專利名稱：激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上牽涉用于使用激光沖擊強(qiáng)化(laser shock peening)硬化金屬的系統(tǒng)和方法。特別地，本發(fā)明提供用于提供激光沖擊強(qiáng)化的效果的實(shí)時監(jiān)測的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
強(qiáng)化處理(peening)是改進(jìn)金屬的材料性質(zhì)的眾所周知的工藝。通常由例如錘擊等機(jī)械方式或由強(qiáng)勁彈射(a blast of shot)(例如，噴丸強(qiáng)化)形成的強(qiáng)化撞擊將金屬表面塑性變形以在表面處或表面下面產(chǎn)生殘余壓應(yīng)力并且在內(nèi)部產(chǎn)生拉應(yīng)力。在金屬表面中的壓應(yīng)力提高金屬對金屬疲勞和裂紋增長的抵抗能力。激光脈沖可代替錘擊或強(qiáng)勁彈射使用以在金屬表面上提供強(qiáng)化撞擊。在典型的層噴丸強(qiáng)化系統(tǒng)中，例如黑膠帶或涂料等不透明涂層施加于金屬表面以形成燒蝕涂層。在該燒蝕涂層的頂部的通常采用水流的形式的半透明層充當(dāng)夯實(shí)物(tamp)。聚焦在目標(biāo)表面上的短激光脈沖使燒蝕涂層爆炸，并且該半透明層將所得的沖擊波引入目標(biāo)材料的表面。激光束然后可重新定位并且過程重復(fù)以在目標(biāo)材料的表面中形成具有壓縮和深度的微小壓痕陣列。激光脈沖的重新定位常常被計(jì)算機(jī)或機(jī)器人控制以在目標(biāo)材料的表面上的特定位點(diǎn)精確地引導(dǎo)激光脈沖。激光沖擊強(qiáng)化典型地在比可從常規(guī)噴丸強(qiáng)化處理得到的四倍深處的目標(biāo)表面附近產(chǎn)生殘余壓應(yīng)力層。激光沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)常常包括傳感器和電路以測量在目標(biāo)材料中沉積的能量的量和位點(diǎn)。例如，貼附到目標(biāo)材料的壓電換能器可用于感測由激光脈沖產(chǎn)生的沖擊波并且產(chǎn)生與沖擊波成比例的電流。然而，壓電換能器的已知劣勢是由激光脈沖產(chǎn)生的沖擊波常常損傷該壓電換能器。結(jié)果，每個激光沖擊強(qiáng)化循環(huán)需要多個壓電換能器，并且限制了連續(xù)監(jiān)測激光沖擊強(qiáng)化的效果的能力。與使用壓電換能器監(jiān)測激光沖擊強(qiáng)化的效果關(guān)聯(lián)的另一個劣勢是缺少對激光沖擊強(qiáng)化工藝中減少工藝效果的微小故障的靈敏性。例如，研究已經(jīng)顯示壓電換能器缺少可靠識別激光脈沖的能量水平、半透明層或燒蝕層中的缺陷的靈敏性。系統(tǒng)中的這些缺陷中的任一個可減少沉積在目標(biāo)材料的表面上的能量的量，且具有在目標(biāo)材料中產(chǎn)生的壓應(yīng)力的量和深度中的對應(yīng)減小。結(jié)果，壓電換能器不能可靠地識別激光沖擊強(qiáng)化工藝中的故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面和優(yōu)勢在下列說明中闡述，或可通過該說明是明顯的，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐學(xué)習(xí)。本發(fā)明的一個實(shí)施例是激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括放置成在工件的第一側(cè)引導(dǎo)激光脈沖的激光器和在該工件的第二側(cè)上的耦合器。該系統(tǒng)進(jìn)一步包括放置成測量該耦合器的速度的Doppler頻移檢測器。本發(fā)明的另一個實(shí)施例是激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)，其包括放置成在工件的第一側(cè)引導(dǎo)激光脈沖的激光器、在該工件的第二側(cè)上的耦合器和用于放大該耦合器的速度的裝置。該系統(tǒng)進(jìn)一步包括放置成測量用于放大該耦合器的速度的該裝置的至少一部分的速度的 Doppler頻移檢測器。本發(fā)明還包括激光沖擊強(qiáng)化的方法。該方法包括沉積來自激光脈沖的一定數(shù)量的能量進(jìn)入工件的第一側(cè)并且在該工件的第二側(cè)傳送具有第一頻率的脈沖。該方法進(jìn)一步包括從該工件的第二側(cè)接收具有第二頻率的反射脈沖并且基于該第一頻率和該第二頻率之間的差別確定該工件的速度。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員當(dāng)回顧該說明書時將更好地意識到這樣的實(shí)施例的特征和方面以及其他。


對于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員的發(fā)明的完全和實(shí)現(xiàn)性公開(包括其最佳模式)在該說明書的剩余部分中更具體地闡述，包括參照附圖，其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的激光沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)；以及圖2示出根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的激光沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)。。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的本實(shí)施例，其的一個或多個示例在附圖中圖示。詳細(xì)說明使用數(shù)字和字母標(biāo)記以指圖中的特征。在圖和說明中的類似或相似標(biāo)記已經(jīng)用于指本發(fā)明的類似或相似部件。每個示例通過本發(fā)明的說明而非本發(fā)明的限制提供。實(shí)際上，修改和變化可以在本發(fā)明中做出而不偏離本發(fā)明的范圍或精神對于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將是明顯的。例如，圖示或描述為一個實(shí)施例的部分的特征可以在另一個實(shí)施例上使用以產(chǎn)生再另外的實(shí)施例。 從而，意在本發(fā)明覆蓋這樣的修改和變化，它們落入附上的權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的激光沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)10。如在圖1中示出的， 該系統(tǒng)10包括激光器12、目標(biāo)14、Doppler頻移檢測器16和控制器18。激光器12放置成引導(dǎo)激光脈沖20朝向目標(biāo)14。激光器12可是本領(lǐng)域內(nèi)已知的任何激光器，例如高能脈沖釹玻璃激光器，其通過反射鏡和透鏡的光鏈產(chǎn)生激光脈沖20。激光脈沖20的持續(xù)時間、波長和能量水平可根據(jù)各種操作考慮改變，各種操作考慮例如是目標(biāo)14的特定組成、目標(biāo)14的厚度、個體激光脈沖20的數(shù)目和之間的距離以及要沉積在目標(biāo)14中的期望的能量的量等。例如，激光脈沖20可大約15-30納秒長，其具有大約一微米的波長和50焦耳或更多的能量。作為特定說明，具有一微米的波長的25納秒激光脈沖可沉積大約25焦耳的能量進(jìn)入目標(biāo)14并且在目標(biāo)14的表面22產(chǎn)生大約每平方英寸一百萬磅的壓強(qiáng)脈沖。目標(biāo)14 一般包括要硬化的工件對、燒蝕層沈、半透明層觀和耦合器30。該工件 24可包括可從硬化獲益的任何材料，例如鋁合金、鈦合金、鎳基超合金、鑄鐵、其他鐵合金和實(shí)際上具有缺口、孔、角或易于疲勞失效的其他特征的任何金屬部件等。該燒蝕層26可以是施加于該工件M的表面22的不透明材料的薄涂層。例如，該燒蝕層沈可包括施加于該工件M的表面22的黑膠帶或涂料的薄層。該半透明層28典型是施加在該燒蝕層沈之上的一薄層水或其他半透明或全透明材料。如在圖1中示出的，例如，供水系統(tǒng)32可在該燒蝕層沈之上引導(dǎo)連續(xù)水流以形成該半透明層觀。在工件M的表面22上的半透明覆蓋層28和燒蝕層沈的組合增強(qiáng)激光脈沖20沉積能量進(jìn)入工件M的表面22的能力。激光脈沖20通過半透明層觀并且轟擊燒蝕層26， 其中它將燒蝕層26蒸發(fā)。從燒蝕層沈產(chǎn)生的蒸汽吸收到來的激光能量，在工件M的表面 22和半透明層觀之間快速加熱和膨脹。在半透明層觀和工件M的表面22之間形成的所得壓力形成沖擊波，其傳播通過工件M以將工件M塑性變形并且在工件M中的期望位點(diǎn)產(chǎn)生壓應(yīng)力屈服34。由該沖擊波引起的塑性變形在工件M的表面22中產(chǎn)生應(yīng)變硬化和壓縮殘余應(yīng)力。在圖示的工件M上的撞擊點(diǎn)的形狀一般是圓的，但可使用其他的形狀(如果必要的話)以提供最高效和有效的加工條件。在一個脈沖中處理的區(qū)域的大小取決于許多工藝特定參數(shù)，例如工件M的組成、使用的激光器12和其他加工因素等。處理的區(qū)域的大小可在從直徑大約2. 5毫米到25毫米的范圍中，但本發(fā)明不由處理區(qū)域的大小限制。耦合器30 —般位于與正處理的表面22相對的工件M的側(cè)邊36上。耦合器30 可由連接到工件M的聲學(xué)上相容的材料構(gòu)成使得在工件M和耦合器30之間存在最小的傳輸損耗。例如，耦合器30可由與工件M相同的材料構(gòu)成，或耦合器30可由具有添加物的不同材料構(gòu)成以調(diào)整耦合器30的密度接近工件M的密度。耦合器30的密度可在工件 24的密度的大約百分之30內(nèi)，并且在特定實(shí)施例中，耦合器30的密度可在工件對的大約百分之20內(nèi)或甚至在大約百分之10內(nèi)。相似地，聲音通過耦合器30的速度可在聲音通過工件M的速度的大約百分之30內(nèi)，并且在特定實(shí)施例中，聲音通過耦合器30的速度可在工件M的大約百分之20內(nèi)或甚至在大約百分之10內(nèi)。通過調(diào)節(jié)耦合器30的密度、聲速和聲阻抗以接近工件24，由激光脈沖20產(chǎn)生的沖擊波以大約相同的速度傳播通過工件M 和耦合器30兩者，并且耦合器30防止或減少沖擊波反射回來進(jìn)入工件M，該反射可以導(dǎo)致工件M中的原有裂紋擴(kuò)展。水、油、粘合劑、膠、或其他非可壓縮材料的薄涂層(沒有示出)可用于將耦合器30 貼附或連接到工件M的背面36。能量通過耦合器30的傳播引起耦合器30以與傳播通過并且沉積在工件對中的能量成比例的速度振動。因此，通過測量耦合器30的速度，系統(tǒng)10 可以確定沉積在工件M中的能量的量。Doppler頻移檢測器16可放置成基于由耦合器30的速度引起的頻移(即Doppler 頻移)測量耦合器30的速度。Doppler頻移檢測器16可以是任何本領(lǐng)域內(nèi)已知的Doppler 頻移檢測器并且可包括在圖1中圖示的功能部件中的一些或所有。如在圖1中示出的， Doppler頻移檢測器16在功能上包括發(fā)射器38、接收器40和解調(diào)器42。在本發(fā)明范圍內(nèi)的備選實(shí)施例中，發(fā)射器38和接收器40可結(jié)合進(jìn)入既傳送又接收的單個換能器部件。發(fā)射器38產(chǎn)生測試脈沖44并且將該測試脈沖44朝工件M傳送，并且更具體地朝耦合器30，并且向接收器40和/或解調(diào)器42中的至少一個傳送。該測試脈沖44可是微波、激光脈沖、聲波或其他相似的具有起始頻率F1的高頻脈沖。測試脈沖44撞擊工件， 并且更具體地撞擊耦合器30并且產(chǎn)生反射脈沖46。工件M和/或耦合器30的相對運(yùn)動引起測試脈沖44的頻率中的Doppler頻移，并且測試脈沖44和反射脈沖46之間的頻率中的變化可根據(jù)下列方程計(jì)算MF = 2^ (vs/c)cos θ，其中F1是測試脈沖44的起始頻率，Vs是工件對和/或耦合器30的速度，c是測試脈沖44的速度，并且θ是如在圖1中示出的入射角。接收器40可是任何類型的非接觸式換能器，其從發(fā)射器38接收測試脈沖44并且從工件M和/或耦合器30接收反射脈沖46，并且傳送反映測試脈沖44和反射脈沖46的頻率的信號48給解調(diào)器42。解調(diào)器42基于反射脈沖46與測試脈沖44相比的Doppler頻移的頻率確定工件M和/或耦合器30的速度。解調(diào)器42然后傳送反映工件M和/或耦合器30的計(jì)算的速度的信號50到控制器18。取決于控制器18的細(xì)節(jié)，解調(diào)器42和/或控制器18可包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器以將信號50轉(zhuǎn)換成用于在控制器18中比較的數(shù)字值?？刂破?8可包括比較器，其從解調(diào)器42接收信號50并且將信號50與編程進(jìn)入控制器18的一個或多個預(yù)定極限比較。如果信號50超過預(yù)定極限，由激光器12沉積在工件 24中的能量的量是足夠的，并且控制器18指示系統(tǒng)10正常工作。相反，如果信號50不超過預(yù)定極限中的一個或多個，由激光器12沉積在工件M中的能量的量是不足的，并且控制器18指示系統(tǒng)10發(fā)生故障。例如，不存在或太薄的半透明層觀和/或燒蝕層沈?qū)p少由激光脈沖20產(chǎn)生的沖擊波的大小，從而產(chǎn)生在沉積在工件M中并且傳播通過其的能量的量中的對應(yīng)減少。相似地，太短、不正確地瞄準(zhǔn)或具有不足能量的激光脈沖20將在沉積在工件M中并且傳播通過其的能量的量中產(chǎn)生對應(yīng)減少。由系統(tǒng)10中這些可能的故障中的任何故障引起的在沉積在工件M中并且傳播通過其的能量中的減少將在工件M和/或耦合器30的速度中產(chǎn)生對應(yīng)減少。如果工件M和/或耦合器30的速度中的該減少降至預(yù)定極限中的一個或多個以下，控制系統(tǒng)18將檢測該異常低速并且提供系統(tǒng)10不正常地運(yùn)行的指示。采用該方式，系統(tǒng)10能夠提供激光沖擊強(qiáng)化工藝的效果和效率的實(shí)時監(jiān)測。作為系統(tǒng)10的運(yùn)行的定量示例，假定沉積25焦耳能量進(jìn)入具有50千克質(zhì)量的不銹鋼工件的激光脈沖在聲學(xué)匹配的耦合器中引起每秒20英尺的振動。如果期望每個激光脈沖沉積至少25焦耳的能量進(jìn)入工件，控制器可程序化為具有預(yù)定極限以識別降至每秒 20英尺以下的耦合器的速度。當(dāng)然，沉積在工件中的前面的能量值和所得的耦合器速度僅用于說明和示例。這些和其他測量的實(shí)際值將取決于特定激光器、工件、幾何結(jié)構(gòu)和與沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的其他變量，并且可容易由本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員計(jì)算或確定。如在圖1中示出的，系統(tǒng)10可進(jìn)一步包括在不同位點(diǎn)的多個接收器、換能器或麥克風(fēng)52。每個麥克風(fēng)52放置成接收由激光脈沖20在工件M的表面22上的撞擊產(chǎn)生的能量波(例如聲波)的反射并且傳送時標(biāo)信號(timing signaDM到控制器18。控制器18 然后可比較來自每個麥克風(fēng)52的時標(biāo)信號M以三角測量激光脈沖20在工件M的表面22 上的確切位點(diǎn)。采用該方式，控制器18可以準(zhǔn)確地繪制每個激光脈沖20在工件M的表面 22上的位點(diǎn)。在控制器18對于激光脈沖20中的任何脈沖檢測到系統(tǒng)10中的故障的情況下，控制器18可提供該有缺陷的激光脈沖20的確切位點(diǎn)使得它可以再次執(zhí)行(如果期望的話)。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的激光沖擊強(qiáng)化系統(tǒng)60。如之前關(guān)于在圖1中圖示的實(shí)施例描述的那樣，該系統(tǒng)60再次一般包括激光器12、目標(biāo)14、Doppler頻移檢測器16和控制器18。來自激光器12的激光脈沖20通過半透明層28并且轟擊燒蝕層沈，其中它立即將燒蝕層沈蒸發(fā)。從燒蝕層沈產(chǎn)生的蒸汽吸收到來的激光能量，在工件M的表面22和半透明層28之間快速加熱和膨脹。在半透明層28和工件M的表面22之間形成的所得壓力形成沖擊波，其傳播通過工件M以將工件M塑性變形并且在工件M中的期望位點(diǎn)產(chǎn)生壓應(yīng)力屈服34。由該沖擊波引起的塑性變形在工件M的表面22中產(chǎn)生應(yīng)變硬化和壓縮殘余應(yīng)力。由激光脈沖20產(chǎn)生的沖擊波以大約相同的速度傳播通過工件M和耦合器30兩者而不反射回到工件M，該反射可以導(dǎo)致原有裂紋擴(kuò)展。能量通過工件M的傳播引起耦合器30以與傳播通過并且沉積在工件M中的能量成比例的速度振動。在圖2中示出的系統(tǒng)60進(jìn)一步包括貼附或連接到工件M或耦合器30中的至少一個的放大裝置62。該放大裝置62可包括任何彈簧質(zhì)量系統(tǒng)或加速計(jì)，其可以響應(yīng)于工件M和/或耦合器30的移動而振動。例如，如在圖2中示出的，該放大裝置62可包括通過彈簧66、帶或本領(lǐng)域內(nèi)已知的用于連接物體在一起的其他材料貼附到耦合器30的構(gòu)件 64。放大裝置62的至少一部分，例如構(gòu)件64等將以與除以構(gòu)件64的質(zhì)量的彈簧66的剛度的平方根成比例的頻率振動。構(gòu)件64的質(zhì)量和彈簧66的剛度從而可選擇為增強(qiáng)耦合器 30的速度的放大。Doppler頻移檢測器16如之前關(guān)于圖1中示出的實(shí)施例描述的那樣工作，不同的是測試脈沖44反射離開放大裝置62的一部分(例如構(gòu)件64等)。結(jié)果，放大裝置62的該部分的相對運(yùn)動引起測試脈沖44的起始頻率中的Doppler頻移，并且測試脈沖44和反射脈沖46之間的頻率中的變化可根據(jù)下列方程計(jì)算AF = 2F! (vs/c)cos θ，其中F1是測試脈沖44的起始頻率，Vs是構(gòu)件64的速度，c是測試脈沖44的速度，并且θ是如在圖2中示出的入射角。Doppler頻移檢測器16基于反射脈沖46與測試脈沖44相比的Doppler頻移的頻率確定放大裝置62的該部分的速度，并且傳送反映放大裝置62的該部分的計(jì)算的速度的信號50到控制器18?？刂破?8然后將信號50與編程進(jìn)入控制器18的一個或多個預(yù)定極限比較以確定系統(tǒng)60是否在正常參數(shù)內(nèi)運(yùn)行(如之前描述的那樣)。在圖1和2中描述和圖示的實(shí)施例可提供用于實(shí)時監(jiān)測激光沖擊強(qiáng)化的效果和效率的方法。如之前描述的，該方法包括沉積來自激光脈沖20的一定量的能量進(jìn)入工件M 的表面22或第一側(cè)。由激光脈沖20沉積在工件M中的能量引起工件Μ、耦合器30和/ 或放大裝置62以反映沉積在工件M中的能量的量的速度移動。該方法進(jìn)一步包括在工件M的第二側(cè)36、耦合器30和/或放大裝置62傳送具有第一頻率F1的測試脈沖44，并且接收具有第二頻率的反射脈沖46。該方法基于第一頻率和第二頻率之間的差別確定工件Μ、耦合器30和/或放大裝置62的速度。該方法然后可將工件Μ、耦合器30和/或放大裝置62的速度與一個或多個預(yù)定極限比較以確定激光沖擊強(qiáng)化的效率和/或效果。該方法可進(jìn)一步包括接收來自激光脈沖20的能量波的反射并且基于來自激光脈沖20的能量波確定沉積在工件M中的能量的位置。該書面說明使用示例以公開本發(fā)明，包括最佳模式，并且也使本領(lǐng)域內(nèi)任何技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明，包括制作和使用任何裝置或系統(tǒng)并且執(zhí)行任何包含的方法。本發(fā)明的可專利范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員想到的其他示例。這樣的其他示例如果它們包括不與權(quán)利要求的書面語言不同的結(jié)構(gòu)元件，或者如果它們包括與權(quán)利要求的書面語言無實(shí)質(zhì)區(qū)別的等同結(jié)構(gòu)元件則規(guī)定在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。部件列表
權(quán)利要求
1.一種激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，其包括a.放置成在工件(24)的第一側(cè)(22)引導(dǎo)激光脈沖(20)的激光器(12)；b.在所述工件04)的第二側(cè)(36)上的耦合器(30)；以及c.放置成測量所述耦合器(30)的速度的Doppler頻移檢測器(16)。
2.如權(quán)利要求1所述的激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，其中所述耦合器(30)具有耦合器密度并且所述工件04)具有工件密度并且所述耦合器密度在所述工件密度的大約百分之 30內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，其中所述Doppler頻移檢測器 (16)傳送反映所述耦合器(30)的所述速度的信號(50)。
4.如權(quán)利要求3所述的激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，進(jìn)一步包括接收所述信號(50)的控制器(18)。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，進(jìn)一步包括放置成接收能量波的反射的多個換能器(52)。
6.如權(quán)利要求5所述的激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)，其中所述多個換能器(52)中的每個傳送時標(biāo)信號(54)。
7.一種激光沖擊強(qiáng)化的方法，其包括a.沉積來自激光脈沖00)的一定量的能量進(jìn)入工件04)的第一側(cè)02)；b.在所述工件04)的第二側(cè)(36)傳送具有第一頻率的脈沖GO)；c.從所述工件04)的第二側(cè)(36)接收具有第二頻率的反射脈沖G6)；以及d.基于所述第一頻率和所述第二頻率之間的差別確定所述工件04)的速度。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括基于所述工件04)的所述速度確定由所述激光脈沖00)沉積進(jìn)入所述工件04)的第一側(cè)0 的所述一定量的能量。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，進(jìn)一步包括將所述工件04)的所述速度與預(yù)定值比較。
10.如權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括接收來自所述激光脈沖00)的能量波的反射。
全文摘要
激光沖擊強(qiáng)化的系統(tǒng)(10)包括放置成在工件(24)的第一側(cè)(22)引導(dǎo)激光脈沖(20)的激光器(12)和在該工件(24)的第二側(cè)(36)上的耦合器(30)。該系統(tǒng)(10)進(jìn)一步包括放置成測量該耦合器(30)的速度的Doppler頻移檢測器(16)。激光沖擊強(qiáng)化的方法包括沉積來自激光脈沖(20)的一定量的能量進(jìn)入工件(24)的第一側(cè)(22)并且在該工件(24)的第二側(cè)(36)傳送具有第一頻率的脈沖(40)。該方法進(jìn)一步包括從該工件(24)的該第二側(cè)(36)接收具有第二頻率的反射脈沖(46)并且基于該第一頻率和該第二頻率之間的差別確定該工件(24)的速度。
文檔編號C21D7/00GK102242243SQ201110134119
公開日2011年11月16日 申請日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月12日
發(fā)明者G·德拉-費(fèi)拉, M·馬泰, P·S·迪馬斯焦 申請人:通用電氣公司