專利名稱：刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種刻蝕機(jī)臺(tái)，具體涉及一種刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室(Loadlock)為普通的鋁制材料，其工作環(huán)境為 25 30°C的室溫。晶圓承載腔室用于Poly Etch(聚乙烯刻蝕)工藝，在刻蝕過程中會(huì) 使用到溴化氫(HBr)氣體。在工藝結(jié)束后，殘留的溴化氫氣體會(huì)隨工藝完成的晶圓停留在 Loadlock腔室中。根據(jù)溴化氫的化學(xué)性質(zhì)得知，溴化氫在常溫常壓下是一種腐蝕性的有毒氣體，有 窒息性的氣味，呈酸性。根據(jù)溴化氫的安定性和反應(yīng)性得知，溴化氫在活性金屬表面的催 化下會(huì)慢慢分解為氫氣和溴；如果有潮氣，溴化氫會(huì)快速腐蝕除銀、鉬和鉭以外的大多數(shù)金
jM ο因此，如果長(zhǎng)期使少量殘留的溴化氫積聚在常溫常濕環(huán)境下的Loadlock腔室內(nèi)， 會(huì)逐漸腐蝕鋁制的腔壁，從而導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生甚至報(bào)廢產(chǎn)品。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，它可以避 免晶圓承載腔室的內(nèi)壁被溴化氫腐蝕。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室的技術(shù)解決方案為包括承載腔室，所述承載腔室的外壁加裝有加熱帶，所述加熱帶具有溫控作用。所述加熱帶的溫度設(shè)定為50°C。所述加熱帶與所述承載腔室的外壁固定連接。本實(shí)用新型可以達(dá)到的技術(shù)效果是本實(shí)用新型在晶圓承載腔室的外壁加裝有加熱帶，能夠保持晶圓承載腔室的內(nèi)腔 高溫干燥，避免溴化氫在常溫常濕的條件下腐蝕腔室的內(nèi)壁，從而減少缺陷的產(chǎn)生。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明


圖1是本實(shí)用新型刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室的加熱帶的示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，包括晶圓承載腔室，晶圓承載腔室的外壁 加裝有如
圖1所示的加熱帶，加熱帶具有溫控作用；加熱帶為貼片式控溫加熱帶，加熱帶與晶圓承載腔室的外壁固定連接；加熱帶的溫度設(shè)定為50°C。
權(quán)利要求1.一種刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，包括承載腔室，其特征在于所述承載腔室的外壁 加裝有加熱帶，所述加熱帶具有溫控作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，其特征在于所述加熱帶的溫度 設(shè)定為50°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，其特征在于所述加熱帶與 所述承載腔室的外壁固定連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種刻蝕機(jī)臺(tái)的晶圓承載腔室，包括承載腔室，所述承載腔室的外壁加裝有加熱帶，所述加熱帶具有溫控作用。所述加熱帶的溫度設(shè)定為50℃。本實(shí)用新型在晶圓承載腔室的外壁加裝有加熱帶，能夠保持晶圓承載腔室的內(nèi)腔高溫干燥，避免溴化氫在常溫常濕的條件下腐蝕腔室的內(nèi)壁，從而減少缺陷的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)C23F1/12GK201883148SQ20102064547
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者楊利, 潘敬楨 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司