專利名稱：研磨片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種研磨片，具體地說，涉及用于硬物表面研磨的研磨片。
背景技術(shù)：
研磨技術(shù)在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)具有廣泛的應(yīng)用，通過在硅片和拋光機(jī)上的拋光 頭之間的相對運(yùn)動，并同時施加壓力，實(shí)現(xiàn)硅片表面平整化、去除表面物質(zhì)等。用于拋光 硅片表面的拋光頭上設(shè)置有研磨片，比較廣泛的研磨片為鉆石研磨片(diamond lapping film)，研磨片一般由精細(xì)的鉆石顆粒附著在一平板上構(gòu)成，根據(jù)鉆石顆粒的大小程度，分 成不同的等級，從而形成不同粗糙度等級的研磨片，通常用不同的顏色來表示不同的等級， 便于選擇和辨認(rèn)。為了獲得比較優(yōu)越的表面平整度或者需要去除待拋光表面的部分厚度時，需要 依次采用多種不同等級的研磨片來進(jìn)行拋光，例如未封裝的芯片截面、TEM(transmission electron microscopy，透射電子顯微鏡)檢測樣片、為后序工藝執(zhí)行平坦化的芯片表面、采 用離子束聚焦(FIB :focused ion beam)得到的截面等，都需要非常平整和光滑的表面?，F(xiàn) 有技術(shù)中，拋光機(jī)上一次只能安裝一種研磨片，因而，當(dāng)需要使用不同等級的研磨片來完成 一道拋光工序時，就需要多次安裝、拆卸更換研磨片，不僅增加了工作量，而且增大了制造 成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種研磨片，可以同時提供不同粗糙度等 級的表面，以減少更換拋光片的工作量，降低制造成本。為解決以上技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供的一種研磨片，其表面上附著有研磨顆粒， 所述研磨片的表面被劃分為若干區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi)附著的研磨顆粒大小相同，不同區(qū)域附 著的研磨顆粒大小不同。進(jìn)一步的，所述研磨片的表面沿徑向被劃分為若干區(qū)域。進(jìn)一步的，所述研磨片的表面為圓形，所述若干區(qū)域分別為以研磨片表面的中心 為圓心的圓形區(qū)域和數(shù)個同心圓環(huán)區(qū)域。進(jìn)一步的，所述研磨片的表面沿時鐘方向被劃分為若干區(qū)域。進(jìn)一步的，所述研磨片的表面為圓形，所述表面被劃分為若干扇形區(qū)域。進(jìn)一步的，附著在各個區(qū)域上的研磨顆粒的大小逐漸增大或者減小。進(jìn)一步的，所述研磨顆粒的大小范圍為0. Ium 30um。進(jìn)一步的，所述研磨顆粒為鉆石或者碳化硅顆粒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提出的研磨片，具有不同粗糙度的區(qū)域，無須在研磨 機(jī)上更換不同等級的研磨片即可在一張研磨片上完成不同粗糙等級的拋光，節(jié)省時間，提 高工作效率，從而相應(yīng)的減少了制造的費(fèi)用。
圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的研磨片示意圖；圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中研磨片的應(yīng)用示意圖；圖3為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的研磨片示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的技術(shù)特征更明顯易懂，
以下結(jié)合附圖與實(shí)施例，對本實(shí)用新型 做進(jìn)一步的描述。請參閱圖1，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的研磨片示意圖，該研磨片2為圓形，其表 面上附著有研磨顆粒(未標(biāo)示)，所述研磨片2的表面沿半徑方向被劃分為多個區(qū)域，作為 示例，圖中畫出五個區(qū)域(20、21、22、23、24)，分別為以研磨片2表面的中心為圓心的一個 圓形區(qū)域和四個同心圓環(huán)區(qū)域。同一區(qū)域內(nèi)附著的研磨顆粒大小相同，不同的區(qū)域附著的 研磨顆粒大小不同，由于研磨顆粒大小不一，形成的圓形區(qū)域以及各個圓環(huán)區(qū)域之間的表 面粗糙度不同，在研磨片2表面上形成不同的粗糙表面區(qū)域。在實(shí)際的研磨過程中，通常一般都是先進(jìn)行粗磨，用以快速去除待磨物的厚度，然 后進(jìn)行精細(xì)研磨，最后進(jìn)行拋光處理，因此，可以將上述研磨片2設(shè)計(jì)成最外區(qū)域24的研磨 顆粒最大，形成的粗糙度最大，并使各個區(qū)域(23、22、21、20)上的研磨顆粒大小逐漸減小。 也可以根據(jù)需要，采用研磨顆粒大小逐漸增大的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。所述研磨顆?？梢赃x擇為鉆石或者碳化硅顆粒等硬度比較大的研磨顆粒。研磨顆 粒的大小范圍為0. Ium 30um。由此，可以根據(jù)需要，在此5個區(qū)域中分別選擇不同的研磨 顆粒進(jìn)行任意組合形成多種表面粗糙度不同的區(qū)域。為了方便在使用的時候便于識別，每個區(qū)域采用一種顏色進(jìn)行標(biāo)示，從而形成不 同區(qū)域呈現(xiàn)不同的顏色，比如根據(jù)其表面粗糙度從小到大遞增順序，采用顏色由淺逐漸變 深的方法加以標(biāo)示，研磨人員可以方便根據(jù)被研磨物的研磨等級選擇相應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行研磨。請參閱圖2，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中研磨片應(yīng)用的示意圖。使用時，研磨人員 將研磨片2固定在研磨機(jī)的轉(zhuǎn)盤1上，將待磨物體3例如芯片或TEM檢測樣片等固定在吸 盤4上，啟動研磨機(jī)，轉(zhuǎn)盤1進(jìn)行逆時針或者順時針方向旋轉(zhuǎn)，在手持或者機(jī)械控制下，吸盤 4向下運(yùn)動，與研磨片2上某一粗糙度等級的區(qū)域接觸，并施加一定壓力，噴嘴5同時噴灑 研磨液或去離子水，在研磨片2與待磨物體3之間不停進(jìn)行摩擦，實(shí)現(xiàn)待磨物體3表面平整 化，或者去除部分厚度的目的。在開始進(jìn)行粗磨的時候，可以選擇粗糙度比較大的區(qū)域進(jìn)行粗磨，達(dá)到快速進(jìn)行 研磨的目的，當(dāng)研磨到一定厚度，再選擇粗糙度比較小的區(qū)域進(jìn)行精細(xì)研磨，最后再選擇粗 糙度更小的區(qū)域進(jìn)行研磨，達(dá)到精細(xì)拋光的目的。由于本實(shí)施例的研磨片上具有不同粗糙 度的區(qū)域，無須在研磨機(jī)上更換不同等級的研磨片即可在一張研磨片上完成不同粗糙等級 的拋光，大大節(jié)省時間，提高工作效率，從而相應(yīng)的減少了制造的費(fèi)用。而且，由于本實(shí)用新型實(shí)施例中的研磨片上具有不同的粗糙度區(qū)域，因此，同一研 磨機(jī)上可以允許幾個研磨人員在同一研磨片上的不同的區(qū)域同時工作，從而可以充分有效 利用研磨機(jī)。[0025]當(dāng)然，本實(shí)用新型并不局限于上述同心圓排列的研磨片，請參閱圖3，圖3為本實(shí) 用新型的另一實(shí)施例的研磨片示意圖，所述研磨片2的表面上分為若干區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi) 附著的研磨顆粒大小相同，不同區(qū)域附著的研磨顆粒大小不同。本實(shí)施例中位5個區(qū)域 (20、21、22、23、24)，這五個區(qū)域以所述研磨片2表面的中心為圓心，沿時鐘順時針或者逆 時針方向被劃分為若干區(qū)域，比如被劃分成若干扇形狀分布，在此5個區(qū)域中分別選擇不 同的研磨顆粒進(jìn)行任意組合形成多種表面粗糙度不同的區(qū)域。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行 業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述 的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下本實(shí)用新型還會 有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要 求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
權(quán)利要求一種研磨片，其表面上附著有研磨顆粒，其特征在于所述研磨片的表面被劃分為若干區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi)附著的研磨顆粒大小相同，不同區(qū)域附著的研磨顆粒大小不同。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨片，其特征在于所述研磨片的表面沿徑向被劃分為若干 區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的研磨片，其特征在于所述研磨片的表面為圓形，所述若干區(qū)域 分別為以研磨片表面的中心為圓心的圓形區(qū)域和數(shù)個同心圓環(huán)區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的研磨片，其特征在于所述研磨片的表面沿時鐘方向被劃分為 若干區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的研磨片，其特征在于所述研磨片的表面為圓形，所述表面被劃 分為若干扇形區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1所述的研磨片，其特征在于附著在各個區(qū)域上的研磨顆粒的大小逐 漸增大或者減小。
7.如權(quán)利要求1或6所述的研磨片，其特征在于所述研磨顆粒的大小范圍為0.Ium 30umo
8.如權(quán)利要求1所述的研磨片，其特征在于所述研磨顆粒為鉆石或者碳化硅顆粒。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種研磨片，其表面上附著有研磨顆粒，所述研磨片的表面被劃分為若干區(qū)域，同一區(qū)域內(nèi)附著的研磨顆粒大小相同，不同區(qū)域附著的研磨顆粒大小不同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提出的研磨片，具有不同粗糙度的區(qū)域，無須在研磨機(jī)上更換不同等級的研磨片即可在一張研磨片上完成不同粗糙等級的拋光，大大節(jié)省時間，提高工作效率，從而相應(yīng)的減少了制造的費(fèi)用。
文檔編號B24B37/04GK201677232SQ20102020094
公開日2010年12月22日 申請日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者葉家健, 張玉多, 張鴻, 李德勇, 羅旖旎 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司