專利名稱：鍍膜件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜件及該鍍膜件的制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電薄膜由于具有良好的導(dǎo)電性和可見光透過率，在光電池和液晶顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。氧化銦錫(ITO)薄膜是目前研究和應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜。由于 ITO薄膜含有貴金屬銦，成本較高，研究者開始尋求另外的替代產(chǎn)品。TiO2原料豐富，價格便宜，無毒且穩(wěn)定性高，因此TiA薄膜是目前最有開發(fā)潛力的薄膜材料之一。將TiA薄膜鍍覆于基材上形成鍍膜件，但是TiO2薄膜的電導(dǎo)率較低，從而限制了此類鍍膜件的進一步應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種有效解決上述問題的鍍膜件。另外，還有必要提供一種制備上述鍍膜件的方法。一種鍍膜件，包括基材及形成于基材表面的透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜為Me 摻雜二氧化鈦薄膜，其中Me為釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上。—種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟提供基材；在基材表面形成透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜為Me摻雜二氧化鈦薄膜，其中Me 為釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上。本發(fā)明所述鍍膜件在基材的表面沉積透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜通過在二氧化鈦薄膜中引入釩(V)、鈮(Nb)及鉭(Ta)中的兩種或兩種以上，通過高價態(tài)的V5+、Nb5+及 Ta5+中的兩種或兩種以上取代部分Ti4+，從而產(chǎn)生自由電子，獲得較高的導(dǎo)電率。該透明導(dǎo)電薄膜具有良好的穩(wěn)定性，可有效地提高鍍膜件的使用壽命。另外該透明導(dǎo)電薄膜還具有高透光性。


圖1為本發(fā)明一較佳實施例鍍膜件的示意圖。主要元件符號說明鍍膜件10基材11透明導(dǎo)電薄膜1具體實施例方式請參閱圖1，本發(fā)明一較佳實施方式鍍膜件10包括基材11、形成于基材11表面的透明導(dǎo)電薄膜13。
該基材11可為玻璃或陶瓷。該透明導(dǎo)電薄膜13為Me摻雜二氧化鈦(TiO2)薄膜，其中Me可為釩(V)、鈮(Nb) 及鉭(Ta)中的兩種或兩種以上，其中摻雜的V的質(zhì)量百分含量可為1 5%，摻雜的Nb的質(zhì)量百分含量可為1 3%，摻雜的Ta的質(zhì)量百分含量可為1 3%。該透明導(dǎo)電薄膜13可以磁控濺射或蒸鍍的方式形成。該透明導(dǎo)電薄膜13的厚度可為300 600nm。本發(fā)明一較佳實施方式的鍍膜件10的制備方法，其包括以下步驟提供一基材11，該基材11可為玻璃或陶瓷。將基材11放入無水乙醇中進行超聲波清洗，以去除基材11表面的污漬，清洗時間可為5 IOmin0對經(jīng)上述處理后的基材11的表面進行氬氣等離子體清洗，以進一步去除基材11 表面的油污，以及改善基材11表面與后續(xù)涂層的結(jié)合力。該等離子體清洗的具體操作及工藝參數(shù)可為將基材11放入一磁控濺射鍍膜機(圖未示)的鍍膜室內(nèi)，將該鍍膜室抽真空至1. 0 2. OX 10_5Torr，然后向鍍膜室內(nèi)通入流量為100 300sCCm(標準狀態(tài)毫升/分鐘)的氬氣(純度為99. 999%),并施加-100 -300V的偏壓于基材11，對基材11表面進行氬氣等離子體清洗，清洗時間為10 20min。采用磁控濺射法在經(jīng)氬氣等離子體清洗后的基材11上濺鍍一透明導(dǎo)電薄膜13， 該透明導(dǎo)電薄膜13可為Me摻雜TW2薄膜，其中Me可為V、Nb及Ta中的兩種或兩種以上。 濺鍍該透明導(dǎo)電薄膜13在所述磁控濺射鍍膜機中進行。使用含有V、Nb及Ta中的兩種或兩種以上成份的合金靶及Ti靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量可為50 200sCCm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量可為100 300SCCm。濺鍍時對基材11施加-100 -300V的偏壓，并加熱所述鍍膜室使基材11的溫度為200 400°C，鍍膜時間可為45 60min。該透明導(dǎo)電薄膜13的厚度可為300 600nm。本發(fā)明較佳實施方式鍍膜件10在基材11的表面沉積透明導(dǎo)電薄膜13，該透明導(dǎo)電薄膜13通過在TiA薄膜中引入V、Nb及Ta中的兩種或兩種以上，通過高價態(tài)的V5+、Nb5+ 及Ta5+中的兩種或兩種以上取代部分Ti4+，從而產(chǎn)生自由電子，獲得較高的導(dǎo)電率。該透明導(dǎo)電薄膜13具有良好的穩(wěn)定性，可有效地提高鍍膜件10的使用壽命。另外，該透明導(dǎo)電薄膜13還具有高透光性。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件，包括基材及形成于基材表面的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于該透明導(dǎo)電薄膜為Me摻雜二氧化鈦薄膜，其中Me為釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述基材為玻璃或陶瓷。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述透明導(dǎo)電薄膜中摻雜的釩的質(zhì)量百分含量為1 5%。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述透明導(dǎo)電薄膜中摻雜的鈮的質(zhì)量百分含量為1 3%。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述透明導(dǎo)電薄膜中摻雜的鉭的質(zhì)量百分含量為1 3%。
6.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述透明導(dǎo)電薄膜以磁控濺射或蒸鍍的方式形成。
7.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于所述透明導(dǎo)電薄膜的厚度為300 600nmo
8.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟提供基材；在基材表面形成透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜為Me摻雜二氧化鈦薄膜，其中Me為釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上。
9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于所述形成透明導(dǎo)電薄膜的步驟采用如下方式實現(xiàn)采用磁控濺射法，使用含有釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上成份的合金靶以及鈦靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為50 200sCCm，以氬氣為工作氣體， 氬氣流量為100 300sccm，基材偏壓為-100 -300V，加熱使基材的溫度為200 400°C， 鍍膜時間為45 60min。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜為Me摻雜TiO2薄膜，其中Me為釩、鈮及鉭中的兩種或兩種以上。本發(fā)明所述鍍膜件在基材的表面沉積透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜通過高價態(tài)的V5+、Nb5+及Ta5+中的兩種或兩種以上取代部分Ti4+，從而產(chǎn)生自由電子，獲得較高的導(dǎo)電率。該透明導(dǎo)電薄膜具有良好的穩(wěn)定性，可有效地提高鍍膜件的使用壽命。另外該透明導(dǎo)電薄膜還具有高透光性。此外，本發(fā)明還提供一種上述鍍膜件的制備方法。
文檔編號C23C14/08GK102453868SQ201010521488
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者張新倍, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士, 黃嘉 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司