專利名稱：拋光方法以及浮柵的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種拋光方法以及浮柵的形成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制備エ藝中，平整的晶圓表面對(duì)于器件的小型化和高密度化極其重要，傳統(tǒng)平坦化晶圓表面的方法為化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP, Chemical Mechanical Polishing)。該方法在晶圓表面與拋光墊之間加入拋光液，利用機(jī)械カ的作用和拋光液與晶圓表面產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)，平坦化晶圓表面。傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光法為游離磨料拋光法，包含于拋光液中的磨料在拋光墊上隨機(jī)分布，其分布密度不均勻，拋光效果比較差，而且拋光液利用率低，拋光液廢液容易污染環(huán)境等，因此逐漸被固結(jié)磨料拋光法(Fixed Abrasive Polishing)取 代。固結(jié)磨料拋光法，是將磨料和拋光墊結(jié)合起來，形成表面具有規(guī)則凹凸形狀的固結(jié)磨料拋光墊(Fixed Abrasive Pad)?，F(xiàn)有的固結(jié)磨料拋光法的拋光過程,如圖I所示，輸入滾筒105a和輸出滾筒105b將拋光墊102輸送到拋光臺(tái)101上，并用拋光液潤(rùn)濕拋光墊102表面；將晶圓103吸附固定在拋光頭104上，并使其表面與拋光墊102的磨料層相接觸；啟動(dòng)動(dòng)カ驅(qū)動(dòng)，拋光臺(tái)101在軸承100的旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，晶圓103也在旋轉(zhuǎn)的拋光頭104帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，其與拋光墊102作相對(duì)運(yùn)動(dòng)，使得晶圓103表面不斷與拋光墊102表面的磨料層摩擦而被研磨。由于在拋光過程中，只有固結(jié)在拋光墊102的磨料層的突出部位(磨料塊)才與晶圓103表面的相接觸部位發(fā)生作用，相對(duì)于傳統(tǒng)的游離磨料拋光法，由于接觸區(qū)域的減小，微小接觸區(qū)域產(chǎn)生局部較大的壓力，拋光速率有較大程度的提高；還能夠獲得很好的拋光效果以及擴(kuò)大過拋的エ藝窗ロ，大大減少晶圓拋光時(shí)產(chǎn)生的凹陷(Dishing)和過拋(Erosion)，提聞了廣品的良率；另外，拋光速率對(duì)于晶圓表面形貌有很聞的選擇性，因而，只需較少的去除量，即可達(dá)到平坦化的目的，降低了生產(chǎn)成本。隨著半導(dǎo)體制造エ藝的不斷發(fā)展，集成電路中的半導(dǎo)體器件的特征尺寸(⑶,Critical Dimension)越來越小，固結(jié)磨料拋光法已顯得越來越重要?？扉W存儲(chǔ)器元件由于具有可多次進(jìn)行資料的存入、讀取、抹除等動(dòng)作，且存入的資料在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)。因此，已成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的ー種非易失性存儲(chǔ)器元件。典型的快閃存儲(chǔ)器元件是以摻雜多晶硅制作浮柵(Floating Gate)與控制柵(Control Gate)，浮柵用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；控制柵與字線相連，用于控制浮柵。圖2至圖7是現(xiàn)有技術(shù)中浮柵的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖2和圖3，執(zhí)行步驟(I)，包括提供半導(dǎo)體襯底200，在所述襯底200上的有源區(qū)(AA,Active Area)形成犧牲氧化層201和覆蓋所述犧牲氧化層201的氮化娃層202,在所述襯底200上的無源區(qū)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)203，形成填滿所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)203并覆蓋所述氮化硅層202的氧化層204。參閱圖3和圖4，執(zhí)行步驟(2)，對(duì)所述氧化層204拋光直至暴露出所述氮化硅層202。
結(jié)合圖4和圖5，執(zhí)行步驟(3)，刻蝕去除所述氮化硅層202和犧牲氧化層201后形成開ロ 205。結(jié)合圖5和圖6，執(zhí)行步驟(4)，在所述開ロ 205中先后形成柵介質(zhì)層206以及覆蓋所述柵介質(zhì)層206的多晶硅層207。所述柵介質(zhì)層206 —般為柵氧化層。結(jié)合圖6和圖7，執(zhí)行步驟(5)，對(duì)所述多晶硅層207進(jìn)行拋光操作且停止于所述氧化層204，形成浮柵208。上述對(duì)所述氧化層204拋光直至暴露出所述氮化硅層202的步驟(2)，由于傳統(tǒng)的游離磨料拋光法難以取得較好的晶圓表面平坦度以及均勻度，因此目前通常采用固結(jié)磨料拋光法進(jìn)行拋光操作?，F(xiàn)有技術(shù)中，雖然以固結(jié)磨料拋光法進(jìn)行步驟(2)時(shí)能夠取得很好的拋光效果(表面平坦度以及均勻度)，但是，當(dāng)執(zhí)行步驟(5)，即對(duì)所述多晶硅層207進(jìn)行拋光操作且停止于所述氧化層204，形成浮柵208的時(shí)候，由于對(duì)多晶硅的拋光去除率較 低，而對(duì)氧化層的拋光去除率很高，所以固結(jié)磨料拋光法并不適用于拋光多晶硅層且停止于氧化層的情況，此時(shí)只能以傳統(tǒng)的游離磨料拋光法進(jìn)行拋光操作，但位于有源區(qū)(尤其是尺寸較大的有源區(qū))的多晶硅層會(huì)產(chǎn)生明顯的凹陷問題，拋光效果較差。參閱圖9，區(qū)域210示出了大尺寸的有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生凹陷后形成的浮柵208a，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率和可靠性。相關(guān)技術(shù)還可參考專利號(hào)為US20020049027的美國(guó)專利，但是該專利對(duì)于解決上述問題并未涉及。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)多晶硅層進(jìn)行拋光且停止于氧化層時(shí)產(chǎn)生的多晶硅層的凹陷，然而固結(jié)磨料拋光法不能適用的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種拋光方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底上形成有氧化層和覆蓋所述氧化層的多晶硅層，在固結(jié)磨料拋光墊上對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作，停止于所述氧化層，所述拋光操作采用的拋光液的PH值為2. 2 6. 0，所述拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑。可選的，所述兩性離子表面活性劑為脯氨酸。可選的，所述固結(jié)磨料拋光墊上的磨料為ニ氧化鈰?？蛇x的，拋光時(shí)的壓強(qiáng)為O. 5 3. O磅/平方英寸(Psi, Pounds per squareinch)，拋光臺(tái)的轉(zhuǎn)速為10 40轉(zhuǎn)/分鐘?？蛇x的，拋光時(shí)所采用的終點(diǎn)檢測(cè)方式為電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè)或光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)。為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種浮柵的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述襯底上的有源區(qū)形成犧牲氧化層和覆蓋所述犧牲氧化層的氮化硅層，在所述襯底上的無源區(qū)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，形成填滿所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)并覆蓋所述氮化硅層的氧化層；對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層；去除所述氮化硅層和犧牲氧化層后形成開ロ ；在所述開口中先后形成柵介質(zhì)層以及覆蓋所述柵介質(zhì)層的多晶硅層；在固結(jié)磨料拋光墊上對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作且停止于所述氧化層以形成浮柵，所述拋光操作采用的拋光液的PH值為2. 2 6. O，所述拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性剤?？蛇x的，所述兩性離子表面活性劑為脯氨酸?？蛇x的，所述固結(jié)磨料拋光墊上的磨料為ニ氧化鈰?？蛇x的，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作時(shí)的壓強(qiáng)為O. 5 3. O磅/平方英寸，拋光臺(tái)的轉(zhuǎn)速為10 40轉(zhuǎn)/分鐘?？蛇x的，所述對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層是在固結(jié)磨料拋光墊或非固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行的。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)在固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行對(duì)多晶硅層拋光且停止于氧化層的拋光操作時(shí)，通過設(shè)置合適的拋光環(huán)境，即在拋光液中加入陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑且所述拋光液的PH值為2. 2 6. 0，從而使進(jìn)行拋光多晶硅層且停止于氧化層的拋光操作時(shí)具有適宜的去除選擇性，由此實(shí)現(xiàn)以固結(jié)磨料拋光法拋光多晶硅層且停止于氧化層的拋光操作，改善了產(chǎn)生的多晶硅層的凹陷問題，能取得較好的拋光效果。通過將所述拋光方法應(yīng)用于浮柵的形成過程中對(duì)所述多晶硅層拋光且停止于氧化層的拋光操作，提高了產(chǎn)品的良率和可靠性。


圖I是現(xiàn)有固結(jié)磨料拋光法的拋光裝置示意圖；圖2至圖7是現(xiàn)有技術(shù)中浮柵的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8至圖9是浮柵的形成過程中拋光多晶硅層產(chǎn)生凹陷的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是不同尺寸有源區(qū)的多晶硅層的凹陷量變化示意圖；圖11是氮化硅層、氧化層、多晶硅層、ニ氧化鈰顆粒在PH = 10的介質(zhì)中的離子吸附^^意圖；圖12是氧化層、多晶硅層、ニ氧化鈰顆粒在PH = 2. 2 6. O的介質(zhì)中的離子吸附示意圖；圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的浮柵的形成方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)多晶硅層拋光且停止于氧化層的拋光操作時(shí)所述多晶硅層產(chǎn)生了明顯的多晶硅層的凹陷問題，其拋光效果較差，然而固結(jié)磨料拋光法卻并不能適用。本技術(shù)方案通過在固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行對(duì)多晶硅層拋光且停止于氧化層的拋光操作時(shí)設(shè)置合適的拋光環(huán)境，由此實(shí)現(xiàn)了以固結(jié)磨料拋光法拋光多晶硅層且停止于氧化層的拋光操作，改善了多晶硅層的凹陷問題。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式
的限制。
圖8至圖9是浮柵的形成過程中拋光多晶硅層產(chǎn)生凹陷的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在理想的情況下，如圖7所示，對(duì)所述多晶硅層207進(jìn)行拋光操作且停止于所述氧化層204，形成浮柵208，晶圓表面應(yīng)具有很好的平坦度以及均勻度。但在實(shí)際情況中，對(duì)所述多晶硅層207進(jìn)行拋光操作后產(chǎn)生的最主要的問題是在不同尺寸有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生了不同程度的凹陷，由此導(dǎo)致在不同尺寸有源區(qū)上的多晶硅層的厚度不同，從而使形成的浮柵的高度有所差別，這樣會(huì)影響產(chǎn)品的良率和可靠性。產(chǎn)生上述問題的主要原因在于在沉積形成多晶硅層207的時(shí)候，在不同尺寸的有源區(qū)產(chǎn)生了明顯的沉積差，參閱圖8，在尺寸較大的有源區(qū)沉積的多晶硅層的厚度較小，而在尺寸較小的有源區(qū)沉積的多晶硅層的厚度較大，由此在不同尺寸的有源區(qū)產(chǎn)生了明顯的沉積差，如區(qū)域209所示。在后續(xù)步驟中拋光多晶硅層時(shí)，這會(huì)使多晶硅層厚度較小的區(qū)域因過拋而產(chǎn)生嚴(yán)重的凹陷。由于形成的有源區(qū)一般具有多種尺寸，而位于大尺寸有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生的凹陷更為嚴(yán)重(甚至可能導(dǎo)致后續(xù)需形成的浮柵的缺失)。圖10是不同尺寸有源區(qū)的多晶硅層的凹陷量變化示意圖，如圖10所示，隨著有源區(qū)的尺寸不斷增大，位于有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生的凹陷量也大幅上升，例如，當(dāng)100X70(単位微米)的有源區(qū)，位于其的多晶硅層的凹陷量達(dá)到500埃以上。 對(duì)于晶圓表面形貌差異大的拋光操作，通常采用固結(jié)磨料拋光法進(jìn)行拋光能獲得較佳的拋光效果。例如，以固結(jié)磨料拋光法進(jìn)行拋光氧化層且停止于氮化硅層時(shí)能夠取得很好的表面平坦度以及均勻度。但是，在拋光多晶硅層且停止于氧化層以形成浮柵的時(shí)候，由于對(duì)多晶硅的拋光去除率較低，而對(duì)氧化層的拋光去除率很高，所以固結(jié)磨料拋光法并不適用于拋光多晶硅層且停止于氧化層的情況，此時(shí)只能以傳統(tǒng)的游離磨料拋光法進(jìn)行拋光操作，但這也使位于有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生了不同程度的凹陷問題，拋光效果較差。參閱圖9，區(qū)域210示出了大尺寸的有源區(qū)的多晶硅層產(chǎn)生凹陷后形成的浮柵208a，其高度大大低于在小尺寸的有源區(qū)形成的浮柵208b，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率和可靠性。發(fā)明人考慮是否可以通過改變拋光エ藝的環(huán)境或條件來解決或改善上述問題，因此本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種拋光方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底上形成有氧化層和覆蓋所述氧化層的多晶硅層，在固結(jié)磨料拋光墊上對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作，停止于所述氧化層；所述拋光操作采用的拋光液的PH值為2. 2 6. 0，所述拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性剤。具體實(shí)施以浮柵的形成過程作為應(yīng)用示例，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的是，可以參閱圖6和圖7，在對(duì)多晶硅層207進(jìn)行拋光操作且停止于氧化層204的步驟時(shí)，將晶圓置于固結(jié)磨料拋光墊上，加入拋光液后進(jìn)行拋光操作，所述拋光液的PH值為2. 2 6. O (可通過滴定以設(shè)定PH值)，并且拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性剤。本實(shí)施例中，采用了脯氨酸作為所述兩性離子活性剤，所述固結(jié)磨料拋光墊上的磨料為ニ氧化鈰(CeO2)。在拋光操作過程中，拋光頭對(duì)晶圓施加的壓強(qiáng)為O. 5 3. O磅/平方英寸，拋光臺(tái)的轉(zhuǎn)速設(shè)定為10 40轉(zhuǎn)/分鐘，在拋光時(shí)所采用的終點(diǎn)檢測(cè)方式為電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè)或光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)。此外，本實(shí)施例中，對(duì)氧化層拋光直至暴露出氮化硅層的步驟也是在固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行的，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層的步驟也可以在非固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行，拋光液中的磨料包括ニ氧化鈰。
下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中采用PH值為2. 2 6. O且具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑的拋光液在該步驟中進(jìn)行拋光操作的原理作詳細(xì)說明。發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，在不同的PH值介質(zhì)(本實(shí)施例中為具有脯氨酸的拋光液)中，對(duì)氮化硅、ニ氧化硅、多晶硅進(jìn)行拋光的去除率的變化有較大的差異。當(dāng)拋光液的PH值為10時(shí)，對(duì)ニ氧化硅的去除率約為960埃/分鐘，而對(duì)氮化硅的去除率約為20埃/分鐘，對(duì)多晶硅的去除率約為28埃/分鐘。現(xiàn)有技術(shù)中，通常在固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行拋光操作時(shí)所使用的拋光液的PH值為10 10. 3，在這樣的PH值范圍內(nèi)，拋光時(shí)對(duì)ニ氧化硅的去除率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于對(duì)氮化硅和多晶硅的去除率，由此表明，去除率對(duì)于ニ氧化硅和氮化硅具有較大的選擇性，基于此，固結(jié)磨料拋光法在該拋光環(huán)境(拋光液的PH值為10 10. 3)下用于拋光氧化層且停止于氮化硅層能取得不錯(cuò)的拋光效果，例如在淺槽隔離(STI，ShallowTrench Isolation)エ藝中目前一般較多使用固結(jié)磨料拋光墊進(jìn)行拋光操作。但是，當(dāng)PH值為10 10. 3時(shí)，由于對(duì)ニ氧化硅的拋光去除率很高，而對(duì)多晶硅的去除率很小，雖然對(duì)這兩種材料的去除選擇性較好，但是這僅適于拋光氧化層且停止于多晶硅層的情況，而當(dāng)拋光多晶硅層且停止于氧化層時(shí)則并不適宜。然而，當(dāng)PH值為2. 2 6. O時(shí)，對(duì)多晶硅的去除率可以增大至500 4000埃/分鐘，而對(duì)氧化層的去除率則小于50埃/分鐘，此時(shí)則非常適于以固結(jié)磨料拋光法拋光多晶硅層且停止于氧化層。下面對(duì)在不同PH值介質(zhì)中氮化硅、ニ氧化硅、多晶硅的去除率變化的原理進(jìn)行分析。首先對(duì)等電點(diǎn)的概念作簡(jiǎn)單介紹，所謂的等電點(diǎn)(IEP, IsoElectric Point)是ー個(gè)分子或者表面不帶電荷時(shí)的PH值。被稱為兩性離子的兩性分子同時(shí)含有帶正電荷和負(fù)電荷的官能團(tuán)，整個(gè)分子的總電荷則由其周圍環(huán)境的PH值決定，根據(jù)PH值的不同整個(gè)分子可能帶正電荷，也可能帶負(fù)電荷，其原因是因?yàn)檫@樣的分子在不同的PH值環(huán)境中可能會(huì)吸收或者喪失質(zhì)子(H+)。在PH值等于等電點(diǎn)時(shí)，這樣的分子所帯的正電荷和負(fù)電荷互相抵消，使得整個(gè)分子不帶電。表面也會(huì)自然地帶電荷形成固定層。一般假如決定表面電荷的離子是HVor的話，那么表面浸入的液體的PH值也會(huì)決定表面的總電荷。在這里，等電點(diǎn)也是表面總電荷為零時(shí)的PH值。綜上所述，兩性離子所帶電荷因溶液的PH值不同而改變，當(dāng)兩性離子正負(fù)電荷數(shù)值相等時(shí)，溶液的PH值即為其等電點(diǎn)；當(dāng)溶液的PH值大于等電點(diǎn)時(shí)，離子將帶負(fù)電荷；當(dāng)溶液PH值小于等電點(diǎn)時(shí)，離子將帶正電荷。表I :不同材料的等電點(diǎn)以及在不同PH值下電勢(shì)變化表
權(quán)利要求
1.一種拋光方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底上形成有氧化層和覆蓋所述氧化層的多晶硅層，在固結(jié)磨料拋光墊上對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作，停止于所述氧化層，其特征在于， 所述拋光操作采用的拋光液的PH值為2. 2 6. O，所述拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拋光方法，其特征在于，所述兩性離子表面活性劑為脯氨酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拋光方法，其特征在于，所述固結(jié)磨料拋光墊上的磨料為二氧化鋪。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拋光方法，其特征在于，拋光時(shí)的壓強(qiáng)為0.5 3. O磅/平方英寸，拋光臺(tái)的轉(zhuǎn)速為10 40轉(zhuǎn)/分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的拋光方法，其特征在于，拋光時(shí)所采用的終點(diǎn)檢測(cè)方式為電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè)或光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)。
6.一種浮柵的形成方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底，在所述襯底上的有源區(qū)形成犧牲氧化層和覆蓋所述犧牲氧化層的氮化硅層，在所述襯底上的無源區(qū)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，形成填滿所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)并覆蓋所述氮化硅層的氧化層； 對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層； 去除所述氮化硅層和犧牲氧化層后形成開口； 在所述開口中先后形成柵介質(zhì)層以及覆蓋所述柵介質(zhì)層的多晶硅層； 在固結(jié)磨料拋光墊上對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作且停止于所述氧化層以形成浮柵，所述拋光操作采用的拋光液的PH值為2. 2 6. 0，所述拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述兩性離子表面活性劑為脯氨酸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述固結(jié)磨料拋光墊上的磨料為二氧化鈰。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的浮柵的形成方法，其特征在于，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行拋光操作時(shí)的壓強(qiáng)為0. 5 3. 0磅/平方英寸，拋光臺(tái)的轉(zhuǎn)速為10 40轉(zhuǎn)/分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的浮柵的形成方法，其特征在于，所述對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層是在固結(jié)磨料拋光墊或非固結(jié)磨料拋光墊上進(jìn)行的。
全文摘要
一種拋光方法和浮柵的形成方法，所述浮柵的形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述襯底上的有源區(qū)形成犧牲氧化層和覆蓋所述犧牲氧化層的氮化硅層，在所述襯底上的無源區(qū)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，形成填滿所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)并覆蓋所述氮化硅層的氧化層；對(duì)所述氧化層拋光直至暴露出所述氮化硅層；去除所述氮化硅層和犧牲氧化層后形成開口；在所述開口中先后形成柵介質(zhì)層以及覆蓋其上的多晶硅層；在固結(jié)磨料拋光墊上拋光所述多晶硅層且停止于所述氧化層形成浮柵，拋光液中具有陽離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑，所述拋光液的PH值為2.2～6.0。所述拋光方法能實(shí)現(xiàn)固結(jié)磨料拋光法拋光多晶硅層且停止于氧化層，取得較好的拋光效果。
文檔編號(hào)B24B29/00GK102744668SQ201110100318
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2011年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月20日
發(fā)明者張明華, 蔣莉, 黎銘琦 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司