專利名稱：硅片的后清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)方法技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種硅片的后清洗工藝。
背景技術(shù)：
多晶硅太陽能電池的效率總體上沒有單晶硅太陽電池的高，這主要是由于兩個原 因，一方面多晶硅材料本身的少數(shù)載流子壽命沒有單晶硅的高，另一方面目前的酸法制絨 技術(shù)的陷光效果沒有單晶堿法制絨好。在目前的傳統(tǒng)工藝中，要縮小多晶硅太陽能電池與 單晶硅太陽電池之間效率上的差距，一方面可以通過吸雜將多晶硅材料壽命提高一些，另 一方面吸雜之后的清洗要盡可能的降低或不影響反射率。目前廣泛使用的酸腐蝕溶液是以HF-HNO3為基礎(chǔ)的水溶液體系，為了控制化學反 應的劇烈程度，有時還加入一些其他的化學品。但是，基本的化學反應是不變的，大致的蝕 刻機制是HNO3 (—種氧化劑)腐蝕，在硅片表面形成了一層SiO2，然后這層SiO2在HF酸的 作用下去除。酸對硅的腐蝕速度與晶粒取向無關(guān)，因此酸腐蝕又稱為各向同性腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了解決擴散吸雜之后的清洗不影響反射率的技術(shù) 問題，本發(fā)明提供一種硅片的后清洗工藝。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種硅片的后清洗工藝，其具有如 下步驟a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到25 80ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.為了降低表面濃度和結(jié)深或刻蝕掉表面雜質(zhì)富集區(qū)，再用酸溶液進行腐蝕，酸 溶液中HF體積濃度占1. 6 % 4. 5 %，HNO3體積濃度占20 % 30 %，CH3COOH體積濃度占 33 % 39 %，其余為H2O,將腐蝕時間控制在20 180秒，溫度為15 25V，刻蝕速率為 0.002 0. 02um/so作為優(yōu)選一種硅片的后清洗工藝a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到45ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占2. 3%, HNO3體積濃度占21%， CH3COOH體積濃度占33 %，其余為H2O,溫度為18°C。作為另一優(yōu)選一種硅片的后清洗工藝a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到70ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占3. 1 %，HNO3體積濃度占 20. 3%, CH3COOH體積濃度占38%，其余為H2O,溫度為18°C本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明硅片的后清洗工藝，通過優(yōu)化溶液配比，可精確控制 溶液的反應速率，而且硅片表面的反射率沒有提高。
具體實施例方式實施例1取P型多晶硅片，電阻率2. 5 Ω cm,硅片經(jīng)制絨、擴散，其方塊電阻為45ohm/Sq，后放入體積比濃度為HF 2. 3 %， HN03 :31%,CH3C00H :33%，其余為H2O的混酸溶液中，溶液溫度控制在18°C，則溶液的腐蝕 速率為0. 0125um/s，且硅片表面反射率沒有提高。實施例2:取P型多晶硅片，電阻率0. 5 Ω cm，硅片經(jīng)制絨、高低溫吸雜，其方塊電阻為70ohm/Sq，后放入體積比濃度為HF: 3. 1%,HN03 20. 3%,CH3C00H :38%，其余為H2O的混酸溶液中，溶液溫度控制在18°C，則溶 液的腐蝕速率為0. 004um/s，且硅片表面反射率沒有提高。
權(quán)利要求
一種硅片的后清洗工藝，其特征是具有如下步驟a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到25～80ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占1.6％～4.5％，HNO3體積濃度占20％～30％，CH3COOH體積濃度占33％～39％，其余為H2O，將腐蝕時間控制在20～180秒，溫度為15～25℃。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片的后清洗工藝，其特征在于a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到45ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占2.3%，HNO3體積濃度占21%， CH3COOH體積濃度占33 %，其余為H2O,溫度為18°C。
3.如權(quán)利要求1所述的硅片的后清洗工藝，其特征在于a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到70ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占3.1 %，HNO3體積濃度占20. 3 %， CH3COOH體積濃度占38 %，其余為H2O,溫度為18°C。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)方法技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種硅片的后清洗工藝，其具有如下步驟a.將多晶硅片硅片制絨、擴散，得到25～80ohm/Sq的均勻擴散區(qū)；b.再用酸溶液進行腐蝕，酸溶液中HF體積濃度占1.6％～4.5％，HNO3體積濃度占20％～30％，CH3COOH體積濃度占33％～39％，其余為H2O，將腐蝕時間控制在20～180秒，溫度為15～25℃。本發(fā)明硅片的后清洗工藝，通過優(yōu)化溶液配比，可精確控制溶液的反應速率，而且硅片表面的反射率沒有提高，從而提高了太陽能電池的效率。
文檔編號C23F1/24GK101976700SQ20101023823
公開日2011年2月16日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者張學玲 申請人:常州天合光能有限公司