擋板緊貼所述內(nèi)腔室的室壁設(shè)置且位于所述排氣口位置，所述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述遮擋板移動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述遮擋板遮擋所述排氣口的大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)腔室為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述遮擋板為圓環(huán)，所述驅(qū)動(dòng)裝置為直線電機(jī)，所述直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述遮擋板在所述內(nèi)腔室的軸向方向上運(yùn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)腔室為圓筒形結(jié)構(gòu)，所述遮擋板為圓環(huán)，在所述遮擋板上設(shè)有與所述排氣口尺寸相同的通孔，所述驅(qū)動(dòng)裝置為旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述遮擋板繞所述內(nèi)腔室的中心轉(zhuǎn)動(dòng)，從而調(diào)節(jié)所述通孔與所述排氣口的重合度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述內(nèi)腔室的軸向方向上設(shè)有多排所述排氣口，而且遮擋板的數(shù)量與所述排氣口的排數(shù)對應(yīng)，多個(gè)所述遮擋板通過連接板連接在一起，所述驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)遮擋板移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述遮擋板的厚度為I 2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述內(nèi)腔室內(nèi)設(shè)有多個(gè)用于承載被加工工件的托盤，多個(gè)所述托盤在所述氣體輸送管的長度方向間隔設(shè)置且與所述氣體輸送管垂直，在所述氣體輸送管上設(shè)有與所述托盤數(shù)量對應(yīng)的進(jìn)氣口，在所述內(nèi)腔室的室壁上設(shè)有與所述托盤數(shù)量對應(yīng)的排氣口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述內(nèi)腔室的軸向方向上，所述進(jìn)氣口高于所述托盤的上表面，所述排氣口低于所述托盤的下表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述外腔室的外側(cè)設(shè)有用于加熱所述外腔室內(nèi)部的感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈與交流電源連接。
10.一種等離子體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室、中央進(jìn)氣系統(tǒng)及排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述反應(yīng)腔室采用權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，所述中央進(jìn)氣系統(tǒng)與所述氣體輸送管連接，所述排氣系統(tǒng)與所述外腔室的排氣口連接。
全文摘要
一種反應(yīng)腔室以及應(yīng)用該反應(yīng)腔室的等離子體加工設(shè)備，包括外腔室、內(nèi)腔室以及氣體輸送管，所述內(nèi)腔室設(shè)置在所述外腔室內(nèi)，在所述內(nèi)腔室和所述外腔室之間形成有氣體通道，所述氣體通道與外腔室的排氣通道連通，所述氣體輸送管設(shè)置在所述內(nèi)腔室內(nèi)，在所述氣體輸送管上設(shè)有向所述內(nèi)腔室輸送工藝氣體的進(jìn)氣口，在所述內(nèi)腔室的室壁上設(shè)有排氣口，其中，在所述排氣口位置設(shè)有用于調(diào)節(jié)所述排氣口大小的排氣口調(diào)節(jié)單元，從而可以調(diào)節(jié)內(nèi)腔室的溫度分布，進(jìn)而可以提高等離子體加工設(shè)備的可調(diào)性。
文檔編號C23C16/52GK103160813SQ20111042457
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者王一帆 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司